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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件-CN202010211603.1在审
发明人：藤田和范;松山谦太 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：太阳能单电池(10)包括：具有第1主面(21)和第2主面(22)的第1导电型的半导体基片(20)；配置于第1主面的第1导电型的第1半导体层(30)；和配置于第2主面的第2导电型的第2半导体层(40)，半导体基片(20)包含：第1导电型的第1杂质区域(23)；配置于第1杂质区域与第1半导体层之间的第1导电型的第2杂质区域(24)；和配置于第1杂质区域(23)与第2半导体层(40)之间的第1导电型的第3杂质区域(25)，第2杂质区域(24)的第1导电型的杂质浓度比第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度高，第3杂质区域(25)的第1导电型的杂质浓度比第1杂质区域(23)的第1导电型的杂质浓度高。
太阳能电池太阳能电池组件

[发明专利]太阳能单电池-CN201880014765.7在审
发明人：瀬能未奈都;难波伸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2018-03-05 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：太阳能单电池(10)包括具有受光面及背面的第1导电型的半导体衬底(20)、设置于背面上的第1导电型的第1半导体层(50)、和设置于背面上的第2导电型的第2半导体层(51)，半导体衬底(20)具有：具有第1导电型的杂质的第1杂质区域(40)；和设置于第1杂质区域(40)与第1半导体层(50)之间的、具有第1导电型的杂质的第3杂质区域(42)，第3杂质区域(42)的第1导电型的杂质浓度高于第1杂质区域(40)的第1导电型的杂质浓度，半导体衬底(20)与第1半导体层(50)的接合是异质结。
导电型杂质区域半导体层衬底半导体单电池太阳能背面接合受光面异质结

[发明专利]静电放电保护设备及其制造方法-CN200610111006.1无效
发明人：金山弘 -专利权人：东部电子有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：该ESD保护设备包括第一和第二器件隔离层、第一和第二高浓度第二导电类型杂质区、高浓度第一导电类型杂质区、以及低浓度第一导电类型杂质区。在第一导电类型的半导体衬底上的场区中形成该第一和第二器件隔离层。第一和第二高浓度第二导电类型杂质区形成在第一导电类型半导体衬底上。高浓度第一导电类型杂质区形成在位于第二高浓度第二导电类型杂质区的一侧上的部分第一半导体衬底上。低浓度第一导电类型杂质区形成在位于第一高浓度第二导电类型杂质区的下部的部分半导体衬底中。
静电放电保护设备及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910260392.4无效
发明人：金锺玟 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：用于制造半导体器件的方法包括步骤：执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以形成第一导电型第一阱；执行第二注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第一阱中，以形成第一导电型第二阱；执行第三注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第二阱中，以形成第二导电型杂质区；在半导体衬底上形成栅极；以及执行第四注入来注入第二导电型杂质以在栅极的一侧上的第二导电型杂质区中形成漏极区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200810166297.3有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]光电变换装置及其制造方法和摄像系统-CN200410100705.7有效
发明人：让原浩;三岛隆一;渡边高典;市川武史;田村清一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：作为本发明特征的构成是具有第一导电型的半导体基板和光电变换元件的光电变换装置，所述光电变换元件备有设置在包含多个导电型与第一导电型相反的第二导电型的杂质区域的阱内的第一导电型的杂质区域，多个上述第二导电型的杂质区域至少包含第1杂质区域、比该第1杂质区域更配置在基板表面侧的第2杂质区域、和比该第2杂质区域更配置在基板表面侧的第3杂质区域，上述第1杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C1、上述第2杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C2和上述第3杂质区域的杂质浓度峰值的浓度C3满足下列关系：C2＜C3＜C1。
光电变换装置及其制造方法摄像系统

[发明专利]摄像装置-CN202080006129.7在审
发明人：佐藤好弘;高见义则 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的一技术方案的摄像装置具备：光电变换部，将入射光变换为电荷；第1杂质区域，位于半导体基板中，与光电变换部电连接，包含第1导电型的杂质；与第1杂质区域不同的第2杂质区域，位于半导体基板中，包含第1导电型的杂质；第3杂质区域，位于半导体基板中，在平面视下位于第1杂质区域与第2杂质区域之间，包含与第1导电型不同的第2导电型的杂质；以及第1接触部，位于半导体基板上，与第3杂质区域电连接，包括包含第2导电型的杂质的半导体
摄像装置

[发明专利]PET瓶片分离专用金属去静电出料口-CN201410500485.0无效
发明人：张莉 -专利权人：苏州禾正宏新材料科技有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： B29B17/02 文献下载
摘要：本发明涉及PET瓶片分离专用金属去静电出料口，包括出料带、出料轴承、导电轴芯、导电轴承、清洁轴套，本发明通过在物料行进路线中设置导电轴承来对金属杂质进行去电荷处理，当带电荷的金属杂质经过导电轴承，并在导电轴承的带动下经清洁轴套分离后，由于金属杂质的导电性，即使之前的金属杂质带有较多电荷，也会由导电轴承将多余电荷导走，而PET瓶片由于本身并不导电，因此，即使所带电荷不多，也仅仅是与导电轴承接触一面的电荷被导走，所以，当带有电荷的PET瓶片和金属杂质经过此出料口，并被清洁轴套刮离导电轴承后，金属杂质将不再带有电荷，从而为进一步区分PET瓶片与金属杂质提供了可能。
pet 分离专用金属静电出料口

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110135949.9无效
发明人：佐藤嘉展;铃木聪史 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括：第一杂质区域，其形成于具有第一导电型的半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与主体区域分离而形成于第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比第一杂质区域小；源极区域，其形成于主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极。在半导体装置的优选实施方式中，第二杂质区域具有比第一杂质区域高的杂质浓度，并且第一杂质区域的深度小于1μm。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010216709.0在审
发明人：田中宏幸;东真砂彦 -专利权人：拉碧斯半导体株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：所述半导体装置包括：利用PN接合的二极管元件，在具有P型或N型的第一导电型的半导体基板(1)的表面，包括具有第一导电型的高浓度第一导电型杂质区域(6)、具有与第一导电型相反的导电型的第二导电型的高浓度第二导电型杂质区域(5)、以及由高浓度第一导电型杂质区域与高浓度第二导电型杂质区域夹着的元件分离区域(2)；以及浮游层(3)，在半导体基板的高浓度第二导电型杂质区域的下方与高浓度第二导电型杂质区域隔开且具有第二导电型。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及显示装置-CN200910126408.2有效
发明人：大力浩二;池田隆之;宫入秀和;黑川义元;乡户宏充;河江大辅;井上卓之;小林聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-02-26 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：该薄膜晶体管包括：添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层，该一对杂质半导体层相离地设置；导电层，该导电层在上述栅极绝缘层上重叠于上述栅电极及上述添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层的一方；以及非晶半导体层，该非晶半导体层从上述导电层上延伸到上述栅极绝缘层上，与添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层双方接触，并且连续设置在该添加有赋予一导电型的杂质元素的一对杂质半导体层之间。
薄膜晶体管显示装置

[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统-CN201010576073.7无效
发明人：丁圣勋;金俊亨 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：发光器件包括第一导电半导体层，该第一导电半导体层包括第一导电杂质；第二导电半导体层，该第二导电半导体层包括不同于第一导电杂质的第二导电杂质；第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层；以及AlInN基半导体层，该AlInN基半导体层被插入在有源层和第二导电半导体层之间同时接触有源层和第二导电半导体层并且包括第二导电杂质。
发光器件及其制造方法封装以及照明系统

[发明专利]半导体元件互连器件及其制造方法-CN96107262.8无效
发明人：金载甲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-03-29 - 公布日： 2000-09-13 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种制造半导体元件互连器件的方法，该器件连接在半导体衬底上形成的各杂质扩散区，每一杂质扩散区有不同的电导电率。该方法包括，在半导体衬底上形成第１导电类型的阱和第２导电类型的阱，在第２导电类型阱形成不相互接触的第１导电类型杂质扩散区，在第１导电类型阱形成不相互接触的第２导电类型杂质扩散区，在最终结构上面形成绝缘膜，选择地除掉绝缘膜，由此，形成露出第１和第２导电类型的杂质扩散区的接触孔，在最终结构上形成半导体层，在半导体层上面形成硅化物膜，退火最终结构，由此，把第１和第２导电类型杂质扩散区的杂质离子扩散到半导体层中
半导体元件互连器件及其制造方法

[实用新型]PET瓶片分离专用金属去静电出料口-CN201420557653.5有效
发明人：张莉 -专利权人：苏州禾正宏新材料科技有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： B29B17/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及PET瓶片分离专用金属去静电出料口，包括出料带、出料轴承、导电轴芯、导电轴承、清洁轴套，本实用新型通过在物料行进路线中设置导电轴承来对金属杂质进行去电荷处理，当带电荷的金属杂质经过导电轴承，并在导电轴承的带动下经清洁轴套分离后，由于金属杂质的导电性，即使之前的金属杂质带有较多电荷，也会由导电轴承将多余电荷导走，而PET瓶片由于本身并不导电，因此，即使所带电荷不多，也仅仅是与导电轴承接触一面的电荷被导走，所以，当带有电荷的PET瓶片和金属杂质经过此出料口，并被清洁轴套刮离导电轴承后，金属杂质将不再带有电荷，从而为进一步区分PET瓶片与金属杂质提供了可能。
pet 分离专用金属静电出料口

[发明专利]静电放电器件和包括该静电放电器件的静电放电保护电路-CN202110246328.1在审
发明人：金锡震;李美珍;全燦熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：ESD器件包括：阱，形成在衬底中，以具有第一导电类型；有源区域，被限定在衬底的上部；多个鳍，在第一方向上延伸，以具有从衬底突出的结构；第一导电杂质区域，使用第一导电杂质形成；第二导电杂质区域，使用第二导电杂质形成；以及鳍切割隔离区域，在第一方向上设置在第一导电杂质区域与第二导电杂质区域之间，以切割每一个鳍，其中，鳍切割隔离区域的底表面高于有源区域的底表面。
静电放电器件包括保护电路

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