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[发明专利]一种新型牡蛎壳基镉离子印迹材料及其制备方法与应用-CN201910326440.9有效
发明人：范立维;张琴;卢泽湘;伍淑荣;闫璟玮;赵宇 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型牡蛎壳基镉离子印迹材料及其制备方法和应用。该材料通过将渔业废弃物牡蛎壳碾磨成100‑120目粒径大小的微粉，并以这些牡蛎壳微粉为基体，采用表面印迹技术，制得牡蛎壳基镉离子印迹材料。该制备方法是先对牡蛎壳微粒进行耐酸性处理，然后将γ‑氨丙基三乙氧基硅烷耦合接枝到牡蛎壳微粉表面，再以Cd（II）为模板离子，在功能单体和交联剂的作用下，通过聚合和洗脱过程,得到以牡蛎壳为基体的新型镉离子印迹材料本发明制得的新型牡蛎壳基镉离子印迹材料可以很好的满足对镉离子专一性吸附的要求，该材料开发周期短，耐受性强，稳定性高，能够应用于复杂环境中镉离子的分离和去除。
一种新型牡蛎壳基镉离子印迹材料及其制备方法应用

[发明专利]一种低体电荷积聚量的聚苯乙烯基纳米复合绝缘材料-CN202210380576.X在审
发明人：雷志鹏;门汝佳;李媛媛;张建花;郭美卿;韩坤莹;程瑞;宋建成 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C08L25/06 文献下载
摘要：本发明提供一种低体电荷积聚量的聚苯乙烯基纳米复合绝缘材料，其具体是制备纳米核‑硒化镉纳米粉末，在硒化镉纳米粉末上包覆硫化锌得到核壳纳米‑硫化锌包覆硒化镉纳米粉末，测量核壳纳米‑硫化锌包覆硒化镉纳米粉末的直径和形状；将核壳纳米‑硫化锌包覆硒化镉纳米粉末与聚苯乙烯分别溶解在二氯甲烷中进行混合，聚苯乙烯基纳米复合绝缘材料。本发明添加的硫化锌包覆硒化镉纳米粉末为核壳球体，在聚苯乙烯中以较小的团簇形式存在，与聚苯乙烯形成较好的相互作用，改善了聚苯乙烯在电场作用下的性能，可以有效降低高电场下聚苯乙烯中空间电荷积聚量。本方法制得的聚苯乙烯基纳米复合绝缘中的纳米粉末分散性好，所需的硫化锌包覆硒化镉纳米粉末含量低，成本低。
一种电荷积聚聚苯乙烯纳米复合绝缘材料

[发明专利]一种铁尾矿砂基生物炭的制备方法和处理含镉废水的应用-CN202310328976.0在审
发明人：张晓晴;李鑫;任大军;张淑琴 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开一种铁尾矿砂基生物炭的制备方法和处理含镉废水的应用。包括以下步骤：将花生壳水洗、干燥、筛分后，与铁尾矿砂按混合置于管式炉中，升温至700℃热解2h，制备出多孔结构的磁性铁尾矿砂基生物炭复合材料；在pH为2～8，反应时间6h，铁尾矿砂基生物炭复合材料投加量为0.3～0.6g/L，处理镉浓度为10～70mg/L的废水，复合材料对镉为多层吸附，吸附容量达90.6mg/g。本发明采用农业废弃物花生壳和矿冶废弃物铁尾矿砂制备铁尾矿砂基磁性增强生物炭复合材料，具有优良的机械强度和丰富的活性官能团，提高了废水中镉的去除率和去除效率，可回收再利用，有效实现了固废资源化利用。
一种尾矿生物制备方法处理废水应用

[发明专利]一种核桃壳基生物炭及其制备方法和应用-CN201910481691.4在审
发明人：侯浩波;王涵霏;陈思;冯露 -专利权人：肇庆市珈旺环境技术研究院;武汉大学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： B01J20/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种核桃壳基生物炭及其制备方法和应用。将核桃壳经过烘干、破碎、球磨及过筛处理，得到核桃壳粉，将核桃壳粉末置于保护氛围下进行热解处理，即得核桃壳基生物炭；将核桃壳基生物炭作为吸附材料应用于复杂重金属溶液体系中铜离子和铅离子的吸附去除，核桃壳基生物炭对铜离子和铅离子表现出较高的竞争吸附能力，能够实现铜离子和铅离子与锌离子及镉离子等金属离子的分离。
核桃壳生物炭铅离子铜离子制备方法和应用核桃壳粉末重金属溶液过筛处理核桃壳粉金属离子竞争吸附吸附材料锌离子镉离子烘干球磨热解吸附去除破碎应用表现

[发明专利]一种除镉功能化牡蛎壳材料的制备方法及其产品-CN202310372653.1在审
发明人：范立维;卢泽湘;银文琴;梁林;王瑞 -专利权人：福建农林大学
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B01J20/24 文献下载
摘要：本发明提供一种除镉功能化牡蛎壳材料的制备方法及其产品，所述方法步骤如下：(1)牡蛎壳用稀盐酸和氢氧化钠溶液浸泡，再用清水洗净，放入干燥箱中烘干，冷却后研磨成100‑120目牡蛎壳粉OS备用；(2)称取一定量牡蛎壳粉，以甲苯为反应溶剂，在50～130℃条件下，逐滴加入3‑巯丙基三乙氧基硅烷(MPTES)，磁力搅拌回流反应完成后，用丙酮、乙醇充分洗涤，放入真空干燥箱中干燥，制得巯基功能化牡蛎壳材料(MPTES‑OS)本发明制备方法周期短、工序少，具有更强的实用性，首次使用MPTES对牡蛎壳进行疏基改性，制备的产品提高了材料的除镉效能，材料同时具有很好的稳定性以及重复利用性，为镉的去除提供更多材料选择。
一种功能牡蛎材料制备方法及其产品

[发明专利]一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法-CN202010541022.4有效
发明人：高达;王丛;王经纬;刘铭;宁提 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法，本发明在硅基碲化镉的最后阶段，即硅基碲化镉经过高温退火之后，增加一个工艺流程生长预设厚度的碲化镉层，且不经退火，实验证明，该方法能够使得碲化镉表面粗糙度减小至1nm以下，从而能够大大提高硅基碲化镉复合衬底的成品率，进而提高了硅基碲化镉的整体品质。
一种硅基碲化镉复合衬底预处理方法

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292902.9在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基复合衬底材料件依次进行除气处理和束流校正，硅基复合衬底材料件包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；在束流校正后的硅基复合衬底材料件的碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲镉汞导电层；在高电导率碲镉汞导电层上外延生长碲镉汞吸收层。碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基复合衬底材料件，包括层叠设置的硅基衬底层和碲化镉复合衬底层；p型掺杂高电导率碲镉汞导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲镉汞导电层上
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法-CN202210563273.1有效
发明人：王凯;默壵;濮超丹 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米半导体材料技术领域，主要是一种锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的制备方法，首先将锰前驱体溶液加热后与硒化镉量子点前驱体溶液混合，制备得到锰扩散掺杂硒化镉量子点；然后将锰扩散掺杂硒化镉量子点与非极性溶剂混合加热后，注入硫前驱体溶液，反应得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点溶液，清洗、干燥，得到锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点。本发明操作较为简单，可控性较高，具有较好的复现性，且核壳尺寸与锰掺杂浓度均可调控，利于锰扩散掺杂硒化镉/硫化镉核壳结构量子点的规模化生产。
一种扩散掺杂硒化镉硫化镉核壳结构量子制备方法

[发明专利]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法-CN201610896191.3在审
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本发明的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法

[实用新型]一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料-CN201621124857.5有效
发明人：王经纬;高达;王丛;刘铭;强宇;周立庆 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本实用新型的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞短波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.4～0.41；所述碲镉汞阻挡层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.5～0.55；所述碲镉汞中波吸收层为Hg1‑xCdxTe，其中x＝0.3～0.31。借助于本实用新型的技术方案，得到了一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，填补了现有技术中没有硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料的空白。
一种硅基短中波叠层双色碲镉汞材料

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法-CN202011292895.2在审
发明人：王经纬;刘铭;宁提;谭振;王成刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法。碲镉汞红外探测器芯片的制备方法，包括：对硅基衬底层依次进行除气处理和束流校正；在束流校正后的硅基衬底层上外延生长碲化镉复合衬底层；在碲化镉复合衬底层上外延生长p型掺杂高电导率碲化镉导电层；在p型掺杂高电导率碲化镉导电层上外延生长碲镉汞吸收层碲镉汞红外探测器芯片，包括：硅基衬底层；碲化镉复合衬底层，层叠设置于硅基衬底层上；p型掺杂高电导率碲化镉导电层，层叠设置于碲化镉复合衬底层上；碲镉汞吸收层，层叠设置于p型掺杂高电导率碲化镉导电层上。
碲镉汞红外探测器芯片及其制备方法

[发明专利]一种硒化镉-硫化镉-硫化锌核多壳结构量子点的制备方法及回音壁式光学微腔器件-CN202010758451.7在审
发明人：陈锐;王雄彬;余佳豪 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点的制备方法，所述方法通过胶体溶液法制备得到硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点，制备方法简单，且能够制得温度敏感性低的硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点；本发明还通过将硒化镉‑硫化镉‑硫化锌核多壳结构量子点涂覆在光纤表面，形成回音壁模式的光学微腔，来产生激光，以简单的方法制备得到温度敏感性较低的微纳激光器，具有良好的应用前景。
一种硒化镉硫化硫化锌核多壳结构量子制备方法回音壁光学器件

[发明专利]一种基于镉基胶体量子点光催化产双氧水的方法及应用-CN202210259229.1有效
发明人：李洋;侯小琪;戴宁 -专利权人：国科大杭州高等研究院
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： C01B15/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于镉基胶体量子点光催化产双氧水的方法及应用，量子点催化剂的制备方法为：以热注入法合成硒化镉量子点，经提纯后包裹硫化镉及硫化锌壳层。
一种基于胶体量子光催化双氧水方法应用

[发明专利]一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法-CN201410687093.X有效
发明人：张忠平;蒋阳;蓝新正;常亚婧;姚旭东;王辉;李国鹏 -专利权人：巢湖学院
申请日： 2014-11-25 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉量子点的合成方法以及Ⅱ型碲化镉核壳量子点的合成方法，其中碲化镉量子点的合成方法是在室温下将镉源、碲源、配体和有机介质加入反应釜中，在氮气或氩气保护下升温至220℃保温反应5-20min，随后升温至230-245℃保温反应5-30min，得到碲化镉量子点。本发明Ⅱ型碲化镉核壳量子点的化学结构式为CdTe/CdSe或CdTe/CdS，碲化镉量子点包壳硒化镉或硫化镉的过程采用无膦原位加热法进行。本发明合成的碲化镉量子点和Ⅱ型碲化镉核壳量子点发射在530-800nm，在550-650nm波段荧光量子产率≥40％，最高可达75％。
一种碲化镉量子合成方法以及型碲化镉核壳

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