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- [发明专利]半导体装置-CN201410379777.3有效
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森塚宏平
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株式会社东芝
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2014-08-04
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2019-04-16
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H01L29/78
- 本发明提供一种导通损失较少、元件特性不易劣化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1导电型的第1半导体区域，设在第1电极与第2电极之间；第1导电型的第2半导体区域，设在第1半导体区域与第1电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第2导电型的第3半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第2导电型的第5半导体区域，设在第1半导体区域与第2电极之间；第1导电型的第4半导体区域，设在第3半导体区域与第2电极之间、以及第5半导体区域与第2电极之间，杂质浓度比第1半导体区域高；第3电极，经由第1绝缘膜接触在第1半导体区域、第3半导体区域及第4半导体区域上；第2绝缘膜，接触在第1半导体区域、第5半导体区域及第4半导体区域上。
- 半导体装置
- [发明专利]紧凑型导线及其绞合方法-CN200910197643.9有效
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徐国安
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上海汉威康桥电线电缆有限公司
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2009-10-23
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2010-04-21
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H01B7/00
- 本发明公开了一种紧凑型导线及其绞合方法，该导线包括若干根导体，导体从内到外分为三层，第一层导体位于导线中部，第二层导体围绕在第一层导体外围，第三层导体围绕在第二层导体外围，三层导体绞合在一起后外部挤包有绝缘层形成一根导线，且第一、第二层的导体半径相同；所述第三层导体包括第一导体和第二导体，第一、第二导体数量相同，第一导体半径大于第二导体半径，且第一、第二导体间隔排列。本发明的绞合方法主要通过导体半径与导线绞合外径之间的关系，各个导体截面面积之和与标称截面面积、实际截面面积之间的关系，确定第三层导体中第一、第二导体的半径。本发明能缩小导线绞合外径，节约敷设空间。
- 紧凑型导线及其方法
- [发明专利]半导体装置-CN201210461390.3有效
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小野昇太郎;泉沢优;大田浩史;山下浩明
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株式会社东芝
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2012-11-16
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2014-01-15
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H01L29/78
- 本发明提供一种提高可靠性的半导体装置。半导体装置具备：第1半导体区域；第2半导体区域；设置于第2半导体区域，在相对第1半导体区域和第2半导体区域的叠层方向大致正交的第1方向并排设置的多个第3半导体区域；设置在元件区域的多个第3半导体区域上的第4半导体区域；设置在第4半导体区域上的第5半导体区域；隔着第1绝缘膜与第2半导体区域、第4半导体区域及第5半导体区域相接的第1电极；与第4半导体区域及第5半导体区域电连接的第2电极；与第1半导体区域电连接的第3电极；在接合终端区域的多个第3半导体区域及第2半导体区域上并排设置在第1方向的多个第4电极；与第3电极电连接，设置在多个第4电极的至少1个上的第5电极。
- 半导体装置
- [实用新型]具有接触层的发光二极管-CN201720802428.7有效
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李熙燮;崔承奎;金材宪
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首尔伟傲世有限公司
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2017-07-04
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2018-03-09
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H01L33/14
- 本实用新型提供一种具有接触层的发光二极管，所述发光二极管包括下部n型半导体层；上部n型半导体层，布置于下部n型半导体层上部；p型半导体层，夹设于下部n型半导体层与上部n型半导体层之间；活性层，夹设于下部n型半导体层与p型半导体层之间；高浓度p型半导体层，夹设于p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比p型半导体层高的浓度掺杂；高浓度n型半导体层，夹设于高浓度p型半导体层与上部n型半导体层之间，并以比上部n型半导体层高的浓度掺杂；第一接触层，与下部n型半导体层接触；第二接触层，与上部n型半导体层接触，第一接触层和第二接触层包括与下部n型半导体层和上部n型半导体层接触的相同物质层。
- 具有接触发光二极管
- [实用新型]射频同轴直流隔离器-CN201621059946.6有效
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张飞;刘泽民
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常州易泽科通信科技有限公司
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2016-09-18
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2017-04-12
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H01P1/36
- 本实用新型公开了一种射频同轴直流隔离器，它包括主体部分和直流电流注入部分，所述主体部分包括外壳导体、绝缘子组和内导体组，所述直流电流注入部分包括注入外导体、注入绝缘子和注入内导体；其中，所述内导体组包括第一内导体和第二内导体，所述第一内导体和第二内导体插接在一起，并且第一内导体和第二内导体之间的插接部位上设置有隔离直流电容，所述第一内导体和第二内导体通过绝缘子组支承在外壳导体内；所述注入内导体通过注入绝缘子支承在注入外导体内，所述注入外导体和所述外壳导体电性连接；所述注入内导体和所述第一内导体电性连接。
- 射频同轴直流隔离器
- [实用新型]一种电阻片-CN201921689900.6有效
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林新强;顾亚
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深圳市禹龙通电子有限公司
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2019-09-30
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2020-04-07
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H01C1/08
- 电阻片包括绝缘基板；绝缘基板的正面设有第一导体层和第二导体层；绝缘基板的背面设有第三导体层、第四导体层和第五导体层；绝缘基板的一端面上间隔设有第六导体层和第七导体层；第一导体层与第三导体层通过第六导体层电性连接，第二导体层与第四导体层通过第七导体层电性连接；第三导体层上设有输入电极，第四导体层上设有输出电极，第五导体层上设有导热电极；绝缘基板的正面设有电阻层，电阻层位于第一导体层和第二导体层之间，且电阻层的两端分别与第一导体层和第二导体层电性连接
- 一种电阻
- [实用新型]一种母线管型导体的连接结构-CN202022773495.5有效
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梁立中;薛仲刚;解文
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济南富利通电气技术有限公司
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2020-11-26
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2022-01-11
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H01R4/60
- 本实用新型属于母线连接技术领域，尤其涉及一种母线管型导体的连接结构，包括第一导体和第二导体，所述第一导体的连接段能套接在第二导体的连接段内进行固定连接，且第一导体的连接段和第二导体的连接段上设置有能相互齿合的凸起和凹槽，第一、第二导体通过中间导体对接时，第一、第二导体连接段上分别设置有凸起或凹槽与第三中间导体所设置的凹槽和凸起相齿合。第一导体、第二导体并不限于单层管型导体，也可是多层管型导体套接。该连接结构通过在导体的连接段上设置能相互齿合的凸起和凹槽，且第一导体连接段各个面和第二导体连接段各个面相互套嵌，一方面，提高了两段导体之间的连接牢固度，另一方面，增加了导体之间的接触表面积。
- 一种母线导体连接结构
- [实用新型]微带天线-CN200620068902.X无效
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尚興科
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汉达精密电子(昆山)有限公司
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2006-01-23
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2007-01-31
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H01Q13/08
- 本实用新型提供一种微带天线，该微带天线由一印刷电路加以实现，该印刷电路包括有一介质基板，该介质基板包括正反两面，该介质基板反面为一接地导体片，该介质基板正面包括有一第一辐射导体片和一第二导体辐射片以及连接该二辐射导体片的导体连接片，该二辐射导体片相互平行，该导体连接片垂直于该二辐射导体片，该导体连接片中央有一穿透介质基板的通孔，该通孔内设有一连接导体连接片和接地导体片的载物导体，该载物导体位于介质基板正面方向上固定一第三辐射导体片，该第三辐射导体片所在平面和第一辐射导体片、第二辐射导体片所在平面平行且该第三辐射导体片在第一、二辐射导体片所在平面的投影与第一、二辐射导体片部分重合。
- 微带天线
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