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[发明专利]带导电橡胶的电子设备机箱电磁屏效多场耦合仿真方法-CN201010278717.4有效
发明人：段宝岩;李鹏;胡凯博;马伯渊;徐达人;杜敏 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-09-09 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种带导电橡胶的电子设备机箱的电磁屏效仿真方法，主要解决现有技术屏效仿真时无法仿真导电橡胶的问题。其步骤是：建立机箱屏效的多场耦合理论模型；将Pro/E建立的机箱实体模型，导入Ansys计算结构位移；将结构网格转化为电磁网格并导入Feko软件；测量导电橡胶的转移阻抗，计算电导率，并确定其它电参数；将实体模型导入IcePak，计算机箱内各器件的温度；根据温度，通过器件辐射电场随温度变化曲线，确定激励源的幅度；在FEKO中设置导电橡胶的参数和激励源的幅度，计算机箱外观测点的电场值；将该电场值带入多场耦合理论模型，得出机箱的屏效。本发明能够仿真带导电橡胶的电子设备机箱的电磁屏效，可用于指导机箱结构的电磁兼容性设计。
导电橡胶电子设备机箱电磁屏效多场耦合仿真方法

[发明专利]半导体元件及半导体单元阵列-CN201711162408.9有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体元件，包括多鳍有源区、单鳍有源区、及在多鳍有源区与单鳍有源区之间的隔离特征。多鳍有源区包括第一群鳍、平行于第一群鳍的第二群鳍、设置在第一群鳍上方的第一n型场效晶体管、设置在第二群鳍上方的第一p型场效晶体管。单鳍有源区邻接多鳍有源区。单鳍有源区包括第一鳍、与第一鳍不同的第二鳍、设置在第一鳍上方的第二n型场效晶体管、及设置在第二鳍上方的第二p型场效晶体管。
半导体元件单元阵列

[发明专利]多栅极场效晶体管及其制作工艺-CN201210260669.5在审
发明人：傅思逸;刘恩铨;杨智伟;陈映璁;蔡世鸿 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种多栅极场效晶体管及其制作工艺，包含有一基底、一介电层以及至少一鳍状结构。基底具有一第一区以及一第二区。介电层仅位于第一区中的基底中。至少一鳍状结构位于介电层上。此外，本发明也提供一种多栅极场效晶体管制作工艺用以形成前述的多栅极场效晶体管。
栅极晶体管及其制作工艺

[发明专利]一种减少低放电并提升能效的等离子显示屏驱动方法-CN201310270172.6无效
发明人：陈修强;张宏元;杨正军;柳希武 -专利权人：四川虹欧显示器件有限公司
申请日： 2013-07-01 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G09G3/28 文献下载
摘要：本发明涉及等离子显示屏领域，尤其是一种减少低放电并提升能效的等离子显示屏驱动方法。本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术中存在的问题，提供一种减少低放电并提升能效的等离子显示屏驱动方法，设计一种兼顾低放电和能效的驱动波形的方法，具体是在一帧波形内，设计子场不同的维持波形，保障放电状态的同时提升能效本发明设计方法根据一帧画面的驱动波形中，各个子场驱动波形不同进行设计，本发明应用于等离子显示屏驱动领域。
一种减少放电提升能效等离子显示屏驱动方法

[发明专利]一种多场效晶体管集成模块-CN201410092032.9在审
发明人：周华丰;张文华;马关金 -专利权人：杭州明果教育咨询有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种多场效晶体管集成模块，属于场效晶体管技术领域。上述一种多场效晶体管集成模块，敷铜陶瓷板与散热器之间设置导热硅脂层，可将多场效晶体管模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；同时，节省了现有多场效晶体管模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了产品的厚度，从而减少了产品所占空间。
一种多场效晶体管集成模块

[实用新型]一种多场效晶体管集成模块-CN201420113490.1有效
发明人：周华丰;张文华;马关金 -专利权人：杭州明果教育咨询有限公司
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：一种多场效晶体管集成模块，属于场效晶体管技术领域。上述一种多场效晶体管集成模块，敷铜陶瓷板与散热器之间设置导热硅脂层，可将多场效晶体管模块在应用过程中形成的热量更快更直接地传导出去，减少了热传导过程中的介质，大大提高了产品的散热效果，从而进一步保证了产品的可靠性、稳定性和安全性；同时，节省了现有多场效晶体管模块中所广泛采用的焊料和铜底板，不但降低了材料成本，而且减少了产品的厚度，从而减少了产品所占空间。
一种多场效晶体管集成模块

[发明专利]化合物半导体静电保护元件-CN201310292217.X有效
发明人：高谷信一郎;锺荣涛;王志伟;苑承刚;刘世明 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种化合物半导体静电保护元件，包含一多栅极增强型场效晶体管或数个单栅极增强型场效晶体管，其中每一个栅极电极通过至少一第一电阻直流电连于源极电极、漏极电极或多栅极增强型场效晶体管中两相邻栅极电极间的栅极间区域，且至少一个栅极电极通过至少一栅极电容交流电连于前述源极电极、漏极电极或多栅极增强型场效晶体管中两相邻栅极电极间的栅极间区域。
化合物半导体静电保护元件

[实用新型]新型多效生态场-CN201120525798.3有效
发明人：王文波;于海;王颜亭 -专利权人：王文波;于海;王颜亭
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： C02F3/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型多效生态场，属于污水处理技术领域。其包括输水管（1）、场体、集水管（9），所述输水管（1）与所述场体的输水端相通，所述集水管（9）与所述场体的集水端相通，所述场体的表层设有植物培养层，其特征是：所述植物培养层为硅炭壳层。本实用新型以硅炭壳层替代现有生态场中的土壤层作为植物培养层，并设置填充以火山岩填料的输水区和集水区，很好地解决了生态场在运行中存在的土壤堵塞、氧气缺乏等问题，大大提高了生态场系统的运行寿命、污水处理效率及效果
新型生态

[发明专利]半导体装置-CN202010766716.8在审
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：第一静态随机存取存储器单元包括第一下拉(PD)装置，其包括单一鳍片N型鳍式场效晶体管。单一鳍片N型鳍式场效晶体管包括具有第一厚度的第一栅极介电质。第二静态随机存取存储器单元包括第二下拉装置，其包括多鳍片N型鳍式场效晶体管。多鳍片N型鳍式场效晶体管包括具有第二厚度的第二栅极介电质。第一厚度大于第二厚度。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201310585132.0有效
发明人：黄济兴;蔡明玮;薛清全;庄博钦 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置包含基板、第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管。第一氮化镓场效晶体管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管为耗尽型场效晶体管。第二氮化镓场效晶体管置于基板上。第二氮化镓场效晶体管为增强型场效晶体管。氮化镓二极管置于基板上。第一氮化镓场效晶体管、第二氮化镓场效晶体管与氮化镓二极管皆置于基板的同一侧并互相电性连接。
半导体装置

[发明专利]负电容结构的形成方法-CN201810671100.5在审
发明人：叶凌彦;威尔曼·蔡;卡罗斯·H·戴尔兹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在电路的形成方法中，电路包含金属氧化物半导体场效晶体管区中的金属氧化物半导体场效晶体管，以及负电容场效晶体管区中的负电容场效晶体管。此方法包括形成介电层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的通道层上。形成第一金属层于金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区中的介电层上。在形成第一金属层之后，只在负电容场效晶体管区中进行退火步骤。在退火步骤之后，自金属氧化物半导体场效晶体管区与负电容场效晶体管区移除第一金属层。退火步骤包括以能量束照射负电容场效晶体管区中的第一金属层与介电层。
电容场晶体管区金属氧化物半导体场效晶体管第一金属层退火介电层电路能量束照射电容结构通道层晶体管移除

[发明专利]多屏显示技术中分屏的行场同步时序控制方法及其系统-CN200910041761.0有效
发明人：胡继超 -专利权人：广东威创视讯科技股份有限公司
申请日： 2009-08-10 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G09G5/391 文献下载
摘要：本发明提供一种多屏显示技术中分屏的行场同步时序控制方法，其包括以下步骤：检测需要显示的图像的分辨率；根据所述图像的分辨率和分屏数计算在每一分屏上显示的图像子分辨率；根据所述图像子分辨率查找时序参数查找表，获得对应的行场同步时序参数，其中该时序参数查找表包括与不同的图像子分辨率一一对应的行场同步时序参数的预设值；根据所述多个行场同步时序参数产生行场同步时序。本发明的多屏显示技术中分屏的行场同步时序控制方法，不需要人工调节，可避免多屏显示时出现的图像画面显示不同步的问题。
显示技术中分同步时序控制方法及其系统

[发明专利]一种同时改变流场与化学场的高效湿法脱硫方法以及装置-CN201611015082.2在审
发明人：朱法华;王圣;许月阳;李辉 -专利权人：国电环境保护研究院
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B01D53/78 文献下载
摘要：本发明公开一种同时改变流场与化学场的高效湿法脱硫装置，包括有吸收塔、初级洗涤系统、烟气均化系统、提效洗涤系统以及尘雾多污染物凝汇组合脱除系统；该同时改变流场与化学场的高效湿法脱硫装置经由两种高低不同pH值浆液区达到高效脱硫，并通过均化烟气流场方式进一步提高脱硫效率；采用了新型高效尘雾及多污染物组合深度脱除装置对颗粒物以及雾滴进行高效汇聚脱除，同时实现多污染物高效协同控制脱除。
一种同时改变化学高效湿法脱硫方法以及装置

[发明专利]半导体元件-CN201710196968.X有效
发明人：温文莹 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件，包括基底、金属氧化物半导体场效晶体管以及多个并联的接面场效晶体管，金属氧化物半导体场效晶体管配置于基底上，金属氧化物半导体场效晶体管包括源极区、漏极区以及配置在源极区与漏极区之间的栅极结构，接面场效晶体管与金属氧化物半导体场效晶体管串联，各接面场效晶体管于源极区与漏极区之间横向延伸。
半导体元件

[发明专利]半导体装置-CN201610900624.8在审
发明人：江国诚;蔡庆威;王志豪;梁英强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含第一鳍式场效晶体管及第二鳍式场效晶体管。第一鳍式场效晶体管包含第一栅极、第一源极及第一漏极，且具有源极/漏极间的第一距离。第二鳍式场效晶体管包含第二栅极、第二源极及第二漏极，且具有小于第一鳍式场效晶体管源极/漏极间距离的第二距离。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管装置为一种输入/输出装置，而第二鳍式场效晶体管装置为诸如一核心装置的非输入/输出装置。在一些实施例中，第一鳍式场效晶体管源极/漏极之间具有较大的距离，是因为第一鳍式场效晶体管装置的一附加间隔层而第二鳍式场效晶体管装置没有。其功效在于可减少短通道效应。
半导体装置

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