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[发明专利]制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统-CN202110696917.X在审
发明人：郭世平;胡建正;陈耀;闫龙;姜勇;王家毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统，所述方法包括：提供一基片承载盘，基片承载盘上设有若干个基片槽，每个基片槽具有一基片槽底面，在每一基片槽内放置一基片，基片槽底面到基片的距离相同；将基片承载盘置于一化学沉积装置中外延生长；对完成外延生长的基片的外延材料特性进行测量，并根据基片不同区域的外延材料特性得到基片在外延生长时不同区域的温度分布图；根据基片的温度分布图制作一基片槽底面高度不同的基片承载盘，温度分布图上基片温度较高的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离大于温度较低的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离。本发明解决了基片在生长期间其外延层的波长不均匀性的问题。
制作承载方法及其系统

[发明专利]外延基片的制备方法-CN200480015751.5有效
发明人：布鲁斯·富尔 -专利权人：硅绝缘体技术有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种外延基片的制备方法，特别是制备GaN、SiGe、AIN或InN外延基片的方法。本发明的目的是提供一种外延基片的制备方法，该方法能够进一步降低基片的影响，同时在经济上也是可行的。本发明的目的通过下述步骤实现：提供底层基片，在底层基片中注入原子物质以产生较弱的层状区，在第一温度下在底层基片表面提供外延加强层，和在更高的第二温度下分离加强层，特别是与底层基片的子层一起从底层基片残余部分上分离，由此使所分离的材料产生伪基片，在该伪基片上提供均相外延层或异质外延层。
外延制备方法

[发明专利]制造三族氮化物装置的方法及使用该方法制造的装置-CN200580015803.3无效
发明人：中村修二;S·迪巴尔司;J·艾德蒙;U·米史拉;C·史华波达 -专利权人：美商克立股份有限公司
申请日： 2005-05-17 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：根据本发明的一种用于制造具有高光提取的光子装置的方法，它包括：在一基片上生长一外延半导体结构及在该外延半导体结构上沉积一第一镜层，使该外延半导体结构夹在该第一镜层与该基片之间。将该外延半导体结构及其第一镜层与基片以倒装晶片方式装于一子基片上，使该外延半导体装置结构夹在该子基片与基片之间。接着通过向该基片引入一蚀刻环境而将该基片从该外延结构上移除。在该外延半导体结构上沉积一第二镜层，使该外延半导体结构夹在该第一与第二镜层之间。根据本发明的一种装置包括装于一子基片上的一共振腔发光二极管(RCLED)。
制造氮化物装置方法使用

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及其制作方法-CN201810757764.3在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件制作方法，准备一外延基片，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；在沟槽中形成侧壁介电层；在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面；对屏蔽栅继续进行回刻，使屏蔽栅回刻至外延基片表面以下；在沟槽内进行第二介电层填充并回刻至外延基片表面以下；在沟槽内和外延基片的表面淀积控制栅，屏蔽栅引出处淀积的控制栅向沟槽两侧填充；对控制栅进行回刻，使控制栅回刻至外延基片表面
外延基片屏蔽栅回刻控制栅功率MOSFET器件介电层填充侧壁制作表面淀积淀积光刻

[发明专利]隔离外延调制装置-CN201110280581.5无效
发明人： Y·李;S·H·沃德曼 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-08-19 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/60 文献下载
摘要：一种隔离外延调制装置包括：基片；势垒结构，其形成在所述基片上；隔离外延区，其形成在所述基片的上方并且由所述势垒结构与所述基片电隔离；半导体器件，所述半导体器件位于隔离外延区中；以及调制网络，其形成在所述基片上并且与所述半导体器件电耦合隔离外延区与接合焊盘和接地焊盘中的至少一个电耦合。所述半导体器件和所述外延调制网络配置为调制输入电压。
隔离外延调制装置

[发明专利]屏蔽栅功率MOSFET器件及制作工艺方法-CN201810757211.8在审
发明人：颜树范 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明还公开了一种屏蔽栅功率MOSFET器件的制作工艺方法，步骤一、准备一外延基片，该外延基片上端淀积一层第一介电层，对所述外延基片进行沟槽光刻刻蚀，形成沟槽；步骤二、在所述沟槽中形成侧壁介电层；步骤三、在已经形成的侧壁介电层中进行屏蔽栅填充并回刻至外延基片表面以下；步骤四、在所述沟槽内进行第二介电层填充，并回刻至外延基片表面以下；步骤五、在所述沟槽内填充控制栅并回刻至外延基片表面，形成控制栅；步骤六
外延基片介电层屏蔽栅功率MOSFET器件控制栅回刻填充制作工艺侧壁光刻介电层表面选择性刻蚀上端淀积制作

[发明专利]接续氢化物汽相外延-CN00805681.1无效
发明人：格伦·S·所罗门;戴维·J·米勒;泰特苏佐·于达 -专利权人： CBL技术公司;松下电器产业株式会社
申请日： 2000-04-13 - 公布日： 2002-05-22 - 主分类号： C30B23/06 文献下载
摘要：一种在非天然基片上形成III－V化合物的相对厚外延膜的方法,涉及在生长温度下在基片上接续形成多层外延层。在外延生长重新开始之前,通过将基片和每一接续生长的外延层冷却到亚生长温度,而将样品中的应力(由于基片与外延层之间的热学不匹配性所致)减弱。接续外延生长与系统的蚀刻相结合所提供的外延层不仅具有低的碎裂倾向,而且还改善了表面形态。接续氢化物汽相外延,利用HCl作为源气体和蚀刻剂,能将接续沉积和系统蚀刻结合成为单一的过程。
接续氢化物外延

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN200810093177.5有效
发明人： Z·豪森;F·Y·罗伯;P·温卡特拉曼 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2008-04-24 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体材料包括布置在半导体基片上的第一外延层和布置在第一外延层上的第二外延层。第二外延层的电阻系数高于半导体基片的电阻系数。肖特基器件和非肖特基半导体器件由第二外延层制造。根据另一实施方案，半导体材料包括布置在半导体基片上的外延层。外延层的电阻系数高于半导体基片的电阻系数。掺杂区形成在外延层中。肖特基器件和非肖特基半导体器件由外延层制造。
半导体元件及其制造方法

[其他]缓变晶格外延层的生长-CN85109212无效
发明人：麦尔文·西莫尔·库克 -专利权人：麦尔文·西莫尔·库克
申请日： 1985-12-16 - 公布日： 1986-07-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明揭示了一种在基片上生长立方晶系半导体材料的外延层的方法。其中外延层的晶格常数从邻接于基片的初始晶格常数缓变至外延层表面上的最终晶格常数，生长表面被形成在基片上。在外延层的晶格常数从初始晶格常数变至最终晶格常数时，便生长成外延层。
晶格外延生长

[实用新型]Si基GaAs器件-CN201520897542.3有效
发明人：陈一峰 -专利权人：成都嘉石科技有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于GaAs成核层上的GaAs器件结构，Si基片上具有与外延片的尺寸相匹配的集成区域，Si基片在集成区域处减薄一定厚度，且集成区域内具有多个贯穿Si基片的接地孔，外延片集成在集成区域内，接地孔中电镀有铜。本实用新型能够实现Si基片与GaAs器件的集成。
si gaas 器件

[实用新型]一种FRD芯片-CN202022964312.8有效
发明人：周炳;赵承杰;王源政 -专利权人：张家港意发功率半导体有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种FRD芯片，包括阴极金属，阴极金属上设置有N+阴极层，N+阴极层上设置有N型基片，N型基片上设置有N‑外延层，N‑外延层上设置有I基片，I基片上设置有P基片，N‑外延层上设置有氧化层，氧化层上设置有与P基片接触的阳极金属。
一种 frd 芯片

[实用新型]一种槽栅型肖特基二极管-CN201521024399.3有效
发明人：黄赛琴;林勇;黄国灿;陈轮兴 -专利权人：福建安特微电子有限公司
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种槽栅型肖特基二极管，包括N型基片和二氧化硅基片，所述N型基片的上层设有N-外延层，所述N-外延层上设有槽栅，所述槽栅的中部设置有多晶硅，所述槽栅的侧壁和底部均设有P型外延，所述P型外延与多晶硅通过电介质隔离层隔离，所述N型基片的下层设有N+阴极层，所述N+阴极层的下层与阴极金属连接，所述N-外延层的上层与阳极金属连接，所述二氧化硅基片分别与阳极金属和N-外延层连接。由于在N-外延层上设置槽栅，且在槽栅的底面及内侧壁设置有P型外延，使得P型外延和N-外延层形成PN二极管，阻断了槽栅底部由于电场形成的高压对二极管的击穿作用，使得肖特基二极管可以正常使用。
一种槽栅型肖特基二极管

[发明专利]LED外延片的制备方法及装置-CN201010563102.6有效
发明人：梁秉文 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种LED外延片的制备方法及装置。该方法是在对衬底基片加热以生长单晶薄膜的过程中，向衬底基片局部施加与导致该衬底基片局部翘曲的力方向相反的压力，使衬底基片保持平整状态。本发明可有效消除蓝宝石晶片等衬底基片在高温条件下的翘曲现象，并令厚度较小的衬底基片可直接用于外延生长，从而节约了衬底材料以及避免了常规的减薄等操作，进而大幅降低了LED外延片的制造成本，并有效提高了LED外延片的生产效率和产品良率。
led 外延制备方法装置

[发明专利]外延基片处理方法-CN200910209355.0无效
发明人：张元;孟庆丽 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种外延基片处理方法，包括：提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；在所述外延片的上表面形成保护层；去除所述外延片下表面的晶点；去除所述保护层。本发明处理后的外延片，外延片的背面没有晶点，并且具有比较高的平坦度，且本发明提供的外延片处理方法能够与标准半导体工艺结合，不需要额外的设备和特殊的工艺。
外延处理方法

[发明专利]外延铁基超导薄膜制备方法及制备的外延铁基超导薄膜-CN200910082471.0有效
发明人：曹立新;李位勇;韩烨;张帅;许波;赵柏儒 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种外延铁基超导薄膜的制备方法，其包括以下步骤：a)制备外延铁基超导薄膜所需的靶材，将所述靶材放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中，其中所述靶材是FeSex或FeSe(1-y)Tey靶材，其中0.80≤x≤1.0，0＜y≤1.0；b)准备基片，将所述基片固定在基片台上，将所述基片台放入脉冲激光沉积系统的真空腔体中；c)加热所述基片台进而加热所述基片；d)利用脉冲激光沉积方法在所述基片上用脉冲激光沉积方法生长薄膜本发明还提供根据上述方法制备的单α-相、c-取向外延铁基超导薄膜。
外延超导薄膜制备方法

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