专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种8芯圆形1394信号接触-CN202010166815.2在审
  • 曹乔乔;曹永泉;陈群强 - 上海航天科工电器研究院有限公司
  • 2020-03-11 - 2020-07-17 - H01R13/42
  • 一种8芯圆形1394信号接触,包括所述介质体合包括上压合导体固定、内导体、下压合以及十字屏蔽,所述内导体呈环形阵列插接于所述导体固定上,所述内导体的底部外部卡接有下压合,所述内导体的顶部外部卡接有所述上压合,所述导体固定的顶端伸入于所述上压合的内部,所述导体固定的底端外伸于所述下压合,所述导体固定的内部中心处插接有所述十字屏蔽;本发明通过在每个导体放置槽内设置第二隔板,能够分出8个内导体安装区域,实现8芯配置;导体固定采用阶梯状,当内导体装入到导体固定内时。
  • 一种圆形1394信号接触
  • [发明专利]一种低成本的馈电芯连接器-CN202110459260.5在审
  • 吴世均;寿祖刚;王海波 - 苏州瑞可达连接系统股份有限公司
  • 2021-04-27 - 2021-06-25 - H01R13/02
  • 本发明介绍了一种低成本的馈电芯连接器,其包括外导体、绝缘体和内导体;绝缘体设置在外导体内部,内导体设置在绝缘体中间;所述外导体采用冲压工艺,壁厚均匀;外导体内部设置有内凸点;外导体外部在与外导体内部的内凸点相对应的位置设置有凹点;外导体内部的内凸点使绝缘体与外导体过盈配合;内导体、绝缘体、外导体保持同轴心;内导体中间部位设置有连接,与绝缘体过盈配合;外导体中部两端设置有焊线引脚;内导体两端设置有焊线引脚,与外导体的焊线引脚等高。
  • 一种低成本馈电连接器
  • [发明专利]导体工艺处理装置-CN200510028563.2有效
  • 陈爱华;户高良二 - 中微半导体设备(上海)有限公司
  • 2005-08-05 - 2007-02-07 - H01L21/00
  • 一种半导体工艺处理装置,包括至少一个半导体工艺处理腔室,处理腔室内设置有多个半导体工艺处理平台,每一个半导体工艺处理平台处理一片半导体工艺,每一个半导体工艺处理平台可以分别旋转,半导体工艺处理装置还设有密封机构以在半导体工艺处理平台运动时保持半导体工艺处理腔室内部密封本发明的半导体工艺处理装置在对多个半导体工艺处理时,能具有独立的半导体工艺处理环境,以保证每片半导体工艺处理的均一性,并且能够灵活地对半导体工艺进行处理。
  • 半导体工艺处理装置
  • [发明专利]能过大电流的电插件-CN201710996707.6在审
  • 谭欣荣;万希 - 湖南格瑞普新能源有限公司
  • 2017-10-20 - 2018-01-23 - H01R13/502
  • 本发明涉及电池领域,公开了一种能过大电流的电插件,包括公插件的第一电极辅导体与第一电极主导体电连接,第一电极辅导体的阻抗大于第一电极主导体;母插件的第一电极辅导体与第一电极主导体电连接,且阻抗大于第一电极主导体;第一电极辅导体的末端长度长于第一电极主导体,并且,第一电极辅导体的末端长度长于第一电极主导体,从而使当公插件与母插件相嵌套插接时,第一电极辅导体与第一电极辅导体的接触先于第一电极主导体与第一电极主导体的接触
  • 过大电流插件
  • [实用新型]一种低成本的馈电芯连接器-CN202120883094.7有效
  • 吴世均;寿祖刚;王海波 - 苏州瑞可达连接系统股份有限公司
  • 2021-04-27 - 2021-11-12 - H01R13/02
  • 本实用新型介绍了一种低成本的馈电芯连接器,其包括外导体、绝缘体和内导体;绝缘体设置在外导体内部,内导体设置在绝缘体中间;外导体中部是一个圆环,圆环的两端设置有焊线引脚;外导体内部设置有内凸点;外导体外部在与外导体内部的内凸点相对应的位置设置有凹点;外导体内部的内凸点使绝缘体与外导体过盈配合;内导体、绝缘体、外导体保持同轴心;内导体中间部位设置有连接,与绝缘体过盈配合;内导体两端设置有焊线引脚,与外导体的焊线引脚等高。
  • 一种低成本馈电连接器
  • [发明专利]堆叠式封装结构-CN201110402818.2在审
  • 金容勋;李稀石;辛成浩;俞世浩;李允熙 - 三星电子株式会社
  • 2011-12-02 - 2012-06-06 - H01L23/552
  • 该堆叠式封装结构包括堆叠式封装以及围绕该堆叠式封装的侧表面和顶表面的电磁屏蔽层,所述堆叠式封装包括:下半导体封装;上半导体封装,设置在下半导体封装上,并与下半导体封装隔开预定距离;封装间连接部,将下半导体封装和上半导体封装电连接,同时支撑下半导体封装和上半导体封装之间的空间;绝缘层,至少设置在封装间连接部的外部,并填充下半导体封装和上半导体封装之间的空间。
  • 堆叠封装结构
  • [发明专利]一种高压射频同轴真空穿墙-CN202111649474.5在审
  • 霍丽华;施华;陈锦晖;王磊;王冠文;吴官健 - 中国科学院高能物理研究所
  • 2021-12-30 - 2022-03-22 - H02G15/18
  • 本发明公开了一种高压射频同轴真空穿墙,其特征在于,包括焊接组件、内导体、内导体转接零、绝缘、外壳体和螺纹环;其中焊接组件包括法兰、焊接导体和陶瓷;陶瓷的中心设有与焊接导体匹配的通孔,焊接导体的下端插入通孔与陶瓷密封固定;陶瓷与法兰密封连接固定;法兰与外壳体的上端接触,内导体、内导体转接位于绝缘和所述外壳体的中心,内导体的上端与焊接导体的下端连接,下端与内导体转接连接;内导体、内导体转接零与外壳体之间安装绝缘;螺纹环与外壳体的下端连接并压紧绝缘。本发明的穿墙能够满足高真空、耐高压、脉冲功率匹配传输中的低损耗,并且适用于辐射环境。
  • 一种高压射频同轴真空穿墙
  • [实用新型]一种高压射频同轴真空穿墙-CN202123389896.1有效
  • 霍丽华;施华;陈锦晖;王磊;王冠文;吴官健 - 中国科学院高能物理研究所
  • 2021-12-30 - 2022-08-02 - H02G15/18
  • 本实用新型公开了一种高压射频同轴真空穿墙,其特征在于,包括焊接组件、内导体、内导体转接零、绝缘、外壳体和螺纹环;其中焊接组件包括法兰、焊接导体和陶瓷;陶瓷的中心设有与焊接导体匹配的通孔,焊接导体的下端插入通孔与陶瓷密封固定;陶瓷与法兰密封连接固定;法兰与外壳体的上端接触,内导体、内导体转接位于绝缘和所述外壳体的中心,内导体的上端与焊接导体的下端连接,下端与内导体转接连接;内导体、内导体转接零与外壳体之间安装绝缘;螺纹环与外壳体的下端连接并压紧绝缘。本实用新型的穿墙能够满足高真空、耐高压、脉冲功率匹配传输中的低损耗,并且适用于辐射环境。
  • 一种高压射频同轴真空穿墙
  • [实用新型]电子设备-CN202120089297.9有效
  • 危永章 - OPPO广东移动通信有限公司
  • 2021-01-13 - 2021-08-10 - H01R13/02
  • 本申请公开了一种电子设备,所述电子设备包括主体、第一导体、第一固定、第二导体和第二固定,所述主体设有导体连接,所述导体连接设有第一固定孔和与所述第一固定孔相隔的第二固定孔,所述第一固定的一部分穿过所述第一导体,并与所述第一固定孔固定配合,以将所述第一导体固定于所述导体连接,并且使得所述第一导体与所述导体连接导通,所述第二固定的一部分穿过所述第二导体,并与所述第二固定孔固定配合,以将所述第二导体固定于所述导体连接,并且使得所述第二导体与所述导体连接导通。所述第一导体与所述第二导体经所述导体连接导通,从而使得第一导体与所述第二导体结构稳固且导通性能良好。
  • 电子设备
  • [实用新型]一种避雷针及底座-CN201922072116.7有效
  • 李军 - 北京雷威特电气设备有限公司
  • 2019-11-27 - 2020-05-29 - H02G13/00
  • 本实用新型公开了一种避雷针及底座,包括底座、下圆导体固定、上圆导体固定、底座连接、避雷针针体、保护盖、圆导体下固定槽、圆导体上固定槽、固定螺母、安装孔,所述底座上均布四个安装孔,所述底座上固定有下圆导体固定,所述下圆导体固定上连接有上圆导体固定,所述上圆导体固定中心位置设有底座连接,所述上圆导体固定固定设有底座连接,所述底座连接与圆导体上固定槽相垂直贯通,所述底座连接为管,且底座连接为空管结构,所述下圆导体固定上开有一个呈横向的圆导体下固定槽,所述圆导体下固定槽至少设有一个。
  • 一种避雷针底座

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