专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]针对NAND闪存的灵活接口-CN201610664256.1在审
  • 何津津;徐伟;Y-T·吴;K-M·姜;于雪婷;赵冬琬;R·玛希雅;陈杰;M·卡鲁里;傅清华 - 马维尔国际贸易有限公司
  • 2016-08-12 - 2017-03-01 - G06F3/06
  • 一种针对一个或多个存储通道存储通道命令接口对于每个存储通道包括,针对存储命令的可编程存储装置;单个通道处理,其用于运行执行存储命令;以及任务引擎,其用于将单个通道处理的输出通信到存储介质存储命令可以被组织成包括包含任务的操作的作业。任务可以作为操作的部分被存储为在操作存储中,或者可以被存储在任务存储中,其中指向任务的指针作为操作的部分被存储在操作存储中。存储通道命令接口还可以包括存储介质状态存储存储介质状态存储装置存储针对存储命令的优先级指示,优先级指示基于除了存储命令的到达或接受的顺序之外的条件,并且单个通道处理基于优先级指示来控制存储命令的运行执行的顺序
  • 针对nand闪存灵活接口
  • [发明专利]用于在存储系统组件之间重新路由信号的系统及方法-CN200780010105.3无效
  • 迈克尔·埃德曼 - 美光科技公司
  • 2007-02-22 - 2009-04-08 - G06F12/00
  • 本发明揭示用于计算机系统中的多个存储模块,所述存储模块中的每一者均包含连接到多个存储装置的存储集线器。所述存储模块以串联方式彼此连接,以使得信号通过任何中间存储模块被耦合在所述存储模块与所述存储集线器控制之间。所述信号通过高速位通道被耦合到所述存储模块及从所述存储模块中耦合出。如果连接到所述存储集线器中的任一者的位通道不工作,则所述存储集线器会把将通过所述不工作的位通道耦合的信号重新路由到相邻位通道。当所述信号到达其中所述位通道不再不工作的存储集线器时,所述存储集线器将所述信号路由回原始的位通道。以此方式,可使用信号额外位通道适应多个位通道失效。
  • 用于存储器系统组件之间重新路由信号方法
  • [发明专利]提高网络芯片报文存储效率的方法、设备及存储介质-CN201911064428.1有效
  • 徐子轩;夏杰;常志恒 - 苏州盛科通信股份有限公司
  • 2019-11-04 - 2022-02-15 - G06F12/06
  • 本发明提供一种提高网络芯片报文存储效率的方法、设备及存储介质,所述方法包括:配置数据存储,将其切分为N块小的RAM,并采用链表的方式对每块RAM进行管理;当任一输入接口接收到写数据请求,解析并获取输入接口对应的通道编号,根据通道编号访问通道写状态存储获取通道写状态信息,若根据通道写状态信息确认至少一个RAM为空,则将数据写入数据存储,并在数据写入后更新通道写状态存储、链表控制存储、链表信息存储和地址控制存储;当任一通道接收到读出调度请求时,根据链表存储存储信息重组数据进行读出,并更新通道写状态存储、链表控制存储、链表信息存储和地址控制存储;本发明提高数据存储存储效率。
  • 提高网络芯片报文存储效率方法设备介质
  • [发明专利]存储控制以及具有存储控制存储装置-CN202110184103.8在审
  • 朴秀镇 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-02-10 - 2021-10-22 - G06F3/06
  • 一种存储装置,包括第一存储装置和第二存储装置,以及存储控制。第一存储装置对应于主数据区域。第二存储装置对应于预留区域。存储控制通过第一通道和第二通道联接到第一存储装置和第二存储装置。通过第一通道联接到存储控制的第一存储装置的数量等于通过第二通道联接到存储控制的第一存储装置的数量,并且通过第一通道联接到存储取控制的第二存储装置的数量不同于通过第二通道联接到存储控制的第二存储装置的数量存储控制基于第一存储装置和第二存储装置的存储状态来选择待执行写入操作的存储装置。
  • 存储器控制器以及具有存储装置
  • [发明专利]存储装置及其制造方法、操作方法-CN202110312383.6在审
  • 陈威臣;吕函庭 - 旺宏电子股份有限公司
  • 2021-03-24 - 2022-09-20 - H01L27/11521
  • 本发明公开了一种存储装置及其制造方法、操作方法。其中,该存储装置包括叠层以及存储串列。存储串列分别沿着第一方向穿过叠层,包括相邻的第一存储串列及第二存储串列。第一存储串列及第二存储串列包括导电柱、通道结构以及存储结构。导电柱包括第一导电柱、第二导电柱及第三导电柱,第一存储串列及第二存储串列共享第二导电柱。通道结构包括分别沿着第一方向延伸的第一通道层、第二通道层、第三通道层及第四通道层。第一通道层及第二通道层对应于第一存储串列且间彼此分开。第三通道层及第四通道层对应于第二存储串列且彼此分开。存储结构设置于叠层与通道结构之间。
  • 存储器装置及其制造方法操作方法

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