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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法、具有半导体器件的电子设备-CN202210814964.4在审
发明人：庞慰;杨清瑞;张孟伦 -专利权人：诺思（天津）微系统有限责任公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L41/047 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，包括：基底，具有在基底的厚度方向上相对的第一侧和第二侧；第一组谐振器单元，设置于基底的第一侧；和第二组谐振器单元，设置于基底的第二侧。基底包括第一基底、第二基底以及在基底厚度方向设置在第一基底与第二基底之间的中间基底，第一基底具有所述第一侧，第二基底具有所述第二侧。第一基底与第二基底分别与中间基底连接，中间基底的厚度大于第一基底以及第二基底的厚度，且至少大于第一基底或第二基底的厚度的5倍。第一基底与第二基底均与中间基底键合连接。
半导体器件及其制造方法具有电子设备

[发明专利]一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法-CN202110753623.6在审
发明人：肖静;李教富 -专利权人：泰山学院
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法，包括以下步骤:提供生长有石墨炔薄膜的生长基底和柔性基底，将所述柔性基底贴合于所述生长有石墨炔薄膜的生长基底以使柔性基底和生长基底从两面夹住石墨炔薄膜，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。本发明晶圆级尺度石墨炔薄膜的转移方法先将柔性基底紧密贴合到石墨炔薄膜上，除去柔性基底与生长基底之间的气泡，刻蚀生长基底，由此实现石墨炔薄膜从生长基底转移至柔性基底上。
一种晶圆级尺度石墨薄膜转移方法

[发明专利]柔性基底接合方法-CN201480063024.X有效
发明人：姜炅秀;孔普敬;崔银姬;朴永善;李宇镇 -专利权人：康宁精密素材株式会社
申请日： 2014-11-18 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： G09F9/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性基底的接合方法，更具体地，涉及一种将柔性基底接合到载体基底以有利于柔性基底的处理的接合方法。为此，本发明提供了一种柔性基底接合方法，所述柔性基底接合方法包括：基底准备步骤，用于准备载体基底和柔性基底；接合步骤，用于在利用传输单元移动载体基底的同时，将载体基底接合到通过卷绕在旋转辊周围而旋转的柔性基底，其中，接合步骤包括使柔性基底的一个边缘与载体基底接触然后沿从一侧至另一侧的方向将柔性基底逐渐地接合到载体基底。
柔性基底接合方法

[发明专利]基底切割装置-CN201910129395.8在审
发明人：金雄;姜景元;金范俊;金志勳;金台东;卢成镐;沈儁皓;沈亨辅;李熙硕;韩在求 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：提供一种基底切割装置。所述基底切割装置包括：基体部分；台，位于基体部分上；分隔构件，与台间隔开；以及排气结构，在单元基底下方并被构造为排出气态物质。台具有被构造为支撑单元基底的顶表面和垂直于顶表面的连接表面，分隔构件面向连接表面并被构造为支撑单元基底。
基底切割装置分隔构件支撑单元顶表面连接表面面向连接排气结构气态物质排出垂直

[发明专利]图案化基底-CN201880065712.8在审
发明人：拉里·勒罗伊·克歇尔;吉尔·玛琳·奥尔;蒂莫西·伊恩·马兰;凯琳·安妮·奥罗拉 -专利权人：宝洁公司
申请日： 2018-10-22 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： A61F15/00 文献下载
摘要：图案化基底具有：第一基底区域，所述第一基底区域被递增机械拉伸为具有皱褶；以及第二基底区域，所述第二基底区域具有完全被所述第一基底区域围绕的多个离散未拉伸部分。
图案基底

[发明专利]金属基底基板-CN201980007558.3在审
发明人：石川史朗;山崎和彦 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底基板(1)，其依次层叠金属基板(10)、绝缘层(20)及金属箔(40)而成，所述金属基底基板的特征在于，所述绝缘层(20)与所述金属箔(40)之间具有密合层(30)，所述密合层(30
金属基底

[发明专利]基底加工方法-CN201910533674.0在审
发明人：堅固山裕子;吉田嵩志 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：基底加工方法的示例包括：使放置在基座上的基底经受等离子体加工；向面对所述基座的射频电极只施加预定的静电去除时间的功率以产生等离子体，由此减少所述基底的电荷量；在使基座销从所述基座的顶表面突出并且提起所述基底的同时测量所述射频电极的自偏压
静电去除自偏压基底射频电极等离子体等离子体加工基底加工控制器电荷量顶表面加长测量施加

[发明专利]金属基底基板-CN201980046971.0在审
发明人：石川史朗;野中荘平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底基板(2)，通过依次层叠金属基板(10)、绝缘层(20)及电路层(40)而成，其中，所述绝缘层(20)包含树脂，所述电路层(40)的膜厚在10μm以上且1000μm以下的范围内，屈服应力在
金属基底

[发明专利]金属基底基板-CN201980047015.4在审
发明人：石川史朗;野中荘平 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种金属基底基板(2)，通过依次层叠金属基板(10)、绝缘层(20)及电路层(40)而成，其中，所述绝缘层(20)包含树脂，所述电路层(40)的膜厚在10μm以上且1000μm以下的范围内，并且单位以
金属基底

[发明专利]皮肤基底入口-CN202080023251.5在审
发明人： J·R·霍金斯;C·拉姆赛;T·伽马什;E·比尔曼 -专利权人：美多斯国际有限公司
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： A61B17/34 文献下载
摘要：本文公开了外科进入稳定装置、系统和方法。例如，本文所公开的这些装置、系统和方法可在外科手术期间用于选择性地建立、稳定和保持外科进入装置的期望轨线和/或定位。示例性外科进入稳定装置可包括：具有面向远侧的粘合剂表面以粘合到锚定部表面的垫、联接到垫的外科进入装置和相对于垫选择性地锁定外科进入装置的位置的锁定机构。在一个实施方案中，锚定部表面可为患者的皮肤。示例性外科进入装置稳定方法可包括：在患者体内的手术部位处制造切口；穿过切口插入外科进入装置；将垫粘合到锚定部表面例如患者的皮肤；将外科进入装置联接到垫；以及相对于垫选择性地锁定外科进入装置的位置。本文还提供了其它示例性装置、系统和方法。
皮肤基底入口

[发明专利]基底切割方法-CN202111292341.7在审
发明人：陆瑾宇;金茂显;赵晟佑 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-11-03 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：一种基底切割方法，包括：准备第一基底，在所述第一基底中，彼此间隔开的多个第一有源区域和围绕所述第一有源区域的第一非有源区域限定在平面中；在所述第一基底上形成粘合层，其中，所述粘合层设置在所述第一有源区域内；设置第二基底，在所述第二基底中，彼此间隔开的多个第二有源区域和围绕所述第二有源区域的第二非有源区域限定在所述平面中；以及使用激光束沿着所述第二基底的切割线切割所述第二基底，所述切割线对应于所述第二有源区域与所述第二非有源区域之间的边界所述粘合层不与所述第二基底的所述切割线重叠。
基底切割方法

[发明专利]基底传输设备-CN202210916129.1在审
发明人： R.T.卡夫尼 -专利权人：博鲁可斯自动化美国有限责任公司
申请日： 2016-07-11 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：一种基底传输设备，包括连接至框架的驱动器区段和多驱动器轴主轴，多驱动器轴主轴具有至少一个同轴的轴主轴，串联设置的多于一个不同的可互换马达模块，具有可操作联接至其的马达并且限定对应的独立驱动器轴线，以及罐形密封件
基底传输设备

[发明专利]铜基底基板-CN202180025042.9在审
发明人：石川史朗;原慎太郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明的铜基底基板为依次层叠有铜基板、绝缘层及电路层的铜基底基板，所述绝缘层的厚度(单位：μm)与所述绝缘层在100℃时的弹性模量(单位：GPa)之比为50以上，所述电路层在100℃时的弹性模量为100GPa
基底

[发明专利]金属基底基板-CN202180025264.0在审
发明人：石川史朗;原慎太郎 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H05K1/05 文献下载
摘要：本发明的金属基底基板为通过依次层叠金属基板、绝缘层及电路层而成的金属基底基板，所述绝缘层包含绝缘树脂和无机物填料，绝缘层在100℃的弹性模量(单位：GPa)、电路层在100℃的弹性模量(单位：GPa)、
金属基底

[发明专利]基底分离装置-CN201410076306.5有效
发明人：李承俊;李荣佑;金俊亨 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-03-04 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： B32B38/10 文献下载
摘要：一种分离彼此接触的第一基底和第二基底的基底分离装置，该装置包括固定第一基底并沿由彼此垂直相交的X轴和Y轴组成的XY坐标系中的正X轴方向传送第一基底的上传送部件以及被设置在上传送部件下方并且其间具有间隙并固定和传送第二基底的下传送部件，其中下传送部件包括沿正X轴方向传送第二基底的第一传送部分以及沿正X轴方向和负Y轴方向传送第二基底的第二传送部分。
基底分离装置

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