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[实用新型]基片处理装置-CN200620017972.2无效
发明人：许生;徐升东;庄炳河 -专利权人：深圳豪威真空光电子股份有限公司
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基片处理装置，该基片处理装置包括：基片处理室、用于在基片处理室内承托基片的基片承托架、对基片承托架所承托的基片进行处理的基片处理器，其中该基片处理装置进一步包括用于传动基片处理器的处理器传动装置通过采用上述结构，使得基片处理器能够以移动扫描的方式对静止的基片进行处理，使基片处理室的长度减小，节约制造成本，并通过往复扫描方式提高了基片的处理效果，结构简单实用，可控性强。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN201810292181.8有效
发明人：坂田一成 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够维持基片的处理能力并减小基片处理装置的设置面积基片处理装置。本发明的基片处理装置，其包括：在真空气氛下处理基片的基片处理部；与上述基片处理部连接的、在大气气氛下运送上述基片的基片运送部；和配置在上述基片处理部与上述基片运送部之间的、能够在大气气氛与真空气氛切换的负载锁定部，上述负载锁定部的至少一部分被配置在上述基片运送部的内部。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202210724170.9在审
发明人：福井祥吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供能够更可靠地防止在下表面附着有液体的基片被投入到干燥处理部的基片处理装置。本发明的基片处理装置包括：基片输送部，其用于输送上表面被处理液润湿的状态的基片；和干燥处理部，其用于使被所述处理液润湿的状态的所述基片干燥，所述干燥处理部包括：交接区域，其用于在与所述基片输送部之间进行所述基片的交接；和干燥区域，其用于进行所述基片的上表面的干燥处理，在所述交接区域设置有：基片支承部件，其能够将从所述基片输送部接收到的所述基片以水平姿态支承；和基片下表面干燥部，其能够通过向由所述基片支承部件支承的所述基片的下表面吹送气体来进行所述下表面的干燥
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN201811240941.7在审
发明人：田中幸二;池田贵志;益富裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
处理液供给喷嘴基片处理装置基片处理处理液调压板蚀刻划分区域排出口喷嘴排排出流通

[实用新型]基片处理装置-CN201821724128.2有效
发明人：田中幸二;池田贵志;益富裕之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能够均匀地蚀刻基片的基片处理装置。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽、处理液供给喷嘴和调压板。处理液供给喷嘴设置在基片处理槽内的下方，从多个排出口排出处理液。调压板设置在处理液供给喷嘴与基片处理槽内的基片之间，具有使处理液流通的多个孔，调节从处理液供给喷嘴排出的处理液的流入压力。另外，调压板具有从处理液供给喷嘴侧的面突出且将处理液供给喷嘴侧的面划分为多个划分区域的棱。
处理液供给喷嘴基片处理装置基片处理处理液调压板蚀刻本实用新型划分区域排出口喷嘴排排出流通

[实用新型]基片处理装置-CN202020720543.1有效
发明人：天野嘉文;相浦一博 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-06 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供基片处理装置和基片处理方法。本实用新型的一方式的基片处理装置包括保持部、喷嘴臂和对位机构。保持部保持基片。喷嘴臂具有对基片的周缘部供给处理液的喷嘴。对位机构设置于喷嘴臂，用于使基片的位置与保持部中的所设定的位置对准。本实用新型能够高精度地蚀刻基片的周缘部。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN201811139512.0在审
发明人：稻富弘朗;中村彻;木本晃司;青山义尚 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置，处理由运送装置运送的基片。另外，各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理，超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触，使液膜形成处理后的基片干燥。而且，同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本发明能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。
区块运送液处理液膜超临界干燥干燥组件运送装置基片处理装置移动方向配置超临界状态处理流体基片处理基片干燥区块配置相邻配置上表面最优化

[发明专利]基片处理装置-CN201910413531.6在审
发明人：古闲法久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明说明一种能够抑制臭氧的产生并且有效地处理基片的基片处理装置。基片处理装置包括：能够进行基片的处理的处理室；包含光源的光源室，其中该光源能够对基片的表面照射真空紫外光；能够对光源室内供给非活性气体的气体供给部；和控制部，其执行控制气体供给部以使得将光源室内维持为非活性气体气氛的处理
光源基片处理装置气体供给部非活性气体气氛室内非活性气体真空紫外光表面照射光源室有效地臭氧

[发明专利]基片处理装置-CN201910992484.5在审
发明人：斋藤道茂;金子彰太;山边周平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：处理容器；载置台，其配置在上述处理容器的内部，能够载置基片；配置在上述处理容器与上述载置台之间的形成阳极的部件，上述部件具有供热交换介质流动的流路。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202011576637.7在审
发明人：樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202010736750.0在审
发明人：新村聪;坂井勇治;柴崎健太;高柳康治;矢田健二;稻田博一;关慎一;绪方健人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置。基片处理装置包括：遮罩部件，其配置成包围由旋转保持部保持的基片的周围；收集部件，其配置于遮罩部件与旋转保持部之间的排气路径；和溶剂供给部，其配置在收集部件的上方，构成为能够对收集部件供给溶剂。溶剂供给部包括：内侧贮存室，其构成为当从上方观察时包围基片的周围；外侧贮存室，其构成为当从上方观察时包围内侧贮存室的周围；和分隔壁，其以划分出内侧贮存室和外侧贮存室的方式沿周向延伸。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202011078255.1在审
发明人：稻叶翔吾 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其在一个方面包括：收纳基片的处理室；能够保持基片并使之旋转的旋转保持部；对旋转保持部所保持的基片的表面供给处理液的处理液供给部；排气部，其从设置于比旋转保持部所保持的基片的外周靠外侧的位置的排气口，将处理室内的气体排出；板，其以在旋转保持部所保持的基片的周向上的一部分于表面相对，且在该基片的周向上的其他部分不与表面相对的方式配置在处理室内；和板配置部，其能够切换第一状态和第二状态，其中，第一状态是板在一部分与表面相对的状态根据本发明，在进行需要板的液处理和不需要板的液处理中，能够降低板未使用时对液处理结果的影响。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202110429095.9在审
发明人：池田义谦;平田彻 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制从基片流出的处理液沿着抓持机构和基座板而到达驱动部。本发明的基片处理装置包括抓持机构和基座板。抓持机构抓持基片的周缘部。基座板位于被抓持机构抓持的基片的下方，用于支承抓持机构。此外，基座板包括液排放孔，该液排放孔用于排出从基片沿着抓持机构而流到基座板的上表面的处理液。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202110665753.4在审
发明人：泽地淳;广瀬润;西嶋拓哉;曾根一朗;佐藤优 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地维护腔室的基片处理装置，该腔室规定在其中进行对基片的处理的基片处理空间。本发明的基片处理装置包括第一腔室、基片支承器、致动器、第二腔室和至少一个固定器具。基片支承器和第二腔室配置在第一腔室的内部空间内。致动器使基片支承器在第一位置与第二位置之间移动。在基片支承器处于第一位置时，第二腔室与基片支承器一起规定基片处理空间。在基片支承器处于第二位置时，能够经由第一腔室的开口在第一腔室的内部空间与外部之间运送第二腔室。至少一个固定器具在第一腔室的内部空间中将第二腔室可解除地固定在第一腔室。
处理装置

[发明专利]基片处理装置-CN202210008561.0在审
发明人：堂込公宏;北正知 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其包括：真空输送模块，其具有真空输送空间和开口部；壁单元，其安装在所述开口部，包含第一闸门和第二闸门，所述第二闸门的宽度尺寸比所述第一闸门的宽度尺寸大；基片处理模块，其安装在所述壁单元，具有基片处理空间，所述基片处理空间经由所述第一闸门与所述真空输送空间连通；环存放部，其安装在所述壁单元；和输送机构，其构成为能够在所述真空输送空间与所述基片处理空间之间输送基片，并且构成为能够在所述真空输送空间与所述收纳空间之间输送至少一个环状部件
处理装置

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