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[发明专利]异质外延输出器件阵列-CN201811589044.7有效
发明人：张国飙;于鑫 -专利权人：杭州海存信息技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：硅衬底氮化镓输出晶体管阵列含有多个小尺寸单体输出晶体管。硅衬底表面具有多重网状图形并在其上通过异质外延生长多块小尺寸单体氮化镓薄膜。每个小尺寸单体输出晶体管形成一块小尺寸单体氮化镓薄膜中。通过在生产或使用过程中禁用缺陷晶体管，可提高输出晶体管阵列的整体良品率/可靠性。
外延输出器件阵列

[发明专利]基于混合缩放规则的晶体管小信号可缩放模型建模方法-CN202011251681.0在审
发明人：谷思雨 -专利权人：天津大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： G06F30/3323 文献下载
摘要：本发明公开了基于混合缩放规则的晶体管小信号可缩放模型建模方法，包括：步骤S1，在预设宽工作频率范围内，测量多种尺寸的晶体管在不同偏置点下的S参数；步骤S2，选取晶体管小信号等效电路拓扑结构，并使用步骤S1获得的多种尺寸的晶体管的S参数测试结果，来进行多种尺寸的晶体管的寄生参数和本征参数提取；步骤S3，提出线性和非线性结合的混合缩放规则；步骤S4，建立晶体管的小信号可缩放模型，并对多种尺寸的晶体管进行S参数预测，获得S参数预测结果；步骤S5，验证该晶体管的小信号可缩放模型的准确性。本发明可以改善基于传统线性缩放规则的小信号可缩放模型建模方法不精确的问题，并能准确预测多种不同尺寸晶体管的S参数。
基于混合缩放规则晶体管信号模型建模方法

[发明专利]提高器件匹配特性的参数化单元-CN201410216635.5在审
发明人：张炯;熊涛;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
提高器件匹配特性参数单元

[发明专利]一种晶体管参数化模块单元-CN201710488909.X在审
发明人：沈立 -专利权人：上海卓弘微系统科技有限公司
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
晶体管参数化模块单元尺寸匹配晶体管模块匹配连接晶体管绘制

[发明专利]晶体管参数化模块单元-CN201010608309.0无效
发明人：熊涛;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
晶体管参数模块单元

[发明专利]提高器件匹配特性的参数化单元-CN201410216634.0在审
发明人：张炯;熊涛;徐帆;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2014-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以调整晶体管的尺寸，可以随时调整它的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度，提高版图紧凑性。
提高器件匹配特性参数单元

[发明专利]晶体管参数化模块单元-CN201010607799.2无效
发明人：熊涛;程玉华 -专利权人：上海北京大学微电子研究院
申请日： 2010-12-23 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以调整晶体管的尺寸，可以随时调整它的栅面积，根据实际版图允许面积，优化匹配精确度，提高版图紧凑性。
晶体管参数模块单元

[发明专利]一种微波大功率晶体管建模方法-CN201610244135.1有效
发明人：陈勇波 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种微波大功率晶体管建模方法，包括以下步骤：S1、建立小尺寸单胞晶体管非线性等效电路模型；S2、采用电磁仿真软件模拟大尺寸晶体管无源部分的微波传输特性，得到输入结构的S参数和输出结构的S参数；S3、采用热仿真软件模拟大尺寸晶体管热传输特性，根据热仿真数据，提取热电耦合参数网络的参数值，得到热电耦合参数网络；S4、将小尺寸单胞晶体管非线性等效电路模型、输入结构的S参数、输出结构的S参数及热电耦合参数网络按照端口对应关系进行连接，得到大尺寸晶体管模型。本发明采用电磁仿真数据来描述大尺寸晶体管的输入输出结构、金丝、隔离电阻等的寄生效应，采用热仿真数据来提取热电耦合参数，模型精度高，参数提取容易。
一种微波大功率晶体管建模方法

[发明专利]一种行集成电路-CN201410114475.3有效
发明人：吴为敬;宋小锋;张立荣;李冠明;王磊;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司;华南理工大学
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种行集成电路设有晶体管T1、晶体管T1a、晶体管T2、晶体管T2a、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管T7、晶体管T8、晶体管T9、电容C1、电容C2和电容C3。该行集成电路采用单负电源结构、避免采用传统的以二极管连接的晶体管作为反向器，采用新型的反向器结构，并且实现由输出级上拉管进行充放电，能够减小输出级下拉管的器件尺寸，具有电路结构简单、功耗低、器件尺寸小的特点
一种集成电路

[发明专利]半导体存储装置-CN200710101384.6无效
发明人：山田直毅;折笠宪一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体存储装置，即使来自行译码器的输出是低电压，也不改变P沟道晶体管6001或N沟道晶体管6002的尺寸，能够通过改变与P沟道晶体管6001连接的字驱动器P沟道控制信号LP的电压，使字驱动器的电平移位，从而维持N/P的晶体管尺寸比小的状态。
半导体存储装置

[发明专利]增益可变放大器-CN02130233.2有效
发明人：佐佐木亮 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-08-14 - 公布日： 2003-04-02 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：本发明旨在提供对于高增益和低增益两种模式，输出阻抗变化小，能正确调整增益的增益可变放大器。所述放大器，输入端1的高频信号被输入晶体管(102)的基极，输出到集电极。在高增益模式时切断开关(110)，使晶体管(104)截止。全部高频信号被输入晶体管(103)的射极，输出到集电极，由于输出端(2)输出。低增益模式时接通开关手段(110)，使晶体管(104)导通，使其得到与晶体管(103)相同值的基极电压。晶体管(103)与基极接地晶体管(104)的电流比取决于其尺寸比，调整该尺寸比就能正确调整电流，向输出端(2)输出。这时，对于高增益和低增益两种模式，由于输出的负载条件相同，输出阻抗的变化小。
增益可变放大器

[发明专利]改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法-CN202210401025.7在审
发明人：赖福东;刘翔 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种改善WAT测试精度的测试单元及其测试方法，所述改善WAT测试精度的测试单元包括：MOS晶体管区，包括N个特征尺寸相同的MOS晶体管；金属区，位于MOS晶体管区上方；互连金属线，用于将MOS晶体管与金属区连接，使得N个MOS晶体管以并联的形式连接。本发明在不改变现有的测试硬件条件下，能够有效的解决测试机台及针卡在测试MOS晶体管漏电流时精度不足的问题，以便精确，高效的测试出MOS晶体管漏电流；测试过程方便简洁，并且可以降低测试成本，有利于本发明的应用与推广；本发明针对小尺寸MOS晶体管进行测试，以便了解MOS晶体管的性能，在后续芯片设计中提出解决方案，以便芯片的集成。
改善 wat 测试精度单元及其方法

[实用新型]生活家电用小信号晶体管-CN202123417427.6有效
发明人：崔峰敏 -专利权人：傲迪特半导体（南京）有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种生活家电用小信号晶体管，集电区上依次设有反型半导体的基区和同型半导体的发射区，晶体管有源区呈对角对称结构，晶体管基区呈圆角矩形结构，基区上为发射区，所述发射区呈缺失一角的圆角矩形状，缺失的一角呈扇形结构本实用新型的小功率晶体管通过对集电区结构的设计，缩减了晶体管的尺寸，并具有稳定的性能，本实用新型的小信号晶体管可用于生活家电。
生活家电信号晶体管

[发明专利]晶体管尺寸在线监控的方法-CN202010860711.1在审
发明人：朱忠华;魏芳;曹云 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管尺寸在线监控的方法，包括：步骤S1，根据产品的版图设计数据将晶体管分为标准SRAM晶体管和非标准SRAM晶体管；步骤S2，按照晶体管的属性对标准SRAM晶体管和非标准SRAM晶体管进行归类处理，使其分为不同的组别；步骤S3，将非标准SRAM晶体管的所有组别分为已验证非标准SRAM晶体管和待验证非标准SRAM晶体管；步骤S4，利用量测工具对标准SRAM晶体管、已验证非标准SARM晶体管和待验证非标准SRAM晶体管按照不同的采样比进行尺寸量测。本发明通过版图级的晶体管分类，能抓住关键新型结构晶体管的验证，可以实现晶体管尺寸的在线监控和验证，使得晶体管尺寸的监控效率提升90％，从而最大程度地降低每次版图设计中负载效应对晶体管尺寸的影响。
晶体管尺寸在线监控方法

[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法-CN201810266191.4有效
发明人：周兴雨 -专利权人：上海和辉光电股份有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G09G3/3208 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开了一种AMOLED像素驱动电路及时序控制方法，该像素驱动电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、电容及有机发光二极管，还包括设置于第一薄膜晶体管第二端与第一节点之间的第七薄膜晶体管和设置于第一薄膜晶体管第二端与第三薄膜晶体管之间的第六薄膜晶体管，第二薄膜晶体管与第六薄膜晶体管对称设置且阈值相等，能够补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压，该像素驱动电路能够减少面板内部的布线以适应小尺寸的像素空间。
一种 amoled 像素驱动电路时序控制方法

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