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[发明专利]卡片印刷机以及在卡片上印刷的方法-CN200580008093.1有效
发明人： C·J·布赖恩特;P·S·布赖尔;D·E·佩里;A·彼得;L·C·查瓦里亚 -专利权人： ZIH公司
申请日： 2005-01-11 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： B41J13/12 文献下载
摘要：一种适于卡片成像、卡片层压，或其它卡片处理的小型系统，包括卡片处理器，其位于水平卡片供给路径上并被构造成处理具有长轴和短轴的矩形卡片例如塑料信用卡或借记卡的一面或两面。卡片供给器被设置成将卡片一次一张供至所述卡片处理器上游的水平供给路径上，所述供给器包括：用于容纳垂直卡片堆栈的室，每张卡片被支撑于长边上；和卡片供给机构，其被构造成连续从堆栈的一端取出卡片并将卡片移出所述堆栈卡片转向器被构造成接收卡片并将卡片转向至一位置，卡片在该位置平行于水平供给路径并被定位成沿着水平供给路径供至卡片处理器。卡片处理器可包括卡片印刷机和磁条编码器。本发明还披露了印刷、编码和供给卡片的方法。
卡片印刷机以及印刷方法

[发明专利]测量从CDMA通信系统多基站接收的信号定时的方法和装置-CN01817294.6无效
发明人： F·格尔利;S·威伦尼格 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2001-10-06 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H04Q7/38 文献下载
摘要：一方面，未分配的指处理器用于处理和测量来自不在活动组内的基站的传送到达时间。另一方面，如果没有可用于分配的指处理器，可在用于该测量的基准振荡器的更新之间的时间周期进行该到达时间的测量。按照用于测量远程终端位置的方法，识别与该远程终端活动通信的第一组的一个或多个基站，并给所述第一组的每个基站分配至少一个指处理器。同样地识别未与该远程终端活动通信的第二组的一个或多个基站，并将一个可用的指处理器分配给所述第二组的至少一个基站的每个基站。然后，提供(信号到达)时间测量，作进一步处理。
测量 cdma 通信系统基站接收信号定时方法装置

[发明专利]成像系统-CN201410508158.X在审
发明人：詹诗杰;周仪光 -专利权人：安徽中科医药成像技术科技有限公司
申请日： 2014-09-28 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： A61B1/045 文献下载
摘要：本发明公开了成像系统，包括：内窥镜单元用于采集光信号，该内窥镜单元包括前端部和腔体部，前端部上嵌有光源镜片和物镜，腔体部的内部设置有光源、滤光片和探测器件，光源发出的光信号包括近红外光和照明光，在光源发出的光信号的传输方向上依次设置有：光源镜片、物镜、滤光片以及探测器件；滤光片包括能够切换的第一滤光片和第二滤光片；探测器件包括：与第一滤光片相配合的可见光探测器件和与第二滤光片相配合的荧光探测器件；控制单元，通过光缆和电缆连接于内窥镜单元，配置成调整物镜与探测器件之间的距离；图像处理单元，通过光缆连接于内窥镜单元，配置成处理探测器件接受的光信号。
成像系统

[发明专利]一种压电驱动器的加工方法-CN201910673722.6在审
发明人：张岩;刘囡南;常悦;董伟;杨凯森;付吉国;王慧英;姜存光;李烺;付青青 -专利权人：国宏华业投资有限公司;国宏中晶集团有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H02N2/00 文献下载
摘要：本发明涉及激光陀螺仪领域，公开了一种压电驱动器的加工方法，包括：机械加工步骤、对低膨胀合金原料进行切割、研磨加工，得到外径尺寸满足装配要求的驱动器件；清洗步骤、将所述驱动器件置于超声波清洗机中进行超声波清洗，然后浸泡在有机清洗液中2～3小时，最后用纯水将所述驱动器件冲洗干净；退火处理步骤、对所述驱动器件进行退火处理，将其加热至300～400℃并保温3～4小时后冷却至室温；表面喷砂步骤、利用高压磨料喷束喷射在所述驱动器件的表面，以去除表面杂质和氧化层；器件集成步骤、将所述驱动器件以及压电陶瓷片、铝制封接帽和由无氧铜制成的阳极管和阴极环集成为压电驱动器。
一种压电驱动器加工方法

[发明专利]一种电子元器件生产加工用表面处理装置-CN202211221890.X在审
发明人：张冲;蔡敏华;李长胜 -专利权人：安徽亚明铝业科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子元器件生产加工用表面处理装置，包括箱体，箱体内部水平设置有工作台，工作台的两端设置有电动辊轮，两电动辊轮之间传动连接有传送带，传送带的表面等间距设置有元器件装夹装置，箱体的内部且位于工作台上方设置有隔板，隔板的顶部设置有胶桶，隔板的底部固定连接有灌胶筒，本发明涉及电子元器件生产加工技术领域。该种电子元器件生产加工用表面处理装置，通过设置的传送带带动元器件装夹装置移动，实现了整体的自动灌胶，同时通过元器件装夹装置，按压斜块能够实现对电子元器件的夹紧与松开，实现了定位精准，同时避免在灌胶过程中发生移动
一种电子元器件生产工用表面处理装置

[发明专利]基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法-CN202211261766.6在审
发明人：张涛;苏华科;许晟瑞;张进成 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于退火扩散的GaN增强型PMOS器件及其制备方法，方法包括：对衬底层进行热处理；在热处理后的衬底层上依次生长成核层、缓冲层、背势垒层、p型GaN层，刻蚀器件形成器件的台面隔离；对器件栅极区域的p型GaN进行部分刻蚀形成栅凹槽；在栅凹槽中淀积n型掺杂扩散层；在p型GaN层和n型掺杂扩散层上生长保护层；对器件进行退火扩散；去除所有的保护层，以及残余的n型掺杂扩散层；在源极、漏极区域分别沉积源金属和漏金属形成源电极和漏电极；在完成源电极和漏电极的器件表面淀积介质层；在栅极区域沉积栅金属形成T型栅电极，并腐蚀掉源、漏电极接触区域的介质层。本发明提高了GaN增强型PMOS器件性能。
基于退火扩散 gan 增强 pmos 器件及其制备方法

[发明专利]双极型功率器件及其制备方法-CN202310737343.5在审
发明人：伊艾伦;欧欣;周民 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请公开了一种双极型功率器件及其制备方法，该方法通过在高质量的碳化硅单晶衬底上的外延层与其中的剥离层之间制作嵌有掺杂子区的阱区，并与低质量的中间碳化硅衬底进行一次键合；沿剥离层剥离包含碳化硅单晶衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面并对其进行导电处理，形成第二器件结构；将具有双面注入层的硅衬底与倒置的第二器件结构进行二次键合；去掉中间碳化硅衬底并激活键合界面，并制备电极层以形成双极型功率器件。从而在克服硅基制备碳化硅材料困难的基础上，降低碳化硅单片成本，提供了一种用于低成本制备高耐压的双极型功率器件器件的解决方案。
双极型功率器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件的光刻方法、闪存器件的制作方法及闪存器件-CN201410415519.6有效
发明人：李天慧;张海洋;舒强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的光刻方法、闪存器件的制作方法及闪存器件。该半导体器件包括待刻蚀区和非刻蚀区，该光刻方法包括：在半导体器件上形成掩膜层；在位于非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层；在第一光阻胶层和位于待刻蚀区的掩膜上形成第二光阻胶层；对位于待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并进行刻蚀该光刻方法中，在对位于待刻蚀区的第二光阻胶层进行曝光并进行刻蚀的步骤之前，在位于非刻蚀区的掩膜上形成经离子注入处理的第一光阻胶层。该第一光阻胶层能够减少光刻过程对非刻蚀器件区造成的损伤，进而提高半导体器件的性能。
半导体器件光刻方法闪存器件制作方法

[发明专利]偏振检测装置中器件误差的测量方法-CN201010268324.5有效
发明人：李中梁;王向朝;唐锋 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G01J4/04 文献下载
摘要：一种偏振检测装置中器件误差的测量方法，所述的偏振检测装置包括沿装置系统光轴依次设置的相位延迟器件、检偏器和光电探测器，该光电探测器的输出接信号处理系统，其特点在于，斯托克斯参数已知的线偏振光入射至所述的偏振检测装置，设定第一次测量的初始状态并进行测量；设定第二次测量的初始状态并进行测量，第二次测量的初始状态是在第一次测量的初始状态的基础上，分别旋转相位延迟器件和检偏器一定的角度，满足检偏器的旋转角度为相位延迟器件旋转角度的2倍，且旋转方向相同，对测量进行数据处理获得器件的误差。本发明在无需拆卸偏振检测装置器件的情况下，可快速测量相位延迟器件和检偏器的各类误差。
偏振检测装置器件误差测量方法

[发明专利]一种绑定设备及其控制方法-CN201810510428.9有效
发明人：王栋;赵文龙;董超;唐欢;王智玮;王钊 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种绑定设备及其控制方法，涉及绑定设备技术领域，用于解决现有的解决现有的绑定设备在将被绑定器件绑定至显示面板的过程中，被绑定器件的导电端子与显示面板的导电端子之间发生错位的问题而发明。该绑定设备，包括面板载台和机架，机架上设有绑定压头，还包括处理装置，处理装置用于控制绑定压头在水平方向上相对第一位置的位移偏移量，以使在绑定过程中被绑定器件在绑定压力的作用下与面板发生相对错动后被绑定器件上的导电端子与面板上的导电端子正相对，第一位置为在绑定压头对被绑定器件施加绑定压力前，被绑定器件上的导电端子与面板上的导电端子正相对时绑定压头所处于的位置。本发明可用于面板上芯片等器件的绑定上。
一种绑定设备及其控制方法

[发明专利]一种高迁移率氮掺杂大单晶石墨烯薄膜及其制备方法-CN201710372584.9有效
发明人：刘忠范;彭海琳;林立;孙禄钊;张金灿 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C30B29/02 文献下载
摘要：氮掺杂大单晶石墨烯薄膜的制备方法包括如下步骤：采用还原性气体和含氮碳源气体作为生长气氛，利用化学气相沉积法在生长基底上生长单晶石墨烯岛；在氧化性气氛中对单晶石墨烯岛进行钝化处理；钝化处理结束后，利用化学气相沉积法进行石墨烯再生长即得本发明氮掺杂大单晶石墨烯薄膜可用于透明导电薄膜、透明电极、高频电子器件、发光器件、光伏器件、光电探测器件、电光调制器件、散热器件或疏水性器件封装中。
一种迁移率掺杂晶石薄膜及其制备方法

[发明专利]电路结构及其驱动方法、芯片及其认证方法、电子设备-CN201710840926.5有效
发明人：吴华强;庞亚川;高滨;钱鹤 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： G06F21/72 文献下载
摘要：多层电路包括可寻址的第一阻变器件阵列和可寻址的第二阻变器件阵列，第一地址电路配置为将第二阻变器件阵列中的第二阻变器件的阻值映射成为第一地址，第一地址用于定位被选中的第一阻变器件；输出电路配置为获取并处理被选中的第一阻变器件的阻值，且输出处理结果。该电路结构基于多层阻变存储器阵列实现物理不可克隆函数，通过地址映射的方法连接各层阻变器件阵列，提升数据复杂度，提高物理不可克隆函数的抗机器学习算法攻击的能力，增加硬件认证的安全性。
电路结构及其驱动方法芯片认证电子设备

[发明专利]一种在半导体器件中形成场截止层的方法-CN201510516091.9有效
发明人：王思亮;胡强;张世勇 -专利权人：中国东方电气集团有限公司
申请日： 2015-08-21 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件领域，具体为一种在半导体器件中形成场截止层的方法包括A）选取一种半导体器件，包括第一导电类型半导体基板。B）从第一导电类型半导体基板的背面进行质子注入。C）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第一半导体区域。D）从第一导电类型半导体基板的背面进行离子注入。E）对半导体器件在退火装置中进行退火处理，从而形成比第一导电类型半导体基板浓度更高的第二半导体区域。本发明不仅能够达到场截止层的相对于半导体基板的浓度要求，也能够达到场截止层相对于半导体器件背表面的深度要求，同还避免了在场截止层的形成过程中对器件正面结构的影响。
一种半导体器件形成截止方法

[发明专利]超级结器件的终端保护结构及制造方法-CN201110186069.4有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-07-05 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，采用多晶硅场板和金属场板的组合结构，一多晶硅场板覆盖终端介质膜的台阶结构，且多晶硅场板还覆盖有另两种不同厚度的介质层，能够缓和器件表面的电场。本发明在场板下保持一个浓度较高P型环，能够提高器件在感性电路中应用时的电流处理能力。本发明的终端保护结构中P型柱和N型柱的结构设置，能够保证在感性电路中应用时器件关断并发生电流过冲时，终端保护结构中的类雪崩击穿发生的位置保证在靠近硅片正面的位置，提高器件抗过冲电流能力。本发明还公开了一种超级结器件的终端保护结构及制造方法。本发明能提高器件的耐压特性、电流处理能力和可靠性且不增加工艺成本。
超级器件终端保护结构制造方法

[发明专利]超级结器件的终端保护结构及制造方法-CN201110086240.4有效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超级结器件的终端保护结构，采用多晶硅场板和金属场板的组合结构，且一组多晶硅场板和金属场板同时覆盖终端介质膜的台阶结构，能够缓和器件表面的电场。本发明在场板下保持一个浓度较高P型环，能够提高器件在感性电路中应用时的电流处理能力。本发明的终端保护结构中P型柱和N型柱的深度低于电流流动区中的P型区和N型区的深度，能够保证在感性电路中应用时器件关断并发生电流过冲时，终端保护结构中的类雪崩击穿发生的位置保证在靠近硅片正面的位置，提高器件抗过冲电流能力本发明还公开了一种超级结器件的终端保护结构及制造方法。本发明能提高器件的耐压特性、电流处理能力和可靠性且不增加工艺成本。
超级器件终端保护结构制造方法