专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]存储系统-CN202010156015.2在审
  • 井川原俊一;小岛庆久;天木健彦;西川卓 - 铠侠股份有限公司
  • 2020-03-09 - 2020-12-04 - G11C16/06
  • 实施方式提供一种存储系统,降低伴随存储控制与非易失性存储之间数据发送的功耗。涉及实施方式的存储系统具备非易失性存储。还具备将第2数据发送到非易失性存储的控制,该控制器具有将第1数据编码成第2数据的第1切换编码,第1数据具有第1比特长和第1切换次数,第2数据具有长于第1比特长的第2比特长和第1切换次数以下的第2切换次数
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201910738964.9在审
  • 小泉慎哉;渡边幸治 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-08-12 - 2020-07-28 - G06F13/16
  • 实施方式提供一种能够抑制处理能力降低的存储系统。实施方式的存储系统具备第1存储芯片及连接着第1存储芯片的控制。控制包含:第1电路,发行指令;第2电路,基于从第1电路接收的指令对第1存储芯片进行控制;及第3电路,管理第1差量电力消耗值,该第1差量电力消耗值为第1电力消耗值与第2电力消耗值的差,该第1电力消耗值为与执行第1动作时第1存储芯片所消耗的第1电力相关,该第2电力消耗值为与于中断第1动作的情况下第1存储芯片所消耗的第2电力相关,并基于第1差量电力消耗值,判定是否能够使第1存储芯片中断第1动作而使第1存储芯片执行第
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201810021540.6有效
  • 菅野伸一 - 铠侠股份有限公司
  • 2018-01-10 - 2023-05-16 - G06F12/02
  • 本发明实现能够经由其他区域的逻辑地址来利用某区域所保存的数据的存储系统。实施方式的存储系统将与非易失性存储的第1区域对应的第1逻辑物理地址变换表的内容复制到与非易失性存储的第2区域对应的第2逻辑物理地址变换表。存储系统根据指定第2区域的逻辑地址的读取请求,基于第2逻辑物理地址变换表,将第1数据的一部分从第1区域读出并返回给主机计算机。存储系统从分配给第1区域的所述非易失性存储的第1区块群中检测满足刷新条件的区块,对所检测出的区块内的数据的错误进行纠正,将错误已被纠正的数据回写到与所述检测出的区块相同的区块。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN200980000142.5有效
  • 长富靖;高岛大三郎;初田幸辅 - 株式会社东芝
  • 2009-03-03 - 2010-03-24 - G06F12/02
  • 公开了一种存储系统(10),其包含:具有多个存储基元的闪速EEPROM非易失性存储(11),所述存储基元具有浮栅极且数据项可在其中电擦除以及写入;缓冲存储(13),其临时存储闪速EERPOM非易失性存储(11)的数据;控制电路(12,14),其控制闪速EEPROM非易失性存储(11)和缓冲存储(13);接口电路(16),其与主机通信,其中,控制电路用于从闪速EEPROM非易失性存储的将被确定的希望目标区域读取数据
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN202110801110.8在审
  • 刘馨硕 - 爱思开海力士有限公司
  • 2021-07-15 - 2022-05-27 - G11C16/14
  • 本公开涉及一种存储系统。该存储系统可以包括:存储装置,包括存储块和外围电路;以及存储控制,被配置为向该存储装置传输基于单层单元方案的编程命令,以便在对该存储块已执行擦除操作之后增加该存储块中包括的选择晶体管的阈值电压,并且被配置为向该存储装置传输读取命令以执行检查操作,其中该检查操作使用第一读取电压和高于该第一读取电压的第二读取电压,并且该检查操作包括检查阈值电压是否落在第一读取电压和第二读取电压之间的范围内,或者检查阈值电压是低于第一读取电压还是高于第二读取电压
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201510608406.2有效
  • 白川政信;热海刚;辻秀贵;神谷智之;山本英明;黑泽泰彦 - 东芝存储器株式会社
  • 2015-09-22 - 2019-11-05 - G11C16/08
  • 本发明涉及一种存储系统。根据一个实施例,所述存储系统包括非易失性半导体存储存储控制。所述存储控制器具有第一信号生成部分、第二信号生成部分以及第一接口部分,所述第一信号生成部分生成与用于所述非易失性半导体存储的读取操作的读取电压相关的第一信号,所述第二信号生成部分生成指定用于纠正所述读取电压的温度的温度系数的第二信号所述非易失性半导体存储具有字线、包括连接到所述字线的存储基元的存储基元阵列以及第二接口部分,所述第二接口部分接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201610411040.4有效
  • 李宗珉 - 爱思开海力士有限公司
  • 2016-06-13 - 2020-04-03 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种用于处理存储装置中的数据的存储系统及其操作方法。存储系统可以包括:存储装置,其包括各包括多个页面的一个或多个封闭的存储块;和控制,其适于:在至少两个不同的时间点产生用于每个封闭的存储块的有效页面计数(VPC);在至少两个不同的时间点之间产生用于每个封闭的存储块的VPC偏移;根据所产生的VPC偏移在封闭的存储块中选择源存储块;以及对所选择的源存储块执行垃圾收集操作。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN202010463710.3有效
  • 孙文堂 - 力旺电子股份有限公司
  • 2020-05-27 - 2023-03-28 - G11C11/40
  • 本发明公开了一种存储系统存储系统包括非挥发性存储区块、随机比特区块及感测放大器。非挥发性存储区块包括多个非挥发性存储单元。每一非挥发性存储单元包括第一储存晶体管。感测放大器在非挥发性存储单元的读取操作中,感测放大器感测所述非挥发性存储单元的第一读取电流,及在随机比特单元的读取操作中,感测所述随机比特单元的第二读取电流。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201910729681.8在审
  • 神户友树 - 东芝存储器株式会社
  • 2019-08-08 - 2020-07-31 - G06F21/79
  • 本发明提供一种能够强化对于向存储设备的访问的安全的存储系统。根据实施方式,存储系统具备非易失性存储以及与上述非易失性存储电连接的控制。上述控制从第1主机受理认证请求命令,在使用上述认证请求命令中包含的认证信息的上述第1主机的认证成功的情况下,向上述第1主机发送第1认证符。上述控制构成为,在从第2主机受理了用来向上述非易失性存储访问的访问命令的情况下,如果上述访问命令中包含的第2认证符与上述第1认证符一致,则许可向与上述访问命令对应的上述非易失性存储的访问,如果上述第2认证符与上述第1认证符不一致,则禁止向与上述访问命令对应的上述非易失性存储的访问。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN202210120634.5在审
  • 佐藤贵彦 - 华邦电子股份有限公司
  • 2022-02-09 - 2023-08-18 - G06F11/07
  • 本发明公开了一种存储系统存储系统包括存储控制及半导体存储装置。存储控制将指令及地址,以及第一检查数据传送到半导体存储装置;半导体存储装置接收显示没有检测到错误的第一回应信息时,与半导体存储装置之间传送或接收读取或写入的数据。半导体存储装置接收指令及地址,以及第一检查数据时,利用第一检查数据进行指令及地址的错误检测,在没有检测到错误时传送第一回应信息;在指令及地址没有检测到错误时,与存储控制之间传送或接收读取或写入的数据本发明可以对半导体存储装置适当地存取。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN202010905654.4有效
  • 金到训 - 爱思开海力士有限公司
  • 2020-09-01 - 2023-08-11 - G06F3/06
  • 本公开涉及一种存储系统。该存储系统包括:存储装置,包括多个段;处理,被配置成针对与多个段之中的目标段对应的目标段地址生成读取‑修改‑写入(RMW)命令;调度,被配置成从处理接收RMW命令并调度RMW命令;以及RMW单元,被配置成根据调度的控制对存储装置执行RMW命令,其中当从处理接收到的多个RMW命令未决时,调度比较多个RMW命令的目标段地址以对多个RMW命令进行重新排序。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201910847002.7有效
  • 芳贺琢哉;渡边秀一 - 铠侠股份有限公司
  • 2019-09-09 - 2023-08-22 - G06F3/06
  • 实施方式使存储系统的动作高速化。实施方式的存储系统包括半导体存储装置和存储控制存储控制器具有命令缓冲和描述符缓冲存储控制将从外部接收到的第一命令存储在命令缓冲中,根据所存储的第一命令从主机设备获取第一描述符,将所获取的第一描述符存储在描述符缓冲中,将从外部接收到的第二命令存储在命令缓冲中,将未使用的第一描述符的一部分从描述符缓冲中废弃,根据所存储的第二命令从主机设备获取第二描述符,在存储有所废弃的第一描述符的一部分的地址存储所获取的第二描述符。
  • 存储器系统
  • [发明专利]存储系统-CN201910604144.0有效
  • 崔海起 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-07-05 - 2023-08-01 - G06F3/06
  • 本发明涉及一种存储系统,该存储系统可包括:非易失性存储装置;易失性存储,临时存储写入数据;以及控制,适于:当输入正常写入数据时,在易失性存储中分配正常写入缓冲;当输入被分组到第一事务中的第一写入数据和与第一事务的总大小有关的第一总大小信息时,在易失性存储中分配第一写入缓冲;当输入被分组到第二事务中的第二写入数据和与第二事务的总大小有关的第二总大小信息时,在易失性存储中分配第二写入缓冲;对第一和第二写入缓冲的大小进行管理以分别响应于第一和第二总大小信息来改变第一和第二写入缓冲的大小,并且对正常写入缓冲的大小进行管理以将正常写入缓冲的大小固定为设定大小。
  • 存储器系统

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