专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]风冷式刹车盘-CN201710533425.2在审
  • 段泽义;王锐;段泽玉;岳皓 - 段泽义
  • 2017-07-03 - 2017-11-10 - F16D65/12
  • 本发明提供一种风冷式刹车盘,属于车辆制动装置的技术领域,包括盘体;在盘体上表面上由内向外依次设置有凸台、内环区外环;凸台设置在盘体上表面的中心处;内环区内设置有贯穿盘体的排气孔;外环内设置有凸出于盘体的内涡轮叶片和外涡轮叶片刹车盘两侧的刹车片对刹车盘施压,并对刹车盘产生摩擦,摩擦产生的热量随着刹车盘转动引发的气流经过风道穿过排气孔排出,内涡轮叶片和外涡轮叶片的设置使气流产生涡流,增大了进气量从而有效提高了散热效率;由于排气孔设置在盘体的内环区
  • 风冷刹车
  • [实用新型]一种耐高温的矿热炉通水炉盖-CN201920758343.2有效
  • 杨飞雄;白泽坤;白鹏;曾鹏 - 宁夏金圆化工有限公司
  • 2019-05-24 - 2020-07-07 - F27D1/18
  • 本实用新型公开了一种耐高温的矿热炉通水炉盖,矿热炉炉盖包括内环水冷管和外环水冷管,并由内环水冷管和外环水冷管分为两个独立区域,内环水冷管中焊接有水冷支架,水冷支架呈人字形,人字形的中点与矿热炉炉盖的几何圆心重合,人字形水冷支架将内环区均匀分为三个区域,每个区域内设置有一个电极孔,水冷支架的三个支点焊接在内环水冷管壁上并与内环水冷管的内部相联同,内环水冷管与外环水冷管之间还均匀设置有水冷块,水冷快之间设置有耐火材料砌筑块,内环水冷管与外环水冷管之间还设置有一个烟道出口,通过改变炉盖内水冷管的材质与形状,减少在高温条件下管道的腐蚀现象,从而大大降低了由于炉盖冷却水破裂而对生产的影响。
  • 一种耐高温矿热炉通水
  • [实用新型]光源装置-CN201921204056.3有效
  • 张权;胡军楚 - 深圳市绎立锐光科技开发有限公司
  • 2019-07-29 - 2020-03-24 - F21K9/20
  • 本实用新型提供一种光源装置,包括LED灯板和多个透镜单元,其中,LED灯板包括基板和多个LED单元,基板包括中心区域以及围绕中心区域的至少一层同心环区;多个LED单元设置于中心区域和同心环区。多个透镜单元与LED单元对应且遮盖LED单元,与中心区域对应的透镜单元在基板的正投影为多边形;同心环区中设置的LED单元的数量与该同心环区的层数、以及中心区域对应的透镜单元在基板的多边形正投影的边数对应本实用新型提供的光源装置通过将多个LED单元设置于基板的中心区域和同心环区,实现了LED单元的紧密排列,减小了光源装置的体积。
  • 光源装置
  • [发明专利]一种无电阻高温超导闭合线圈-CN202210844008.0在审
  • 董浩;丁发柱;古宏伟;黄大兴;王锴 - 中国科学院电工研究所
  • 2022-07-18 - 2022-10-14 - H01F6/06
  • 所述无电阻高温超导闭合线圈包括:第一线圈骨架和第一四饼线圈;第一线圈骨架的侧表面包括从一端到另一端依次分布的第一圆环区、第二圆环区、第三圆环区和第四圆环区;第一四饼线圈通过第一无电阻绕制方法缠绕而成;第一无电阻绕制方法为:从分离的超导带材的右端部开始缠绕,在第一圆环区和第四圆环区形成第一线圈和第四线圈;将超导带材的左端部从第一线圈和第四线圈之间穿过,转动第一线圈骨架,在第二圆环区和第三圆环区形成第二线圈和第三线圈
  • 一种电阻高温超导闭合线圈
  • [发明专利]一种晶圆刻蚀方法-CN202210390035.5在审
  • 梅震;黄斌斌;章兴洋;罗坤;刘兆 - 江西乾照光电有限公司
  • 2022-04-14 - 2022-08-02 - H01L21/3065
  • 本申请公开了一种晶圆刻蚀方法,首先将待刻蚀晶圆划分为至少两个同心圆环区,然后基于预先获取的晶圆中不同半径的圆环区中待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽与所用刻蚀光刻版的线宽之间的对应关系,设计待刻蚀晶圆中各圆环区对应的刻蚀光刻版的线宽,从而在利用待刻蚀晶圆中各圆环区对应的设计好线宽的刻蚀光刻版,对待刻蚀晶圆中各圆环区的待刻蚀层进行深刻蚀时,使得待刻蚀晶圆中各圆环区的待刻蚀层被深刻蚀后形成的刻蚀槽的上顶宽均不大于第一预设宽度,进而使得待刻蚀晶圆中各圆环区的待刻蚀层被刻蚀干净的情况下
  • 一种刻蚀方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201410487147.8有效
  • 斋藤顺;青井佐智子;渡辺行彦;山本敏雅 - 丰田自动车株式会社
  • 2014-09-22 - 2018-01-02 - H01L29/06
  • 本发明提供一种半导体装置(10),其包括半导体基板(11),所述半导体基板具有元件区域(12)以及终端区域(14)。元件区域包括第一体区域(36a,38),其具有第一导电类型;第一漂移区(32),其具有第二导电类型;以及第一浮动区域(34),其具有第一导电类型。终端区域包括场限环区(41)、第二漂移区(32b)以及第二浮动区域(37)。场限环区具有第一导电类型并围绕元件区域。第二漂移区具有所述第二导电类型,并与场限环区相接触且围绕场限环区。所述第二浮动区域具有第一导电类型并被第二漂移区围绕。所述第二浮动区域围绕元件区域。至少一个所述第二浮动区域相对于最接近所述元件区域的一个场限环区而被置于元件区域侧。
  • 半导体装置

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