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[发明专利]多晶片温度控制装置及用于控制多晶片功率模块的温度的方法-CN201880014558.1有效
发明人： J·万楚克;J·布兰德雷洛 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01K3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于控制包括多个晶片的多晶片功率模块的温度的方法，多晶片温度控制装置接收输入信号并且独立地驱动多晶片功率模块的晶片。多晶片温度控制：‑在多晶片功率模块的晶片当中的一个晶片不导通时获得表示该一个晶片的温度的信号，‑在多晶片功率模块的所有晶片不导通时获得表示取决于所有晶片的温度的参考温度的信号，‑将表示一个晶片的温度的信号与表示参考温度的信号进行比较，‑根据比较结果减少晶片的导通时间的持续时间或减少多晶片功率模块的其它晶片的导通时间的持续时间。
多晶温度控制装置用于功率模块方法

[发明专利]一种降低多晶制绒反射率的方法-CN201010129489.4无效
发明人：张军 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种降低多晶制绒反射率的方法，用于降低多晶片表面制绒后的反射率，具有以下步骤：A、酸制绒：采用由多晶硅制成的多晶片，将多晶片进行酸制绒处理，使多晶片单面腐蚀深度为3～5微米，多晶片表面形成酸制绒绒面；B、碱制绒：将已进行酸制绒处理的多晶片放入0.1％～10％的KOH溶液或NaOH溶液中处理10～30分钟，溶液温度为70～100度，多晶片<100>面形成金字塔形的金字塔绒面。采用本发明的方法制成的多晶片表面的反射率较低，用其多晶片制作的太阳能电池的转换效率较高。
一种降低多晶反射率方法

[实用新型]一种多晶片LED灯集成封装组件-CN201620394169.4有效
发明人：吴文奎 -专利权人：河南宝鸿光电股份有限公司
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： F21S9/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多晶片LED灯集成封装组件，所述灯壳体位于蓄电池的正下方，所述灯壳体的下方设有防爆玻璃灯罩，所述灯壳体内部设有散热基板，所述散热基板的上方设有固定支架，所述固定支架上设有LED灯电路板，所述LED灯电路板的左侧设有正电极引脚，所述LED灯电路板的右侧设有负电极引脚，所述固定支架通过多晶片固定粘合剂连接多晶片固定区，所述多晶片固定区上均匀设有LED多晶片，所述LED多晶片通过金线连接于正电极引脚和负电极引脚，该种多晶片LED灯集成封装组件，通过在多晶片固定区上按矩阵的排列形式封装多个LED多晶片，这样使得多晶片LED灯的发光效果高、使用寿命长，不仅如此，散热基板的设置可以整个LED电路板达到很好的散热效果
一种多晶 led 集成封装组件

[发明专利]一种多晶硅栅极刻蚀的方法-CN200710170615.9有效
发明人：张海洋;杜珊珊;陈海华;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-19 - 公布日： 2009-05-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶硅栅极刻蚀的方法，该方法包括完成多晶硅沉积的步骤、完成多晶硅光刻的步骤、及完成多晶硅刻蚀的步骤；所述方法还包括清洗晶片底层背面多晶硅的步骤，该步骤完成清洗晶片底层背面多晶硅的过程。本发明揭示的多晶硅栅极刻蚀的方法，通过清洗掉晶片底层背面多晶硅，来增加晶片的拉应力，从而可以有效避免栅极足的形成、提高晶片性能。
一种多晶栅极刻蚀方法

[发明专利]一种防止晶片间干涉的方法及一种多晶片LED封装模块-CN201010225692.1无效
发明人：王清华 -专利权人：王清华
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止晶片间干涉的方法及一种多晶片LED封装模块；适用于多晶片LED封装，该方法在各晶片的侧出光面之间设置反射突位，以防止晶片的侧出光射向其它晶片；本发明还涉及一种应用该方法的多晶片LED封装模块本发明提供一种防止晶片间干涉的方法及一种可以有效防止各晶片间干涉的多晶片LED封装模块。
一种防止晶片干涉方法多晶 led 封装模块

[发明专利]多晶合成金刚石材料-CN202080013875.9在审
发明人： G·T·威廉姆斯;R·S·巴尔迈 -专利权人：六号元素技术有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：公开了制造多晶CVD合成金刚石晶片的方法。使用CVD工艺在基材上生长第一多晶CVD合成金刚石晶片至第一厚度。从多晶CVD合成金刚石晶片切割第二较小的晶片。第二较小的晶片位于载体上，并且在第二较小的晶片上生长另外的多晶CVD合成金刚石材料至第二厚度从而产生具有总厚度为第一和第二厚度之和的多晶CVD合成金刚石材料。
多晶合成金刚石材料

[发明专利]多晶片模块印刷电路板的倒角装置及其控制方法-CN201510932164.2在审
发明人：金度亨 -专利权人：芳和公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本发明公开一种多晶片模块PCB倒角装置及其控制方法。该多晶片模块PCB倒角装置包括：一负载站点，一多晶片模块PCB加载到该负载站点上用于倒角；一第一倒角单元，在从该负载站点传输的该多晶片模块PCB的末端上执行倒角；一第二倒角单元，在从该负载站点传输的另一个多晶片模块PCB的末端上执行倒角；以及一卸载站点，其上加载具有藉由该第一倒角单元和该第二倒角单元完成一末端倒角的一多晶片模块PCB。该多晶片模块PCB倒角装置允许迅速且准确地实现倒角而不需考虑末端的设置方向和各种不同的末端图案，并且藉由倒角线的自动校准及倒角校正的少量调整允许迅速且准确地执行多晶片模块PCB末端的倒角。
多晶模块印刷电路板倒角装置及其控制方法

[实用新型]内嵌式多晶片封装的测试治具-CN201320791874.4有效
发明人：詹顺凯;许展榕 -专利权人：擎泰科技股份有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型有关于一种内嵌式多晶片封装的测试治具，包含至少一块电路板，承载已认证内嵌式多晶片封装与待测内嵌式多晶片封装。测试治具还包含硬件接口，设于电路板的表面，用以连接至主机。多条第一导线将已认证内嵌式多晶片封装的第一随机存取存储器电性连接于主机的随机存取存储器接口，且多条第二导线将待测内嵌式多晶片封装的第二内嵌式非易失性存储器电性连接于主机的内嵌式非易失性存储器接口。借由本实用新型提出的内嵌式多晶片封装的测试治具，可以达到即使主机尚未支援待测内嵌式多晶片封装的随机存取存储器，亦可进行待测内嵌式多晶片封装的功能测试的效果。
内嵌式多晶封装测试

[实用新型]一种LED灯多晶片结构-CN201620389097.4有效
发明人：吴文奎 -专利权人：河南宝鸿光电股份有限公司
申请日： 2016-05-02 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： F21K9/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED灯多晶片结构，所述电路板上焊接多晶片的一极，所述电路板上还设有圆形导线，且所述多晶片的另一极通过金线焊接在圆形导线上，所述电路板的中间还焊接有圆形晶片的一极，所述圆形晶片的另一极通过金线焊接在圆形导线上该LED灯多晶片结构，通过电路板焊接多晶片的一极，圆形导线焊接多晶片的另一极，极大的节俭了导线焊接，不仅节省成本，而且使整体简洁不杂乱，导热板和散热块的设置用于散发多晶片工作过程中产生的热量。
一种 led 多晶结构

[发明专利]多晶晶片的应用-CN200780043816.0无效
发明人： M·戈登斯坦;I·雅伯洛克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-10-29 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：包括多晶硅的晶片被用于各种应用，包括处理晶片、测试晶片、假晶片或作为接合管芯中的衬底。使用多晶材料代替单晶材料可降低费用。
多晶晶片应用

[发明专利]集成无源器件-CN200510091400.9无效
发明人：伊恩·迪格尼;毛瑞恩·Y·劳;金莲泰 -专利权人：赛骑有限公司
申请日： 2005-04-29 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：说明书描述了一种形成在多晶硅衬底上的集成无源器件(IPD)。公开了一种制造IPD的方法，其中从单晶处理晶片开始、在起始晶片一侧或者两侧沉积多晶硅的厚的衬底层、在多晶硅衬底层的其中一层上形成IPD以及除去处理晶片来生产多晶硅衬底。在优选实施例中，单晶硅处理晶片为从单晶硅晶片生产线中废弃的硅晶片。
集成无源器件

[发明专利]检查系统以及用于检查多个晶片的方法-CN201210375275.4无效
发明人： G·格兰;A·B·那坦;O·卡兹;M·韦纳 -专利权人：卡姆特有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种方法和检查系统，包括：被配置为同时支撑多个晶片的多晶片支撑器件；被配置为获得由多晶片支撑器件支撑的多个晶片的图像的光学部件；被配置为在多晶片支撑器件和光学部件之间引入移动的机械台；以及被配置为处理由光学部件获得的图像的处理器
检查系统以及用于晶片方法

[发明专利]多晶SiC晶片的生成方法-CN201610518470.6有效
发明人：平田和也;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-07-04 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：本发明涉及多晶SiC晶片的生成方法。本发明的课题在于提供一种从多晶SiC晶锭高效率地生成多晶SiC晶片，从而减少废弃比例的多晶SiC晶片的生成方法。一种多晶SiC晶片的生成方法，其中，在形成用于从多晶SiC晶锭生成多晶SiC晶片的界面的改性层形成工序中，所形成的该界面为改性层连锁形成的面，所述改性层如下形成：利用脉冲激光光线的聚光点使多晶SiC分离为非晶硅与无定形碳
多晶 sic 晶片生成方法

[发明专利]一种碲锌镉晶片加工方法-CN202210758590.9在审
发明人：廖和杰;马金峰;周铁军;宋向荣;唐林峰;刘火阳 -专利权人：广东先导微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶片加工方法，包括如下步骤：将晶棒切成晶片；将晶片表面腐蚀出单晶区域；将晶片腐蚀出来的单晶区域划出单晶片；将单晶片与对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原并进行抛光。在本方案中，先将晶棒切成晶片，然后将晶片表面腐蚀出单晶区域，再将晶片的单晶区域切割出单晶片，最后将单晶片与其对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原后进行抛光，即将之前切割对应剩下的多晶片采用胶接固定在单晶片的周围复原后进行抛光，以使得在单晶片的边缘粘附多晶陪片，以便于缓解所需晶片边缘抛光受到的剪切力，从而有助于使得抛光出的晶片平整度更好，无明显崩边，有利于缓解碲锌镉晶片在抛光过程中塌边现象，提高了成品率。
一种碲锌镉晶片加工方法

[发明专利]多晶片的检查方法-CN201080020208.X有效
发明人：松尾贵之 -专利权人：洛塞夫科技股份有限公司
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本发明提供一种多晶片的检查方法，其具有：从以光轴通过多晶片(1)上的照射位置(P1)的方式被配置的光源(2)，向照射位置(P1)照射红外线(3)的工序；使用用于对拍摄位置(P2)进行拍摄的照相机(6)，对从照射位置(P1)入射并被多晶片(1)内部的晶粒边界和缺陷反复折射及反射、从所述多晶片上的自照射位置(P1)向多晶片(1)的表面方向离开预定距离(D)的拍摄位置(P2)射出的红外线(3)进行拍摄的工序；以及在由照相机(6)获得的拍摄图像上，根据无缺陷部分与缺陷部分的亮度差异来检测多晶片(1)内的缺陷的工序。根据该检查方法，可淡化多晶片(1)的结晶图形，能够获得可清晰识别存在的缺陷的拍摄图像，并能够容易且可靠地检测出缺陷。
多晶检查方法

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