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- [发明专利]基准电压电路-CN201610116849.4在审
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宇都宫文靖
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精工半导体有限公司
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2016-03-02
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2016-09-14
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G05F1/56
- 提供能够从低电压以低消耗电流输出对温度变化的变化少且低的GND端子基准的电压的基准电压电路。构成为具备以电流反射镜电路连接的第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管的栅极经由第一电阻与漏极连接，所述第二NMOS晶体管的栅极与第一NMOS晶体管的漏极连接，源极经由第二电阻与GND端子连接，阈值电压低于第一NMOS晶体管的阈值电压，从第二NMOS晶体管的源极输出基准电压。
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN202110955026.1在审
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椎名美臣
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艾普凌科有限公司
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2021-08-19
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2022-02-22
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G05F1/56
- 提供基准电压电路，供给相对于电源电压的变动抑制了电压变动的基准电压。基准电压电路具有：基准电压发生电路，其产生基准电压，并具有向输出端子供给的输出线；以及输出控制电路，该输出控制电路具有：输出晶体管，该输出晶体管具有漏极、源极、以及被输入控制电压的栅极；以及稳定化晶体管，该稳定化晶体管具有漏极、与所述输出晶体管的源极连接的栅极、以及与所述输出晶体管的漏极连接的源极，该稳定化晶体管的栅极‑源极间电压构成为所述输出晶体管的饱和区中的漏极‑源极间电压以上，该输出控制电路控制基准电压向所述输出端子的供给
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN202111090560.7在审
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泽井英幸;冨冈勉
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艾普凌科株式会社
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2021-09-17
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2022-05-06
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G05F3/26
- 本发明提供一种温度依存性小的基准电压电路。所述基准电压电路，包括：第一NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管；第二NPN晶体管，集电极与基极短路且连接有二极管，发射极连接于第一电位节点，且以比第一NPN晶体管大的电流密度运行；第一电阻，与第一NPN晶体管串联连接；第二电阻，一端连接于第一NPN晶体管及第一电阻串联连接的电路；第三电阻，一端连接于第二NPN晶体管的集电极；连接点，供第二电阻的另一端与第三电阻的另一端连接；运算放大电路，在第二电阻的一端连接有反相输入端子，在第三电阻的一端连接有非反相输入端子，且在连接点连接有输出端子；以及电流供给电路，连接于第一NPN晶体管的集电极。
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN201510134547.5有效
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林桂江;任连峰;陈荣金;杨凤炳;谢文卉
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厦门新页科技有限公司
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2015-03-26
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2017-02-22
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G05F1/56
- 本发明公开一种基准电压电路，其包括启动电路、正温度系数基准电路和偏置电压电路；其中偏置电压电路包括PMOS管MP3、电阻R2和负温度器件，该负温度器件为具有负温度系数的MOS管；PMOS管MP3的漏极依次串联负温度器件和电阻后接地，其中，负温度器件采用PMOS管或者NMOS管实现；正温度系数基准电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN3、NMOS管MN4和电阻R1，偏置电压电路包括PMOS管MP3、PMOS管MP4本发明的技术方案采用了正温度系数基准电路和负温度系数的器件，产生的基准电压就具有温度补偿作用，最终产生的基准电压随温度变化的影响就比较小。这保证了整个电路在高低温工作时的稳定性，提高了电路的整体性能。
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN201210363657.5有效
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山崎太郎;宇都宫文靖
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精工电子有限公司
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2012-09-26
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2013-04-03
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G05F3/26
- 本发明提供一种基准电压电路，工艺变动引起的偏差因素较少。基准电压电路具有：第1MOS晶体管；第2MOS晶体管，其栅极端子与第1MOS晶体管的栅极端子连接，具有比第1MOS晶体管的阈值绝对值高的阈值绝对值和比第1MOS晶体管的K值高的K值；电流镜电路，其流过基于第1MOS晶体管与第2MOS晶体管的阈值绝对值之差的电流；第3MOS晶体管，其流过电流镜电路的电流；以及第4MOS晶体管，其具有比第3MOS晶体管的阈值绝对值高的阈值绝对值和比第3MOS晶体管的K值高的K值，流过电流镜电路的电流，基准电压电路输出基于第3MOS晶体管与第4MOS晶体管的阈值绝对值和K值之差的恒定电压，作为基准电压。
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN201110080233.3有效
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铃木照夫
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精工电子有限公司
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2011-03-23
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2011-09-28
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G05F3/30
- 本发明提供电路规模小且具有电压有连续性的软起动功能的基准电压电路。一种基准电压电路，其中包括基准电压部和软起动电路，该基准电压部包括耗尽型MOS晶体管和第一增强型MOS晶体管，该软起动电路包括：第二增强型MOS晶体管，其栅极与第一增强型MOS晶体管的栅极及漏极连接，且漏极与基准电压电路的输出端子连接；MOS开关，其一个端子与基准电压部的输出端子连接，且另一端子与第二增强型MOS晶体管的漏极连接；以及恒流源和电容，它们在电源与接地间串联连接。
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN200810210436.8有效
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井村多加志
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精工电子有限公司
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2008-08-15
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2009-02-18
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G05F1/56
- 本发明提供一种即使电源电压降低、电源电压变动去除比也很大的基准电压电路。即使电源端子(10)的电源电压降低，NMOS晶体管(71)非饱和动作，NMOS晶体管(71)的输出电阻(ro71)降低，只要差动放大电路(60)的放大率(Ao)大，则电源电压变动去除比(PSRR基准电压电路的最低动作电压降低，也能够使电源电压变动去除比(PSRRLF)变大。即，差动放大电路(60)的放大率(Ao)影响电源电压变动去除比(PSRRLF)，所以，只要差动放大电路(60)的放大率(Ao)大，则电源电压变动去除比(PSRRLF
- 基准电压电路
- [发明专利]基准电压电路-CN202010488301.9有效
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马亮;张登军;查小芳
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珠海博雅科技有限公司
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2020-06-02
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2021-09-21
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G05F1/575
- 公开了一种基准电压电路，包括分别连接在电源与地之间的启动电路、正负温度系数电流生成电路和基准电压生成电路，启动电路用于提供启动正负温度系数电流生成电路的偏置电压信号，正负温度系数电流生成电路启动后并维持工作状态，提供正温度系数电流和负温度系数电流，基准电压生成电路镜像正温度系数电流和负温度系数电流并叠加，获得零温度系数电流，并根据该零温度系数电流输出基准电压。其中，本发明的基准电压电路的正负温度系数电流生成电路采用工作在亚阈值区的NMOS管实现正负温度系数电流的正负温度响应，NMOS管较双极性晶体管在更小的工艺节点下具有更好的性能保障，可以适应更小的工艺节点技术，提供性能良好的零温度系数的基准电压。
- 基准电压电路
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