“大规模集成电路 ”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2053891个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]大规模集成电路物理实现的分布式并行计算方法及其系统-CN201410321672.2在审
发明人：陈刚;李小南 -专利权人：领佰思自动化科技（上海）有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： G06F9/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种大规模集成电路物理实现的分布式并行计算方法及其系统，该方法是在主机上将不同阶段的物理设计问题划分成各个子问题，不同阶段将应用不同的划分方法，然后主机通过网络通信的方式将各个子问题发送到各个分布的服务机上计算本发明能够快速有效的处理超大规模的集成电路的物理设计问题，可以极大提高集成电路的物理设计效率，以实现比单一计算机上的多线程计算更加快速有效的大规模集成电路物理设计。
大规模集成电路物理实现分布式并行计算方法及其系统

[发明专利]集成电路频率响应频率点提取与响应曲线计算方法及装置-CN202010587561.1有效
发明人：唐章宏;邹军;王芬;汲亚飞;黄承清 -专利权人：北京智芯仿真科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请实施例公开了集成电路频率响应频率点提取与响应曲线计算方法及装置。该方法包括根据超大规模集成电路频域仿真的频率响应的计算需求，在预设频段范围内计算集成电路的谐振频率点及其频率响应，基于谐振频率点将预设频段划分为多个子频段，根据每个子频段的切比雪夫多项式零点获取非均匀频率点，进而计算该非均匀频率点的频率响应，通过插值获得预设频段范围内集成电路的频率响应曲线。本申请可实现提取出满足计算精度要求的数量较少的非均匀频率点，且快速计算出集成电路频域仿真在预设频段内满足精度要求的频率响应曲线，避免难以检测出设计的超大规模集成电路的潜在性能问题。
集成电路频率响应频率提取响应曲线计算方法装置

[实用新型]袖珍式高分辨率频率测量仪-CN91210519.4无效
发明人：王建浩 -专利权人：沈阳冶炼厂
申请日： 1991-04-30 - 公布日： 1991-12-04 - 主分类号： G01R23/02 文献下载
摘要：一种袖珍式高分辨率频率测量仪，主要由电源适配器和充电及稳压电路组成的供电系统，以大规模集成电路计数芯片为核心，含有阻抗变换及放大整形电路量程变换电路和数字显示器的测量电路构成。由于采用大规模集成电路，该频率测量仪具有功能较多，分辨率高，测频范围宽，功耗低，体积小，性能稳定可靠和可使用镍镉电池组或四节R6型干电池供电的特点，尤其适宜在野外作业或取电源不便的现场作业时使用。
袖珍高分辨率频率测量仪

[发明专利]一种智能化多维多功能传感及信息处理集成电路-CN202010181514.7有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种智能化多维多功能传感及信息处理集成电路。包括：衬底、过渡层和超晶格超大规模集成电路层；其中，所述衬底由硅，化合物半导体，氮化镓、砷化镓或碳化硅中一种或多种组成；在所述衬底的顶部设有由二氧化硅、碳化硅、化合物半导体中一种或多种组成的过渡层；在所述过渡层顶部和侧面形成有基于二维电子气、二维空穴气和量子阱电路创建的超晶格超大规模集成电路层，本发明的优点在本发明具有多功能、高性能、高可靠性、设计灵活性、工艺简化，生产周期短，成本合理等优点。
一种智能化多维多功能传感信息处理集成电路

[其他]有自测试能力的超大规模集成电路-CN85108326无效
发明人：科克·D·胡;罗伯特·W·布卢默;西奥·J·鲍威尔;萨蒂西·M·撒特 -专利权人：得克萨斯仪器公司
申请日： 1985-11-11 - 公布日： 1986-12-03 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：一种自测试超大规模集成电路包括完成超大规模集成电路器件基本功能的功能块。具有内部图形发生器以便在测试控制器的控制下产生预定的图形。测试控制器响应通过接口电路从外部控制总线接收的外部信号执行预定测试程序。功能块的输出被输入到识别电路将其输出与预定的测试标准相比较。测试控制器测出识别电路的输出且如果在被处理的测试图形数据及预定的测试标准之间未能进行有效比较，则在测试程序末尾产生故障信号。
测试能力超大规模集成电路

[发明专利]一种减小版图文件大小的方法-CN201010613039.2有效
发明人：张波;任杰;郑勇军;马铁中 -专利权人：杭州广立微电子有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小版图文件大小的方法，基于对大规模版图文件中的相同多边形的筛选和匹配，提出了一种用参考单元的引用替换版图中存在的多个相同多边形，以减少版图文件所需存储的坐标数目，从而减小超大规模集成电路设计版图文件大小的方法，该方法能够极大地减少版图文件占有的存储资源以及版图设计工具在读入版图文件时占有的计算机内存，提高计算机运行速度和版图设计工具的使用效率，特别适合用于超大规模集成电路设计中。
一种减小版图文件大小方法

[发明专利]一种大规模集成电路芯片用封装材料的制备方法-CN201810515299.2在审
发明人：罗厚秀 -专利权人：合肥奇呗数字科技有限公司
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C08L83/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种大规模集成电路芯片用封装材料的制备方法，包括以下步骤：步骤一，称取以下对应重量百分比原料备用：苯基乙烯基硅树脂34‑40份、苯丙乳液26‑30份、防腐增强剂14‑22份、补强剂3‑5份、本发明的一种大规模集成电路芯片用封装材料的制备方法，该材料在酸碱、潮湿环境下，性能依旧优异，具有很好的耐酸碱性。
大规模集成电路芯片封装材料制备苯基乙烯基防腐增强剂交联促进剂重量百分比苯丙乳液潮湿环境耐酸碱性天然纤维玻璃粉补强剂硅树脂交联剂陶瓷粉称取酸碱备用

[发明专利]一种含硫单体、其制备方法及应用-CN201911418447.X有效
发明人：梁万根;张超;费潇瑶;崔卫华;张宁 -专利权人：山东益丰生化环保股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C07C327/22 文献下载
摘要：本发明提供的含硫单体可以用于制造超大规模集成电路芯片所使用的以193nm深紫外光为曝光光源的光刻胶成膜树脂，制得的光刻胶成膜树脂透光性能和抗刻蚀性能均较好，分辨率和折光率均较高，适用于干法曝光和浸没曝光工艺，满足制造大规模集成电路芯片的严格要求。
一种单体制备方法应用

[发明专利]大规模集成电路用高纯度钛粉的制备方法-CN201110396711.1无效
发明人：林发祥;郭蔚;郭建平;薛丹斌 -专利权人：常州六九新材料科技有限公司
申请日： 2011-12-03 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： B22F9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种大规模集成电路用高纯度钛粉的制备方法，包括高纯度钛原料准备和处理、在真空条件下加氢生成氢化钛、真空球磨、真空脱氢、真空分级包装步骤。其中，真空氢化400℃-550℃，真空脱氢的温度只有350℃-450℃，能耗量低，所得钛粉纯度高，粒径小，有害杂质元素含低，完全符合大规模集成电路的生产要求。
大规模集成电路纯度制备方法

[发明专利]一种指纹识别系统芯片及其实现方法-CN200710064641.3无效
发明人：薛云波 -专利权人：成都方程式电子有限公司
申请日： 2007-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种指纹识别系统芯片的超大规模集成电路的实现方式。包括：可编程指纹传感器接口、图像拼接处理模块、指纹图像增强处理模块、指纹图像分割处理模块、指纹图像细化模块、特征点提取模块。本发明对多种类型的传感器具有可编程接口，适应不同的传感器产品，由于采用超大规模集成电路的实现方式，本发明相对于传统的软件方式的指纹识别方法具有速度快、识别率高、可靠性高、成本低的优点。
一种指纹识别系统芯片及其实现方法

[发明专利]多进程自适应分配的多层超大规模集成电路场路耦合方法-CN202010515413.9在审
发明人：唐章宏;邹军;王芬;黄承清;汲亚飞 -专利权人：北京智芯仿真科技有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本申请公开了多进程自适应分配的超大规模集成电路场路耦合方法，通过将三维问题简化为二维问题，采用超节点技术，完美实现了多层超大规模集成电路直流场分析的场路耦合的快速、准确的计算目标，可以准确、完整地对多层集成电路直流电场进行场路耦合，提高多层集成电路、芯片封装直流电场计算速度。
进程自适应分配多层超大规模集成电路耦合方法

[发明专利]一种基于抽象语法树的集成电路建模获取方法及系统-CN202110300020.0有效
发明人：李肯立;张金丽;肖正;陈岑;刘楚波;段明星;唐卓;廖清;肖国庆 -专利权人：湖南大学
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G06F30/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于抽象语法树的集成电路建模获取方法及系统，属于集成电路设计技术领域。包括：获取大规模集成电路的Verilog HDL源代码工程文件，并提取出具有相互依赖关系的.v文件；将.v文件解析为抽象语法树，并将抽象语法树导出为.json文件；遍历符合标准json格式的文件，以获取数据信息由于抽象语法树不依赖于具体的文法，不依赖于语言的细节，将源代码转化为抽象语法树后，可以对抽象语法树做很多的操作，进而可以提高超大规模集成电路建模设计的灵活性及效率。
一种基于抽象语法集成电路建模获取方法系统

[发明专利]抗蚀剂剥离剂组合物-CN01823277.9有效
发明人：白志钦;吴昌一;柳终顺 -专利权人：东进瑟弥侃株式会社
申请日： 2001-05-21 - 公布日： 2004-08-11 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路制造工艺中，用于除去抗蚀剂的抗蚀剂剥离剂组合物。
抗蚀剂剥离组合

[发明专利]半导体大规模集成电路及半导体大规模集成电路制造方法-CN200610059431.0无效
发明人：松泽一也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体大规模集成电路及半导体大规模集成电路制造方法。根据不分明，可以在小面积中形成基本逻辑门，并提供高度集成的微观结构。
半导体大规模集成电路制造方法

[发明专利]超晶格超大规模集成电路-CN201910372092.9有效
发明人：林和 -专利权人：林和
申请日： 2019-05-06 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种超晶格超大规模集成电路，包括：衬底；过渡层，设置在所述衬底上方；元器件层，设置在所述过渡层上方，元器件层为利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路在过渡层上方利用基于超晶格集成电路二维电子气与二维空穴气的特殊性能设计的器件来构建超晶格集成电路，设计成超晶格超大规模集成电路(MDMFSL‑ULSI:Multi‑Dimension Multi‑FunctionalScale Integrated Circuit)是以二维电子气与二维空穴气超晶格与量子井为基础并具有超高速高可靠抗辐射抗高低温等特征，而且设计效率高，制造工艺周期短，成本低，将极大地改进以上传统硅与化合物集成电路的不足之处
晶格超大规模集成电路