“型锑化物二类”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10805373个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法-CN202010341299.2有效
发明人：聂碧颖;马文全;黄建亮;张艳华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：一种自制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法，自制冷型锑化物超晶格红外探测器包括：衬底；缓冲欧姆接触层，形成于所述衬底上；发射极层，形成于所述缓冲欧姆接触层上；所述发射极层包括n型重掺杂InAs/GaSb二类超晶格；微制冷区，形成于所述发射极层上；所述微制冷区由下到上依次包括AlxGa1‑xSb势垒、InAs量子阱和GaSb势垒，其中，0.5＜x＜1；超晶格制冷区，形成于所述微制冷区上；所述超晶格制冷区包括InAs/GaSb本征二类超晶格；集电极层，形成于所述超晶格制冷区上。本发明使得锑化物超晶格红外探测器能在更高的温度下工作，提高锑化物超晶格红外探测器的工作性能。
制冷型锑化物超晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法-CN201110027237.5有效
发明人：迂修;张宇;王国伟;徐应强;徐云;宋国峰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb
型锑化物二类量子外延生长方法

[发明专利]平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法-CN201510615752.3有效
发明人：黄勇;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺，同时本发明因采用了特殊设计的pin型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。
平面结构锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法

[发明专利]一种界面控制方法及装置-CN201611146013.5有效
发明人：彭少朋;王文章;林楠 -专利权人：联想(北京)有限公司
申请日： 2016-12-13 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G06F1/3206 文献下载
摘要：本发明提供一种界面控制方法及装置，在获取电子设备所配置的显示装置的类型后，当显示装置的类型为第一类型时，控制显示装置调用与第一类型相匹配的第一类型界面，并在显示装置上显示第一类型界面；当显示装置的类型为第二类型时，控制显示装置调用与第二类型相匹配的第二类型界面，并在显示装置上显示第二类型界面。其中第二类型界面中至少第一类型色调的占比大于第二类型界面中第二类型色调的占比，第一类型色调的功耗小于第二类型色调的功耗，这样当显示装置显示第二类型界面时，通过配置第二类型界面中第一类型色调和第二类型色调的占比可以降低显示装置的功耗
一种界面控制方法装置

[发明专利]红外光探测器及其制作方法-CN201811061275.0有效
发明人：黄勇;赵宇;吴启花;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、N型衬底以及依序叠层于N型衬底的第一表面上的N型超晶格吸收层、N型超晶格势垒层和N型超晶格接触层，N型超晶格接触层中形成有多个P型超晶格接触部，多个P型超晶格接触部彼此独立，第一电极设置于N型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个P型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。
红外光探测器及其制作方法

[发明专利]红外光探测器及其制作方法-CN201811274091.2有效
发明人：赵宇;吴启花;黄勇;熊敏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外光探测器，包括第一电极、多个第二电极、P型衬底以及依序叠层于P型衬底的第一表面上的P型超晶格吸收层、P型超晶格势垒层和超晶格接触层，超晶格接触层包括彼此独立的多个N型超晶格接触部和包围各个N型超晶格接触部的P型超晶格隔离部，第一电极设置于P型衬底的与第一表面相对的第二表面上，多个第二电极彼此独立，每个N型超晶格接触部上设置对应的一个第二电极。本发明解决了如何将平面结构整合到锑化物二类超晶格异质结红外探测器的问题。
红外光探测器及其制作方法

[发明专利]一种云资源的同步方法、装置、节点及存储介质-CN202010683144.7在审
发明人：李亚楠;于长江 -专利权人：中移(苏州)软件技术有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H04L67/1095 文献下载
摘要：该方法包括：通过第一类型云平台上的管理平台，接收对第二类型云资源的同步请求；第二类型云资源位于第二类型云平台上；第一类型云平台与第二类型云平台上的资源空间互相隔离；通过第二类型服务组件，对同步请求进行认证；第二类型服务组件包含第二类型云平台提供的认证信息和资源接口；第二类型服务组件部署在第一类型云平台的管理节点上；当同步请求认证成功时，通过第二类型服务组件，将第二类型云资源同步至第一类型云平台进行使用。
一种资源同步方法装置节点存储介质

[发明专利]一种半导体器件及制造方法-CN202211501160.5在审
发明人：斯特芬·霍兰;汉斯-马丁·里特 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的公开涉及一种半导体器件和制造方法，该器件包括至少三个区域，其中每个区域包括掺杂有第一类型电荷载流子的第一类型层和掺杂有第二类型电荷载流子的第二类型层，其中第一类型层和第二类型层沿着每个区域横向地定位，其中第一类型层和第二类型层具有相反的极性，其中一区域的第一类型层基本上横跨相邻区域的第二类型层定位，并且一区域的第二类型层基本上横跨相邻区域的第一类型层定位，并且其中每个区域包括掺杂有第二类型电荷载流子的第二类型阱，其中第二类型阱围绕至少第一类型层定位。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]在分布式账本系统中执行交易的并行执行-CN201980004116.3在审
发明人：谢桂鲁 -专利权人：阿里巴巴集团控股有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： G06Q20/38 文献下载
摘要：一个方法包括：接收多个交易；确定每个交易是第一类型交易还是第二类型交易；对于第一类型交易，确定受第一类型交易影响的账户；对于第二类型交易，预先执行第二类型交易，并确定受预先执行第二类型交易影响的账户；执行与多个交易及受预先执行第二类型交易影响的账户有关的共识处理；将多个交易分组；并行执行交易组；提交对每个第一类型交易的执行；如果受执行第二类型交易影响的每个账户与受预先执行第二类型交易影响的账户相同，且受执行第二类型交易影响的账户不受任何先前执行的交易影响，提交对第二类型交易的执行
分布式账本系统执行交易并行

[发明专利]一种消除高电场的器件-CN201710642100.8有效
发明人：章文通;詹珍雅;李珂;余洋;梁龙飞;乔明;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种消除高电场的器件，其元胞结构包括衬底、源极接触电极、漏极接触电极、栅电极、栅氧化层、第二类型漂移区、第二类型条、第一类型条、第二类型buffer区、第一类型阱区、第二类型重掺杂区、第一类型重掺杂区、第三类型重掺杂区；本发明将第二类型条的左端延伸至第一类型阱区内部且不与第二类型重掺杂区相连接，第一类型条的右端延伸至第二类型buffer区内部，使得左端第二类型条同时被多面的第一类型杂质耗尽，右端第一类型条同时被多面的第二类型杂质耗尽，使得超结边缘的电场尖峰被削弱，避免器件提前击穿，进一步提高超结器件的击穿电压，第二类型条左侧延伸至第一类型阱区内部，减小了开态时器件的沟道电阻，从而降低器件的比导通电阻。
一种消除电场器件

[发明专利]三极管-CN201310456663.X有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域被施加相同的电压。
三极管

[发明专利]三极管-CN201310456033.2有效
发明人：郑志男 -专利权人：天钰科技股份有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明涉及一种三极管，包括第一类型衬底；一第二类型阱区；一第一类型轻掺杂区域；一第二类型高掺杂区域；一第一类型高掺杂区域；该第一类型高掺杂区域、该第二类型高掺杂区域、该第一类型轻掺杂区域、该第二类型阱区及该第一类型衬底依次层叠设置，该第一类型轻掺区域为该三极管之集电极区域，该第二类型高掺杂区域为该三极管之基极区域，该第一类型高掺杂区域为该三极管之发射极区域，该第二类型阱区与该第二类型高掺杂区域之间形成一导电通道。
三极管

[实用新型]静电释放ESD保护结构及含有其的芯片-CN201620932043.8有效
发明人：赵振威 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了静电释放ESD保护结构及含有其的芯片，ESD保护结构包括衬底；衬底上并排的第一至第六阱区；第一阱区中的第一第一类型掺杂区、第一第二类型掺杂区和第一第二类型栅氧区；第二阱区中的第七第二类型掺杂区、第七第一类型掺杂区和第二第一类型栅氧区和第八第一类型掺杂区；第一和第二阱区交接处的第二第二类型掺杂区；第三阱区中的第三第一类型掺杂区；第四阱区中的第四第二类型掺杂区；第五阱区中的第八第二类型掺杂区、第二第二类型栅氧区、第九第二类型掺杂区和第九第一类型掺杂区；第六阱区中的第六第一类型掺杂区、第六第二类型掺杂区和第一第一类型栅氧区；第五和第六阱区交接处的第五第一类型掺杂区。
静电释放 esd 保护结构含有芯片

[发明专利]一种内容推荐方法、装置及相关产品-CN202111399259.4在审
发明人：董喆 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：方法中先确定消费过第一类型对象推荐的内容的第二类型对象。根据第二类型对象的历史内容消费行为获取第二类型对象的特征。根据多位第二类型对象的特征构建第一类型对象的特征。根据第一类型对象的特征向第一类型对象推荐内容，以供第一类型对象进行内容推荐。由于向第一类型对象推荐的内容是以第一类型对象的特征作为依据，且第一类型对象的特征是通过消费过其推荐内容的第二类型对象的特征获取的，因此是以第二类型对象的特征为导向推荐内容给第一类型对象，以便第一类型对象向第二类型对象推荐更加满足第二类型对象实际需求的内容本方案有助于实现第一类型对象对受众的内容精准推荐。
一种内容推荐方法装置相关产品

[发明专利]一种针对车规级鲁棒性优化的ESD/TVS防护半导体-CN202310478518.5在审
发明人：杨帆;姜一波;吴瑕 -专利权人：江苏庆延微电子有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对车规级鲁棒性优化的ESD/TVS防护半导体，在第二类型半导体衬底上以外延生长或者底面键合的方法得到第一类型半导体外延，所述第二类型半导体衬底为半导体基底，所述第一类型半导体外延为半导体外延；所述第二类型半导体衬底用于为连通晶圆底面并为整个芯片提供机械支撑；在第二类型主级机构重掺杂区中经注入或者有源扩散形成第二类型主级机构重掺杂区、第二类型次级机构重掺杂区、第二类型次级机构中掺杂区；有源区层间金属连接与第二类型主级机构重掺杂区、有源区层间金属连接与第二类型次级机构重掺杂区之间通过硅化物或者简并重掺杂形成良好的低阻欧姆接触。
一种针对车规级鲁棒性优化 esd tvs 防护半导体

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条