“宽禁带”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1988529个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种宽禁带功率半导体器件及制备方法-CN202011264915.5有效
发明人：申占伟;刘兴昉;闫果果;王雷;赵万顺;孙国胜;曾一平 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种宽禁带功率半导体器件及制备方法，包括：半导体基片，基片中形成p型掺杂层(40)、n+源区层(50)和p+基区层(60)，在一个元胞范围内p型掺杂层(40)左右分布不对称，n+源区层(50)本发明提供的宽禁带功率半导体器件在一个元胞内包括积累型沟道和反型沟道两种类型，具有很好的导通性能和栅氧化物可靠性。
一种宽禁带功率半导体器件制备方法

[发明专利]沟槽栅功率MOSFET及其制造方法-CN202210888034.3有效
发明人：张永熙;陈伟;黄海涛 -专利权人：上海瞻芯电子科技有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽栅功率MOSFET，包括：衬底，是具有第一导电类型的宽禁带半导体的衬底；外延层，在衬底上生长，且具有第一导电类型；体区，在外延层上形成，且具有第二导电类型；沟槽，在体区内刻蚀形成，沟槽的长度方向平行于晶圆的所有晶向中一个选定的晶向在晶圆表面的投影；第二导电类型柱，通过将第一离子沿宽禁带半导体材料的晶向注入沟槽的底部区域而形成，沟槽的底部区域位于沟槽下方且与沟槽底部相接，第二导电类型柱的纵向深度至少不小于位于沟槽的底部区域的外延层的厚度的50%；
沟槽功率 mosfet 及其制造方法

[实用新型]活性光解微晶-CN201921960308.5有效
发明人：杨璠;孙晓阳 -专利权人：孙晓阳
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C02F1/68 文献下载
摘要：本实用新型涉及微晶的技术领域，公开了活性光解微晶，包括微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层，微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层由内到外依次排列布置
活性光解

[实用新型]数字无桥控制电路控制系统-CN202223021204.2有效
发明人：文绍喜 -专利权人：深圳市永航新能源技术有限公司
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H02M1/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数字无桥控制电路控制系统，具体应用于基于宽禁带器件的图腾柱PFC的基本电路功率级结构，交流输入电路模块经同步整流Boost电路模块连接至直流输出电路模块，同步整流Boost电路模块设置PFC电感、第一开关管和第二开关管，驱动电路模块设置PWM信号输入单元；驱动电路模块根据交流输入电路模块输入的电压变化驱动控制第一开关管和第二开关管的工作状态；能够适应宽禁带半导体材料的电力电子器件的应用需求
数字控制电路控制系统

[实用新型]一种宽禁带半导体材料切割机-CN202320451191.8有效
发明人：刘路通 -专利权人：新启航半导体有限公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种宽禁带半导体材料切割机，包括设备主体，所述设备主体的底部设置有底座，所述底座的中间位置设置有第一固定杆，所述第一固定杆的上端设置有定位转轴，所述定位转轴的顶部一侧设置有切割组件，所述定位转轴的顶部另一侧设置有裂片组件本实用新型采用上述结构，达到在完成切割后通过转动定位转轴即可进行裂片，不需要再更换宽禁带的位置，操作简单更加方便，提高工作效率。
一种宽禁带半导体材料切割机

[发明专利]一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片-CN201910069030.0在审
发明人：黄兴;陈欣璐 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片。本发明通过在有源区和结终端区域引入统一的沟槽结构，使得芯片可以用同一套工艺实现两个区域的加工，大大降低产品加工成本。
沟槽结构二极管芯片宽禁带产品加工成本工艺实现结终端源区芯片引入加工统一

[发明专利]光伏材料及其制备方法和应用-CN201510083956.7有效
发明人：薛艳君;李晓光;顾光一;钟国华;武光芬;李朝辉;罗海林;杨春雷;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：使用该新型材料作为吸收层制作光伏器件时，既可以具有宽禁带半导体的高电压特性，也具有窄禁带材料的高电流特性，从而使得光伏器件具有更高转化效率。另外上述光伏材料不含铟和镓，降低了成本。
材料及其制备方法应用

[发明专利]光伏材料及其制备方法-CN201510083957.1有效
发明人：王婷婷;钟国华;薛艳君;顾光一;程亚;张倩;李晓光;罗海林;杨春雷;肖旭东 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：使用该新型材料作为吸收层制作光伏器件时，既可以具有宽禁带半导体的高电压特性，也具有窄禁带材料的高电流特性，从而使得光伏器件具有更高转化效率。
材料及其制备方法

[发明专利]一种多芯片瞬态电压抑制器及用于双信号线任意极瞬态电压或ESD放电抑制方法-CN201410287626.5有效
发明人：谢可勋;西里奥艾珀里亚科夫 -专利权人：浙江美晶科技有限公司;谢可勋
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明多芯片瞬态电压抑制器，包括两对电极性反向并联的宽禁带二极管及窄禁带二极管，以背靠背方式串联，经由键合引线及引线框架电连接在一起并封装在一封装体内；以及一种用于双信号线任意极瞬态电压或ESD放电抑制方法
一种芯片瞬态电压抑制器用于信号线任意 esd 放电抑制方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201110454266.X有效
发明人：朱虹;徐根保 -专利权人：朱虹;徐根保
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：较佳的电池应该为，其中III-V族化合物子电池可以是禁带宽度大于2eV的Al1-XGaXN材料(其中，X在0-1之间)。本发明还提供了一种该太阳能电池的制作方法。由于宽禁带的III-V族化合物材料置于顶层，位于入射光的初始位置，吸收波长短的蓝光和绿光，但并不吸收波长更长的红光与红外光；这样位于底部具有较窄禁带的硅材料则能更好地吸收红光与红外光。
太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构-CN201610915787.3在审
发明人：黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有以肖特基接触为主的阳极和以欧姆接触为主的阴极，其中至少有一P型区域被放置在阳极金属接触孔下氮化鎵外延层表面上周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，肖特基金属极(即阳极)内有一部分金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型区域的接触为欧姆接触，这接触能有效地接走在击穿时所产生的电子空穴对中的空穴而使得器件可以安全地被使用。
一种氮化鎵基异质结耐击穿肖特基二极管结构

[发明专利]一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构-CN201610907440.4在审
发明人：黄升晖 -专利权人：南京励盛半导体科技有限公司
申请日： 2016-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构，包括以下特征宽禁带材料(如势垒层AlGaN)与禁带较窄的材料GaN形成I型异质结，外延层表面有源极，栅极和漏极，其中至少有一P型区域被放置在源区内周围附近，这P型区域从半导体外延层表面延续至氮化鎵表面之下，深度大于0.1微米，这P型区域表面上至少有一部分是有一层禁带宽少于1.5电子伏的P型半导体层，源极金属与这禁带宽少于1.5电子伏P型层的接触部分为金属
一种氮化鎵基异质结耐击穿场效应晶体管结构

[实用新型]一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片-CN201920122961.8有效
发明人：黄兴;陈欣璐 -专利权人：派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带有沟槽结构的高压宽禁带二极管芯片。本实用新型通过在有源区和结终端区域引入统一的沟槽结构，使得芯片可以用同一套工艺实现两个区域的加工，大大降低产品加工成本。
沟槽结构本实用新型二极管芯片宽禁带产品加工成本工艺实现结终端源区芯片引入加工统一

[发明专利]一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法-CN202310141543.4在审
发明人：蔡武;康建;杨天鹏;陈向东 -专利权人：圆融光电科技股份有限公司;马鞍山杰生半导体有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开一种具有电压调控层的半导体发光元件及其制备方法，涉及半导体光电器件技术；该元件包括：衬底以及在衬底上由下至上依次生长而成的第一半导体、电压调控层、有源区过渡层、多量子阱、电子阻挡层和第二半导体；电压调控层包括由下至上依次生长的第一禁带层、第二禁带层和第三禁带层；第三禁带层的参数大于或等于第一禁带层的参数；第一禁带层的参数大于或等于第二禁带层的参数；第二禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第二设定范围；第三禁带层的硅元素掺杂浓度的范围为第三设定范围；第三设定范围处于第二设定范围内；第一禁带层的硅元素掺杂浓度大于或等于第二禁带层的元素掺杂浓度；本发明在不影响光电性能情况下可控的调节工作电压。
一种具有电压调控半导体发光元件及其制备方法

[发明专利]一种自动筛选车辆的方法、系统及装置-CN202010950739.4在审
发明人：贾宝华;陈新建 -专利权人：江苏小白兔智造科技有限公司
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： G08G1/14 文献下载
摘要：所述方法包括：从正面、侧面或后面的多个角度扫描车辆；计算车辆的车长和车宽；分别判断车辆的车长或车宽是否超过预设的极限车长或极限车宽，若均为否，则抬起车辆禁行杆，若有至少一个是，则发出车辆无法在该停车场停车的提示消息，并保持车辆禁行杆为降下状态。在停车场入口处就对车辆的车长、车宽、车高或重量禁行检测，判断其是否能够在该停车场停车，不需要车辆进入停车场，超出限制的车辆就可以重新寻找停车场，节省时间；针对超出限制的车辆，设置了常规停车场，供其停车；
一种自动筛选车辆方法系统装置