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[发明专利]半导体样品的抛光方法-CN201811322962.3有效
发明人：刘慧 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体样品的抛光方法，所述方法包括：提供半导体样品和硅片；所述半导体样品内形成有孔结构；所述孔结构内填充有硬度大于预设值的金属材料；在所述半导体样品的表面固定所述硅片；利用绒布对所述半导体样品和所述硅片抛光，直到露出所述半导体样品的孔结构；所述硅片至少覆盖住被抛光掉的所述半导体样品。上述半导体样品的抛光方法，利用绒布抛光该半导体样品时，因半导体样品的表面固定有硅片，故能增大该半导体样品的受力时跟绒布的接触面积，在绒布抛光至该样品的孔结构时，孔结构底部被磨圆的情况可以得到改善，降低对孔结构宽度测量的影响
半导体样品抛光方法

[发明专利]一种角度分辨光学测试系统及角度分辨光学测试方法-CN202211632958.3有效
发明人：周梦凡 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种角度分辨光学测试系统及角度分辨光学测试方法，角度分辨光学测试系统包括样品承载模块、检测模块和翻转驱动模块。样品承载模块包括样品台，样品台用于承载半导体样品。检测模块用于收集半导体样品发出的光。翻转驱动模块包括翻转组件，翻转组件具有第二旋转轴线，翻转组件用于驱动样品台或检测模块绕第二旋转轴线旋转以改变检测模块收集半导体样品发出的光的角度。通过翻转驱动模块驱动样品台或检测模块翻转，进而改变半导体样品与检测模块之间的方向和位置，检测模块可以从不同角度收集半导体样品发出的光，实现角度分辨光学测试，不需要移动半导体样品，从而方便操作，避免了损坏半导体样品
一种角度分辨光学测试系统方法

[实用新型]一种带半导体制冷罩的石墨炉原子吸收仪进样盘-CN202023113519.0有效
发明人：曹柳燕;佘运勇 -专利权人：浙江省海洋生态环境监测中心
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G01N21/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带半导体制冷罩的石墨炉原子吸收仪进样盘，包括转动轴，套装在转动轴上的样品盘，样品盘上设有多个安装孔，安装孔上装有样品瓶，样品盘下方设有底托，转动轴穿过底托与样品盘固定连接，底托和样品瓶之间有间隙，样品盘上方设有放置在底托上的半导体制冷罩，半导体制冷罩和样品瓶之间有间隙，半导体制冷罩径向设有取样槽，其上还嵌设有半导体制冷模块。本实用新型样品盘底托可以防止样品溅洒，半导体制冷罩除防尘作用，还能利用半导体的热‑电效应起到制冷的效果，解决了空调送风制冷导致的气流扰动问题，减弱了样品溶液蒸发现象，使实验结果更加准确。
一种半导体制冷石墨原子吸收仪进样盘

[发明专利]APT样品台及APT样品制备方法-CN202210368856.9在审
发明人：王路广;章恒嘉 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01Q30/20 文献下载
摘要：本公开是关于一种用于测试半导体器件的APT样品台及APT样品制备方法，涉及半导体检测技术领域。该用于测试半导体器件的APT样品台，包括：样品支座，用于承载样品；样品载台，用于承载所述样品支座；其中，所述样品支座为金属支座，所述样品载台为硅衬底载台。本公开提高了样品台的导电性能。
apt 样品制备方法

[发明专利]一种检测电缆导体连接性能的系统及其方法-CN201711271094.6在审
发明人：邓显波;欧阳本红;王少华;刘松华;陈铮铮;李文杰;王昱力;李利红 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： G01R31/04 文献下载
摘要：本发明提供一种检测电缆导体连接性能的系统和方法，所述系统包括：对比导体，其通过连接单元与待测试样品的一端串联，用于比较其与待测试样品两端电压的大小，其中，所述待测试样品是包含压接的两根导体的一部分的连接管；电源单元，其通过连接单元与待测试样品和对比导体串联，形成测试回路，所述电源单元用于为测试回路提供低压直流电流；电压测量单元，其分别与待测试样品和对比导体串联，用于在所述测试回路中流过低压直流电流时，分别测量待测试样品和对比导体两端的电压；多个连接单元，其用于将待测试样品、对比导体和电源单元串联。所述系统通过同步检测待测试样品和对比导体两端的电压来判断电缆导体连接的可靠性。
一种检测电缆导体连接性能系统及其方法

[实用新型]一种检测电缆导体连接性能的装置-CN201721678011.0有效
发明人：邓显波;欧阳本红;王少华;刘松华;陈铮铮;李文杰;王昱力;李利红 -专利权人：中国电力科学研究院有限公司;国家电网公司;国网浙江省电力公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： G01R31/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种检测电缆导体连接性能的装置，所述装置包括：对比导体，其通过连接单元与待测试样品的一端串联，用于比较其与待测试样品两端电压的大小，其中，所述待测试样品是包含压接的两根导体的一部分的连接管；电源单元，其通过连接单元与待测试样品和对比导体串联，形成测试回路，所述电源单元用于为测试回路提供低压直流电流；电压测量单元，其分别与待测试样品和对比导体串联，用于在所述测试回路中流过低压直流电流时，分别测量待测试样品和对比导体两端的电压；多个连接单元，其用于将待测试样品、对比导体和电源单元串联。所述装置通过同步检测待测试样品和对比导体两端的电压来判断电缆导体连接的可靠性。
测试样品导体串联测试回路电缆导体电源单元连接单元低压直流电流导体两端连接性能种检测电压测量单元本实用新型两端电压同步检测连接管压接测量

[实用新型]一种用于半导体检测的样品承载装置和半导体检测设备-CN202223322334.X有效
发明人：周梦凡 -专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于半导体检测的样品承载装置和半导体检测设备，样品承载装置包括承载组件和探针组件。承载组件包括承载台，承载台用于承载待测试半导体样品。探针组件包括探针，探针组件设置在承载组件上，探针组件沿承载台的周向具有旋转状态和锁定状态，探针用于为待测试半导体样品供电。当探针组件处于锁定状态时，探针组件相对承载台位置不变，探针可以稳定的连接待测试半导体样品；当探针组件处于非锁定状态时，探针组件可以围绕承载台自由旋转，方便调整探针与待测试半导体样品之间的位置。不仅操作方便，而且避免频繁抬针、落针损坏探针和待测试半导体样品。
一种用于半导体检测样品承载装置设备

[发明专利]一种CICC导体性能测试系统-CN201610127807.0在审
发明人：吴向阳;房震;谭运飞;陈文革;陈治友;匡光力;刘章洋;高洋;蒋冬辉;邹贵弘;黄鹏程 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2016-03-07 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CICC导体性能测试系统，包括测试杜瓦、超导磁体、控制系统以及外部数据采集系统；所述CICC导体样品位于测试杜瓦底部的样品骨架上，上方通过低温超导接头连接超导变压器绕组，超导变压器绕组通过高温超导电流引线连接有外部励磁电源实现对CICC导体样品提供不同电流；超导磁体位于测试杜瓦外部对CICC导体样品施加垂直于导体方向的不同强度的背景磁场，外部数据采集系统对不同电流、不同磁场强度条件下CICC导体样品进行性能数据采集，并输给控制系统分析，从而完成的CICC导体样品性能测试。本发明所述CICC导体性能测试系统，可以实现大电流、强磁场、长尺寸导体样品的快速、简单方便的测试优点。
一种 cicc 导体性能测试系统

[发明专利]一种非接触式半导体电性故障分析法-CN202110748761.5在审
发明人：柳纪纶;陈荣钦;张仕欣;林荣君 -专利权人：汎铨科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01R31/265 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式半导体电性故障分析法，利用一包含探针、电流放大器、反馈控制器及计算机的扫描穿隧式显微镜以非接触方式半导体样品的表面方式进行电性故障分析，其特征在于扫描穿隧式显微镜的探针放置于相对于半导体样品表面的(+)Z轴方向，施加一偏压于扫描穿隧显微镜的探针与半导体样品之间以产生一穿隧电流后沿相对于半导体样品表面的X、Y轴方向进行扫描且同时侦测半导体样品的表面所量测到的穿隧电流，穿隧电流经放大后被送到计算机进行分析，便可获得半导体样品的表面的结构轮廓、判断半导体样品中的半导体组件的电性是否故障。
一种接触半导体故障分析

[发明专利]一种扫描电镜冷冻样品台-CN202011639710.0在审
发明人：廖洪钢;兰李根 -专利权人：厦门超新芯科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本发明公开了一种扫描电镜冷冻样品台，包括水冷台、半导体制冷片和样品载台，所述半导体制冷片设置于所述水冷台上，所述半导体制冷片的散热面和所述水冷台表面贴合；所述样品载台设置于所述半导体制冷片上，所述样品载台的底面和所述半导体制冷片的致冷面贴合本发明的扫描电镜冷冻样品台，利用半导体制冷片的制冷作用，通过合理的结构设计，使之小型化，使得所述冷冻样品台能被放置于扫描电镜下方，对样品提供直接冷冻，且能提供低于‑60℃的低温，以满足样品的低温要求及简化实验操作
一种扫描电镜冷冻样品

[实用新型]一种扫描电镜冷冻样品台-CN202023325319.1有效
发明人：廖洪钢;兰李根 -专利权人：厦门超新芯科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01N23/2251 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种扫描电镜冷冻样品台，包括水冷台、半导体制冷片和样品载台，所述半导体制冷片设置于所述水冷台上，所述半导体制冷片的散热面和所述水冷台表面贴合；所述样品载台设置于所述半导体制冷片上，所述样品载台的底面和所述半导体制冷片的致冷面贴合本实用新型的扫描电镜冷冻样品台，利用半导体制冷片的制冷作用，通过合理的结构设计，使之小型化，使得所述冷冻样品台能被放置于扫描电镜下方，对样品提供直接冷冻，且能提供低于‑60℃的低温，以满足样品的低温要求及简化实验操作
一种扫描电镜冷冻样品

[发明专利]具有副腔的蚀刻腔-CN200680006002.5有效
发明人：凯尔·S·勒布伊茨;爱德华·F·欣德 -专利权人：埃克提斯公司
申请日： 2006-02-22 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：在用于蚀刻半导体晶片或样品(101)的装置中，半导体晶片或样品被放置在置于第一腔室(103)内的样品支座(104)上。半导体晶片或样品与样品支座的结合体被封入第一腔室内的第二腔室(130)内。从第二腔室排出气体，并且将蚀刻气体引入第二腔室而不引入第一腔室，以蚀刻半导体晶片或样品。
具有蚀刻

[发明专利]一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法-CN201911076548.3有效
发明人：田亮;李玲;葛欢;朱辰;姜春艳;吴昊;吴军民;潘艳 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种透明半导体材料双面对准标记的制备方法，该制备方法包括如下步骤：根据用户输入的标记工艺参数在透明半导体材料样品正面确定激光入射位置；根据激光入射位置，在透明半导体材料样品内部形成激光标记；根据激光标记，在透明半导体材料样品的背面形成对准标记。本发明实施例提供的透明半导体材料双面对准标记的制备方法，通过在透明半导体材料内部形成激光标记，并根据激光标记在样品背面形成对准标记，因此，该制备方法无需在样品表面形成刻蚀标记，最大限度的保证了样品正面的完整性，不会导致样品中器件结构的破坏，避免了样品表面损伤对样品中器件分布的影响，提高了样品的性能和可靠性。
一种透明半导体材料双面对准标记制备方法

[发明专利]一种通过检测荧光强度和颜色变化的电压预警方法-CN202310758878.0在审
发明人：杨立学;刘星;李根;胡林娜;黄敏;李修;梁炯;王纪刚;王强 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过检测荧光强度和颜色变化的电压预警方法，将半导体样品设置在衬底上，并在所述半导体样品表面设置电极，将带有电极的半导体样品放置在配有光谱采集系统的激光器下；再将带有电极的半导体样品接入待检测电压系统；打开所述光谱采集系统和待检测电压系统，对电压变化时半导体样品的发光谱进行实时光谱采集；基于采集的光谱，通过荧光强度变化和半导体样品的颜色变化来判断待检测电压系统的电压是否在安全范围内工作。上述方法能通过荧光强度变化和半导体样品的颜色变化来判断电压系统的电压是否在安全范围内工作，检测过程方便、快捷且准确。
一种通过检测荧光强度颜色变化电压预警方法

[发明专利]一种半导体深能级缺陷检测装置及检测方法-CN202111237939.6在审
发明人：王岩;徐鹏飞;罗帅;季海铭 -专利权人：江苏华兴激光科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体深能级缺陷检测装置及检测方法，其不同之处在于：检测装置包括宽光谱光源、单色仪、电子开关、连续激光光源、光纤合束器、透镜、冷阱、电容测试仪和脉冲发生器；脉冲发生器用于给电子开关提供脉冲控制信号；宽光谱光源依次经过单色仪、电子开关、光纤合束器和透镜后聚焦至半导体样品表面，用于激发半导体样品产生光电容信号；连续激光光源依次经过光纤合束器和透镜后聚焦至半导体样品表面，用于使半导体样品的深能级缺陷电子态饱和；冷阱用于放置半导体样品及改变半导体样品的温度；电容测试仪用于测量半导体样品的电容信号。
一种半导体能级缺陷检测装置方法

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