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[发明专利]层间绝缘膜的制造方法和层间绝缘膜-CN202111338423.0在审
发明人：樋口伦也;西村飒太;桥本壮一;荒井贵 -专利权人：互应化学工业株式会社
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种层间绝缘膜的制造方法，其能够制造镀铜密合性优异的层间绝缘膜。层间绝缘膜的制造方法具备被膜形成工序、曝光工序和热固化工序。
绝缘制造方法

[发明专利]半导体芯片及其制造方法-CN201910481256.1在审
发明人：李大硕;李学承;林东灿;金泰成;文光辰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：半导体芯片包含：衬底；层间绝缘层，包含位于衬底的上表面上的底部层间绝缘层和位于底部层间绝缘层上的顶部层间绝缘层；蚀刻终止层，位于底部层间绝缘层与顶部层间绝缘层之间；接地焊盘，位于层间绝缘层上；以及贯通孔，经由衬底、层间绝缘层以及蚀刻终止层连接到接地焊盘。蚀刻终止层经隔离以免与接地焊盘直接接触。
半导体芯片及其制造方法

[发明专利]透明显示面板及其制造方法-CN201810818428.5有效
发明人：陈文泰;李庚益;陈文斌;陈祖伟;陈国光 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：闸绝缘层位于主动层上。栅极位于闸绝缘层上。第一层间绝缘层位于栅极与闸绝缘层上。第二层间绝缘层位于第一层间绝缘层上。辅助结构位于第二层间绝缘层上并定义透明区。源极与漏极位于第二层间绝缘层上且分别电性连接至主动层。第三层间绝缘层位于源极与漏极上。第四层间绝缘层位于第三层间绝缘层上，并于透明区中与第一层间绝缘层接触。电致发光元件位于第四层间绝缘层上。
透明显示面板及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201710328970.8有效
发明人：韩赫;任智芸;金度亨;林炫锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：一种半导体器件包括第一层间绝缘层和第二层间绝缘层、以及插置在第一层间绝缘层和第二层间绝缘层之间的水平导电图案。垂直结构延伸穿过第一层间绝缘层、第二层间绝缘层和水平导电图案。第一层间绝缘层和第二层间绝缘层中的每个具有含不同杂质浓度的区域。
半导体器件

[发明专利]柔性显示面板的弯折区结构及其制作方法-CN201711450126.9在审
发明人：陈彩琴;刘丹 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：该弯折区结构包括：柔性基板；组合绝缘层，设置于柔性基板上；层间绝缘层，设置于组合绝缘层上，层间绝缘层和组合绝缘层中形成暴露部分柔性基板的过孔；有机层间绝缘层，填充到过孔中，其包括超出层间绝缘层的上表面且彼此间隔的两个凸块；走线换线层，设置于有机层间绝缘层上；平坦层，设置于走线换线层、有机层间绝缘层和层间绝缘层上；将过孔在层间绝缘层中的开口的宽度加宽，以使凸块的厚度与走线换线层的厚度之和小于平坦层的厚度。本发明通过加宽过孔在层间绝缘层中的开口的宽度，以使有机层间绝缘层的凸块下陷并降低其厚度，从而不会使走线换线层超出平坦层而被腐蚀，进而提高器件的稳定性。
层间绝缘层绝缘层有机层换线走线组合绝缘层柔性基板平坦层弯折区柔性显示面板加宽凸块开口凸块下陷上表面填充腐蚀暴露制作

[实用新型]层间绝缘的谐振电感-CN201720253747.7有效
发明人：段国洲;孙延兵;苏杰;胡吕 -专利权人：深圳市华云图科技有限公司
申请日： 2017-03-16 - 公布日： 2017-10-31 - 主分类号： H01F27/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种层间绝缘的谐振电感，包括第一磁芯、第二磁芯和绕线组，其中第一磁芯和第二磁芯设为E型；绕线组包括绕线架和绕线，绕线缠绕在绕线架上；第一磁芯和第二磁芯包括磁芯中柱、两磁芯侧板和磁芯底板，另一方面减少材料用量，节省成本，增大空气流通面积，提高绕线的散热速率；绕线架为环形，在绕线架的侧面设有出线口，绕线架上设有绕线槽，用于绕制绕线；绕线架中间设有装配孔，用于与磁芯中柱配合；本实用新型绕线组外包裹有一层绝缘胶带，大大增加了其绝缘性和安全性。
绝缘谐振电感

[发明专利]具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法-CN02148236.5无效
发明人：山田雅基;梶田明広 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-09-27 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在第一层间绝缘层中形成埋入型导电层，上述导电层具有比上述第一层间绝缘层表面高的表面。另外，用具有平坦表面的绝缘膜覆盖上述第一层间绝缘层和上述导电层，在该绝缘膜中形成蚀刻选择比比上述绝缘膜高的的第二层间绝缘层。在上述半导体器件的制造方法中，在半导体衬底层上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成沟，在第一层间绝缘层上形成导电层，用上述导电层掩埋沟，研磨导电层形成后的衬底表面，形成露出第一层间绝缘层和导电层的平坦面还蚀刻去除研磨引起的上述第一层间绝缘层表面的损伤层，在蚀刻后的衬底表面上使用涂布法，形成绝缘膜。之后，在上述绝缘膜上形成蚀刻选择比比绝缘膜高的第二层间绝缘层。
具有埋入导电半导体器件及其制造方法

[发明专利]层间绝缘用树脂膜、带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜以及印刷布线板-CN201680019273.8在审
发明人：笠原彩;水野康之;村井曜 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-02-10 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供能够获得在加速环境试验后与电路基板的粘接性也优良、且低热膨胀性、耐热性以及介质特性优良的层间绝缘层的层间绝缘用树脂膜、带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜以及用该层间绝缘用树脂膜或带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜形成的印刷布线板具体而言，提供含有环氧树脂(A)、氰酸酯树脂(B)以及双氰胺(C)的层间绝缘用树脂膜；在该层间绝缘用树脂膜的一面上设置粘接辅助层而得的带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜，该粘接辅助层含有环氧树脂(a)、氰酸酯树脂(b)以及无机填充材料(c)；用该层间绝缘用树脂膜或带粘接辅助层的层间绝缘用树脂膜形成的印刷布线板。
绝缘树脂带粘接辅助以及印刷布线

[实用新型]遮蔽栅极式沟槽晶体管-CN202120519625.4有效
发明人：郑事展 -专利权人：力智电子（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种遮蔽栅极式沟槽晶体管包括衬底、下部电极、上部电极以及层间绝缘层，衬底具有沟槽；下部电极设置于沟槽的下部；上部电极设置于沟槽的上部；层间绝缘层设置于下部电极与上部电极之间，层间绝缘层由高密度电浆工艺及化学气相沉积工艺形成，使层间绝缘层具有平整的上表面。由于层间绝缘层由高密度电浆化学气相沉积形成，使得层间绝缘层较现有技术的层间绝缘层厚且具有平整的上表面，厚且平整的层间绝缘层可消除不平整且厚度不均带来的问题，可改善组件可靠度；同时厚的层间绝缘层因为拉大了上下电极的距离
遮蔽栅极沟槽晶体管

[发明专利]显示装置-CN202110305269.0在审
发明人：徐廷晔;田中哲弘;尹熙媛;崔申钒 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示装置，包括：基体基底；氧化物半导体层，设置在所述基体基底上；第一栅极绝缘层，设置在所述氧化物半导体层的第一沟道区上并且与所述氧化物半导体层的所述第一沟道区重叠；第一上部栅极电极，设置在所述第一栅极绝缘层上；以及上部层间绝缘层，设置在所述第一上部栅极电极、所述第一栅极绝缘层和所述氧化物半导体层上，其中，所述上部层间绝缘层包括第一上部层间绝缘层、第二上部层间绝缘层和第三上部层间绝缘层，所述第一上部层间绝缘层包括氧化硅，所述第二上部层间绝缘层和所述第三上部层间绝缘层中的每一个包括氮化硅，并且所述第二上部层间绝缘层中的氢浓度小于所述第三上部层间绝缘层中的氢浓度。
显示装置

[发明专利]高分断能力的贴片熔断器-CN202011022259.8在审
发明人：伊尔玛·瓦莱里亚诺·桑托斯;G·托德·迪特希 -专利权人：力特保险丝公司
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01H85/17 文献下载
摘要：一种高分断能力的贴片熔断器包括：以下述顺序堆叠布置设置的底部绝缘层、第一中间绝缘层、第二中间绝缘层和顶部绝缘层；可熔元件，其设置在第一中间绝缘层与第二中间绝缘层之间并且在导电的第一端子与第二端子之间延伸，第一端子和第二端子位于底部绝缘层、第一中间绝缘层、第二中间绝缘层和顶部绝缘层的相对的纵向端部处；其中，第一中间绝缘层和第二中间绝缘层由多孔陶瓷形成。
高分能力熔断器

[发明专利]层间绝缘膜制造用涂布组合物、层间绝缘膜、及半导体元件、以及层间绝缘膜的制造方法-CN202180017254.2在审
发明人：伊部武史;今田知之 -专利权人： DIC株式会社
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：提供能够以高生产率制造具有高杨氏模量和低相对介电常数的进行了图案形成的层间绝缘膜的层间绝缘膜制造用涂布组合物、及层间绝缘膜的制造方法、以及具有该层间绝缘膜的半导体元件。具体而言，一种层间绝缘膜制造用涂布组合物，其含有聚合性化合物(A)和光聚合引发剂(B)，所述聚合性化合物(A)为具有2个以上聚合性基团的聚合性硅化合物，前述2个以上聚合性基团中的至少1个为*‑O‑R‑Y
绝缘制造用涂布组合半导体元件以及方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法、电光装置及其制造方法和电子设备-CN200510069239.5有效
发明人：森胁稔 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2005-05-12 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：在基板上形成多个导电层的工序；分别形成多个层间绝缘层的工序；对于多个层间绝缘层之中的下部层间绝缘层和上部层间绝缘层，形成贯通上部层间绝缘层到达下部层间绝缘层内的第1孔并且至少将位于第1孔内的上部层间绝缘层和下部层间绝缘层的界面的侧壁的一部分利用干蚀刻法形成的工序；形成至少将上述界面覆盖的保护膜的工序；通过形成了保护膜的第1孔使用蚀刻法形成贯通下部层间绝缘层的第2孔而形成接触孔的工序；以及通过接触孔将下部导电层和上部导电层相互电连接的工序。
半导体装置及其制造方法电光电子设备

[发明专利]存储装置-CN201810046665.4在审
发明人：石川贵之;岡嶋睦;塚本隆之 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：实施方式的存储装置具备：第1层间绝缘膜，在第1方向伸长；第2层间绝缘膜，在第1方向伸长；第1导电层，在第1方向伸长且设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间；第2导电层，在与第1方向交叉的第2方向伸长；可变电阻层，具有第1部分及第2部分，第1部分设置在第1层间绝缘膜与第2层间绝缘膜之间，第2部分设置在第2导电层与第1层间绝缘膜、第1导电层及第2层间绝缘膜之间；以及侧壁绝缘膜，设置在第1部分与第1层间绝缘膜之间及第1部分与第2层间绝缘膜之间。
层间绝缘膜导电层伸长存储装置侧壁绝缘膜可变电阻层方向交叉写入

[发明专利]印刷线路板-CN201210371678.1有效
发明人：天野哲男;西胁俊雄 -专利权人：揖斐电株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种印刷线路板，包括：芯绝缘层，其具有穿过所述芯绝缘层的通路导体；第一结构，其包括位于所述芯绝缘层的第一表面上的层间绝缘层，其中所述第一结构中的层间绝缘层具有穿过所述第一结构中的层间绝缘层的通路导体；以及第二结构，其包括位于所述芯绝缘层的第二表面的层间绝缘层，其中所述第二结构中的层间绝缘层具有穿过所述第二结构中的层间绝缘层的通路导体。层间绝缘层针对频率为1GHz的信号传输的介电常数被设置为小于等于4.0，芯绝缘层在温度小于等于Tg时的热膨胀系数被设置为小于层间绝缘层在温度小于等于Tg时的热膨胀系数，芯绝缘层在温度小于等于Tg时的热膨胀系数被设置为小于等于75ppm/℃，并且层间绝缘层中的通路导体堆叠在芯绝缘层中的通路导体上。
印刷线路板

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