专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果400320个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种功率耦合连接组件-CN201611084937.7在审
  • 魏丽 - 四川宏基博业企业管理有限公司
  • 2016-11-30 - 2017-02-01 - H01P5/18
  • 本发明公开了一种功率耦合连接组件,它包括同轴连接器(1)、耦合导体(2)和同轴导体(3),同轴连接器(1)分别安装于同轴导体(3)的两端和耦合导体(2)的顶端,耦合导体(2)安装于同轴导体(3)的径向轴线上,同轴导体(3)由一个同轴外导体(4)和一个或多个不同直径的同轴内导体(5)组成,耦合导体(2)由环形垫圈(6)、耦合外导体(7)和耦合内导体(8)组成,环形垫圈(6)安装于耦合内导体(8)上。本发明采用耦合导体垂直于导向导体安装,可根据带宽需要改变耦合导体与同轴导体之间的距离,可通过耦合外导体来控制总体直径大小,从而实现在宽频带内的较小的耦合起伏。
  • 一种功率耦合连接组件
  • [发明专利]导体装置及半导体元件的制造方法-CN202010994209.X在审
  • 野村典嗣 - 三菱电机株式会社
  • 2020-09-21 - 2021-03-26 - H01L23/60
  • 本发明涉及半导体装置及半导体元件的制造方法。抑制了在为了进行在半导体基板形成的半导体元件的电气特性的评价等对半导体元件施加了电压的情况下在半导体元件与元件间部之间发生局部放电,对异物附着于半导体基板、在半导体基板形成部件痕迹等进行抑制。半导体装置具有半导体基板以及放电抑制材料。半导体基板具有元件间部以及多个半导体元件。多个半导体元件在半导体基板的扩展方向排列。元件间部位于多个半导体元件所包含的相邻的半导体元件之间。放电抑制材料附着于元件间部的表面,但没有附着于多个半导体元件所包含的各半导体元件的中央部的表面。放电抑制材料由绝缘体构成。
  • 半导体装置元件制造方法
  • [实用新型]一种导体切割机用导体固定夹具-CN201320759275.4有效
  • 桂三喜 - 金杯电工衡阳电缆有限公司
  • 2013-11-26 - 2014-05-14 - B25B1/02
  • 本实用新型公开了一种导体切割机用导体固定夹具,包括台虎钳,在所述台虎钳的固定钳口上设置有一固定导体夹具,在所述台虎钳的活动钳口上设置有一活动导体夹具,所述固定导体夹具和所述活动导体夹具的夹紧面上均设置有一用于夹紧导体的弧形槽本实用新型在导体切割时能够充分固定夹紧导体,且弧形槽的形状与导体相适应,不会对导体造成损害,避免导体在切割过程中出现的散丝、毛刺多等现象,提高接头成功率,提高产品生产质量,且固定导体夹具和活动导体夹具均可更换当需要夹紧不同直径的导体时,可以更换上具有不同弧度的弧形槽的固定导体夹具和活动导体夹具,以适应不同直径的导体夹紧需求。
  • 一种导体切割机固定夹具
  • [实用新型]一种超柔高寿命的同轴电缆测试跳线-CN202320283797.5有效
  • 王继飞;赵越 - 苏州毕毕西通讯系统有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-09-01 - H01B7/04
  • 本实用新型提供了一种超柔高寿命的同轴电缆测试跳线,包括防护组件,所述防护组件包括电缆导体、电缆护套、外保护套、固定套、连接套、绝缘体、接头导体和卡槽;所述电缆护套包覆于电缆导体的外侧壁,所述电缆导体包括外导体、填充导体和中心导体;所述填充导体绞合于中心导体的外侧壁。本实用新型电缆导体由外导体、填充导体和中心导体绞合而成,可以使电缆导体整体更柔软,具有更强的耐折性,当插、拔连接端子时,连接端子受力拉动接头导体,接头导体受力带动绝缘体,绝缘体将受到的力传递至连接套和外保护套,通过转移受力点,保证了连接处的强度,可以避免电缆导体与接头导体的连接处断裂。
  • 一种超柔高寿命同轴电缆测试跳线
  • [发明专利]导体装置-CN201510297232.2在审
  • 洪洪;矶部康裕;大麻浩平;吉冈启 - 株式会社东芝
  • 2015-06-03 - 2016-12-07 - H01L29/778
  • 根据一个实施方式,半导体装置(1)包括:第1半导体层(11),设置在基板上;第2半导体层(12),设置在第1半导体层(11)上,包含掺杂有p型杂质的氮化物半导体;第3半导体层(13),设置在第2半导体层(12)上,包含非掺杂的氮化物半导体;第4半导体层(15),设置在第3半导体层(13)上,包含氮化物半导体;以及第5半导体层(16),设置在第4半导体层(15)上,包含带隙比第4半导体层(15)大的氮化物半导体
  • 半导体装置
  • [发明专利]形成用于电机的部件的方法-CN201980053200.4在审
  • 柯克·尼特 - 博格华纳公司
  • 2019-08-09 - 2021-03-30 - H02K15/00
  • 一种形成用于电机的绕组的方法,该方法包括:形成具有大致相同的导线形式的多个导体,所述多个导体具有连结多个槽段的多个端匝;将所述多个导体的第一部分限定为第一导体;将所述多个导体的第二部分绕中央轴线旋转以与第一导体成镜像;将所述多个导体的第二部分限定为第二导体;将第一导体中选定的导体与第二导体中选定的导体组合以形成导体对;以及将多个导体对组合以形成多导体绕组。
  • 形成用于电机部件方法
  • [发明专利]导体装置-CN201810971991.6有效
  • 杉本雅裕;髙桥勲;四户孝;人罗俊实 - 株式会社FLOSFIA
  • 2018-08-24 - 2023-10-20 - H01L29/04
  • 本发明提供一种具有p型半导体层、n型半导体层和i型半导体层间的良好接合且半导体特性优异的半导体装置。技术方案为制造一种半导体装置,并将所获得的半导体装置用于功率器件等,所述半导体装置至少包括n型半导体层、i型半导体层及p型半导体层,其中n型半导体层包括第一半导体以作为主要成分,第一半导体为含有选自铝、铟和镓中的一种或两种以上的金属的氧化物半导体
  • 半导体装置
  • [发明专利]用于测量表面上的温度分布的装置和方法-CN201980011599.X在审
  • T·达梅罗 - 莱尼电缆有限公司
  • 2019-02-04 - 2020-10-30 - G01K3/06
  • 一种用于测量表面上的温度分布的装置具有分别被布置为相对于彼此平行的第一多个导体和分别被布置为相对于彼此平行的第二多个导体。该装置还具有与电压源导电地连接的连接导体、和评估单元。第一多个导体中的每个导体与第二多个导体中的每个导体交叉,并且第一多个导体中的每个导体与第二多个导体中的每个导体电绝缘。第一多个导体以及第二多个导体两者中的导体的第一导体端部分别与连接导体导电连接,并且第一多个导体以及第二多个导体两者中的导体的第二导体端部均与电压测量装置导电地连接,电压测量装置被布置和设计成分别确定跨各个导体两端的电压降评估单元被设计为,基于确定的跨各个导体两端的电压降来确定温度分布。
  • 用于测量表面上温度分布装置方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top