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[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法-CN201610424755.3有效
发明人：钱文生 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-06-16 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅电阻，由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于本发明还公开了一种多晶硅电阻的制作方法。本发明能降低多晶硅电阻的温度系数，满足低温度系数的多晶硅电阻的应用要求。
多晶电阻及其制作方法

[发明专利]金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法-CN201210415064.9有效
发明人：陈瑜;赵阶喜;罗啸 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法，包括步骤：生长多晶硅层；进行全面的第一次离子注入，使多晶硅层的电阻值为后续形成的多晶硅电阻的电阻值；采用第二次离子注入工艺对栅极多晶硅的形成区域的多晶硅层进行掺杂；在多晶硅层表面形成层氧化层；采用光刻刻蚀工艺将多晶硅电阻的形成区域外的所述氧化层去除；生长金属硅化钨；采用光刻工艺用光刻胶同时定义出栅极和多晶硅电阻的接触端的形成区域；以光刻胶为掩模依次对金属硅化钨和多晶硅层进行刻蚀同时形成栅极、多晶硅电阻和接触端；形成金属接触孔。本发明能降低多晶硅电阻的接触孔电阻、提高多晶硅电阻的面内均匀性以及提高多晶硅电阻精度。
金属硅栅极工艺多晶电阻制造方法

[发明专利]多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法-CN202111531964.5在审
发明人：魏丹清;杨帆 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明提供多晶硅电阻器件及其制作方法、光子检测器件及其制作方法。多晶硅电阻器件的制作方法中，包括：对多晶硅材料层进行中性粒子掺杂；对中性粒子掺杂后的多晶硅材料层进行载流子掺杂；图形化多晶硅材料层，形成多晶硅电阻。工艺简单易操作；中性粒子的引入不会降低多晶硅电阻的阻值，而且通过中性粒子掺杂，多晶硅电阻中原本较大的晶粒被打散，形成更多的晶界，增加对载流子的捕获能力，提高了多晶硅电阻的热稳定性。本发明光子检测器件包括SPAD和多晶硅电阻，多晶硅电阻掺杂有中性粒子和载流子，多晶硅电阻确保高阻同时，提高了温度稳定性，在高温时多晶硅电阻阻值稳定，可以起到预定分压作用，从而达到淬灭的效果。
多晶电阻器件及其制作方法光子检测

[发明专利]多晶硅电阻的形成方法-CN201310338253.5在审
发明人：蒲贤勇;程勇;马千成 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-08-05 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻的形成方法，所述多晶硅电阻的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有隔离结构；在所述隔离结构表面形成若干分立的多晶硅层，所述多晶硅层分别用于形成若干电阻率的多晶硅电阻；在所述隔离结构表面形成第一掩膜层，同时在若干多晶硅层表面分别形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出部分多晶硅层的表面，单个多晶硅层用于形成的多晶硅电阻的电阻率随着所述单个多晶硅层被第二掩膜层覆盖面积的增大而增大；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对多晶硅层进行离子注入；对多晶硅层进行退火处理，形成若干至少具有两种电阻率的多晶硅电阻。上述方法可以同时形成具有不同电阻率的多晶硅电阻，节约工艺步骤和成本。
多晶电阻形成方法

[发明专利]一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法-CN202011376100.6在审
发明人：刘若曦;田泽;刘敏侠;陈智;邵刚;郎静 -专利权人：西安翔腾微电子科技有限公司
申请日： 2020-12-05 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善激光修调多晶硅电阻精度的方法，本发明包括以下步骤：1)将多晶硅电阻设计成矩形，将金属连线设置在矩形多晶硅电阻两侧；2)使用激光将多晶硅电阻金属连线未连接的多晶硅电阻两侧边缘进行修调；3)在多晶硅电阻上进行粗调；4)在多晶硅电阻上进行细调。本发明对多晶硅电阻两侧边缘进行激光修调，可减小低阻区，改善了粗调和精调的激光修调效果，达到对多晶硅电阻的激光精确修调，降低了流片成本。
一种改善激光多晶电阻精度方法

[发明专利]多晶硅电阻结构及其形成方法-CN201310074770.6有效
发明人：廖淼;陈芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻结构及其形成方法，所述多晶硅电阻结构包括基底，位于所述基底上的具有电阻负温度系数的多晶硅电阻，与所述多晶硅电阻两端电连接的金属电极，位于所述多晶硅电阻中间位置表面的具有电阻正温度系数的金属散热结构，且所述金属散热结构与金属电极相隔离，使得温度变化时所述多晶硅电阻结构的总阻值变化幅度降低。由于多晶硅电阻产生的热量可以通过金属散热结构进行散热，有利于降低多晶硅电阻结构工作时温度的变化幅度，从而降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值。且所述具有电阻正温度系数的金属互连结构也可以降低多晶硅电阻结构的总阻值随温度变化的变化值，也有利于提高多晶硅电阻结构的电阻值的温度稳定性。
多晶电阻结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及制备方法-CN202310636908.0在审
发明人：蔡超迁;卓红标;刘春玲 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件及制备方法，包括：在基底的表面均形成多晶硅层；对高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层进行离子注入；在高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层的表面形成保护层；在栅极电阻区域的多晶硅层的表面形成金属层；使用图案化的光刻胶作为掩膜，刻蚀金属层、栅极电阻区域的多晶硅层、保护层和高阻多晶硅电阻区域的多晶硅层，露出部分基底的表面，以分别形成栅极电阻、位于栅极电阻的表面的金属层、高阻多晶硅电阻以及位于高阻多晶硅电阻的表面的保护层本发明保护了高阻多晶硅电阻不被清洗剂的离子污染，进而保证了半导体器件的阻值精度。
半导体器件制备方法

[发明专利]多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器-CN201210507657.8有效
发明人：江红 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2016-10-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种多晶硅电阻器结构及其制造方法、多晶硅电阻器。多晶硅电阻器结构制造方法包括：在硅片中形成隔离区；在隔离区上形成第一多晶硅层的侧壁及第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成隔离物及第二多晶硅层，其中所述隔离物与第二多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端；在第二多晶硅层上形成隔离物及第三多晶硅层，其中所述隔离物与第三多晶硅层不完全覆盖第一多晶硅层的两端，且不完全覆盖的第二多晶硅层的两端；以第三多晶硅层为掩膜进行离子注入；利用金属布线连接处于第一多晶硅层两端暴露端和第二多晶硅层两端暴露端；第一多晶硅层所形成的电阻与第二多晶硅层所形成的电阻通过串联电连接以得到更大的电阻值
多晶电阻器结构及其制造方法

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN201110072482.8有效
发明人：李达元;叶明熙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制造方法，该方法包括：形成一多晶硅层于一基板上；以及图案化该多晶硅层，以形成一多晶硅电阻与一多晶硅栅极。对该多晶硅电阻实施一第一离子注入，以调整该多晶硅电阻的阻值。对该多晶硅电阻的一顶部实施一第二离子注入，以使该多晶硅电阻的该顶部具有一高抗蚀刻力。之后，实施一蚀刻工艺，以移除该多晶硅栅极，同时以该顶部保护该多晶硅电阻。本发明可克服多晶硅电阻的阻值与设定值产生偏差与其他问题。
集成电路及其制造方法

[发明专利]形成多晶硅电阻的方法及半导体器件-CN201410392176.6有效
发明人：夏禹;刘丽丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-11 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种形成多晶硅电阻的方法及半导体器件。其中，该方法包括：在半导体基体上形成多晶硅层；在多晶硅层的表面上形成含硅介质薄膜，以使硅原子扩散至多晶硅层中并形成多晶硅电阻。该方法可以通过调节形成含硅介质薄膜的工艺参数，从而精确控制所形成多晶硅电阻的电阻率。同时，该方法仅通过形成含硅介质薄膜的这一步骤即可形成多晶硅电阻，因此该方法能够快速的调整所有多晶硅电阻的电阻率，且简便需要易行，可应用于所有需要用到多晶硅电阻的生产工艺中。
多晶硅电阻多晶硅层硅介质薄膜半导体器件电阻率半导体基体硅原子生产工艺扩散申请应用

[发明专利]一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法-CN201811098718.3有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种在集成电路中集成复合型多晶硅电阻的方法，通过在器件场氧化层上方生长的多晶硅层进行超高阻离子注入获得超高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内再次进行高阻离子注入获得高阻多晶硅电阻，在超高阻多晶硅电阻内通过炉管扩散掺杂离子获得低阻多晶硅电阻，并在最后通过离子注入形成源极和漏极的同时，也注入在局部超高阻多晶硅电阻内，形成中阻多晶硅电阻，获得四种不同阻值的多晶硅电阻，从而极大便利了电路设计工程师的设计，大幅提升低阻值电阻器的电阻精度，缩减超高阻电阻器的芯片占用面积
一种集成电路集成复合型多晶电阻方法

[发明专利]半导体装置-CN202210880388.3在审
发明人：林振华;冉景涵 -专利权人：联发科技股份有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括：半导体基板，具有有源区和与该有源区相邻的无源区；多晶硅电阻结构，设置在该无源区的隔离结构上；虚设多晶硅电阻结构，在该隔离结构上，分别设置在该多晶硅电阻结构的相对两侧的外侧；以及多晶硅环状结构，设置于该隔离结构上，环绕该多晶硅电阻结构与该虚设多晶硅电阻结构。本发明通过多晶硅环状结构及其前身来阻挡显影液流对多晶硅电阻结构的过度蚀刻，从而保证后续形成的多晶硅电阻结构之间的大小或尺寸基本相同，这样后续形成的多晶硅电阻结构之间的电阻可以基本相同，减少或基本消除电阻差异，改善半导体装置的电阻的匹配特性或性能。
半导体装置

[发明专利]栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法-CN201210268972.X有效
发明人：陈瑜;赵阶喜;罗啸 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极多晶硅和多晶硅电阻集成制作方法，包括步骤：在硅衬底上依次形成栅介质层和第一层多晶硅；进行第一次离子注入形成多晶硅电阻的掺杂；在第一层多晶硅上形成第二层氧化；对第二层氧化硅进行刻蚀仅保留多晶硅电阻形成区域上的第二层氧化硅；进行离子注入形成栅极多晶硅的掺杂；在第一层多晶硅上形成钨硅层；依次对钨硅层和第一层多晶硅进行刻蚀。本发明中的栅极多晶硅和多晶硅电阻都是采用同一次生长的多晶硅形成，且是一次刻蚀工艺对同一多晶硅进行刻蚀形成栅极多晶硅和多晶硅电阻，所以本发明能减少工艺步骤，提高生产效率，降低生产成本。
栅极多晶电阻集成制作方法

[发明专利]无掩模多层多晶硅电阻器-CN200680021901.2无效
发明人： G·E·霍华德;L·斯万森 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2006-04-18 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明实现了由不同表面电阻值的多晶硅电阻器组成的半导体器件加工过程，而不需要添加额外的半导体加工处理步骤。在半导体器件的表面形成氧化层(104)。在此氧化层之上形成多晶硅层(106)。通过图案化在多晶硅层上形成多晶硅电阻器(108)。在多晶硅电阻器上形成多晶硅电阻器掩模，此掩模按选定百分比暴露出部分多晶硅电阻器(110)。注入选择的掺杂剂(112)，以改变多晶硅电阻器的电阻率。去除掩模(114)并进行热激活处理(116)，使所注入掺杂剂在整个多晶硅电阻器中扩散以实现充分均匀的浓度分布。
无掩模多层多晶电阻器

[发明专利]正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法-CN201910056882.6有效
发明人：张昊;辛海维 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2019-01-22 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种正温度系数多晶硅电阻结构及其制造方法，该电阻结构包括若干个多晶硅单元电阻，每个多晶硅单元电阻包括位于中间区域的电阻值呈负温度系数变化的非金属化多晶硅区和位于端部区域的电阻值呈正温度系数变化的金属化多晶硅区，相邻多晶硅单元电阻通过在端部区域上形成的接触孔与电阻值呈正温度系数变化的金属线连接。该制造方法通过调整非金属化多晶硅区相对于金属化多晶硅区的占比，使金属化多晶硅区的电阻值随着温度的正向变化量大于或者等于非金属化多晶硅区的电阻值随着温度的负向变化量。本发明能够规避半导体器件性能的限制，在不增加工艺负担且保证器件工艺稳定度、不牺牲面积的情况下获得较高阻值的正温度系数多晶硅电阻结构。
温度系数多晶电阻结构及其制造方法

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