“型铌酸锂”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2963879个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构的电光偏振旋转器-CN201710952220.8有效
发明人：郑远林;孙启超;丁婷婷;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：一种电光偏振旋转器，包括：依次设置于铌酸锂基底上的二氧化硅层、铌酸锂晶体薄膜层和绝缘介质保护层，铌酸锂晶体薄膜层中设有周期性的铌酸锂脊型波导、划槽以及设置于划槽内的嵌入式电极，藉由在铌酸锂脊型波导的侧面方向上施加电场，通过横向电光效应，实现输入光在铌酸锂脊型波导中的偏振旋转。本发明利用周期性极化铌酸锂脊型波导结构，具有电光控制、体积小、驱动电压低、响应速度快、偏振精度高、可集成、损伤阈值高等优点。
基于周期性极化铌酸锂脊型波导结构电光偏振旋转

[发明专利]一种微米级铌酸锂脊型波导及制备方法-CN202310109828.X在审
发明人：黎浩;张玉婷;刘时杰;郑远林;陈险峰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本申请公开了一种微米级铌酸锂脊型波导，包括铌酸锂薄膜层、二氧化硅缓冲层以及称底层，所述铌酸锂薄膜层、所述二氧化硅缓冲层以及所述称底层依次层叠，所述铌酸锂薄膜层的厚度为1‑5微米。本申请还公开了制备微米级铌酸锂脊型波导的方法。该方法适用于1‑5微米厚度铌酸锂薄膜，采用紫外光刻结合干法刻蚀的制备铌酸锂脊型波导的方案，兼容于传统半导体工艺，具有低成本高效、可大规模制备、可直接大量应用等优势，对现有技术改动较小，却能达到很好的效果
一种微米级铌酸锂脊型波导制备方法

[发明专利]纳米金-铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子型染料的方法-CN202010675527.X有效
发明人：刘晓燕;司东辉;贾碧;张均;范保艳;邢安 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米金‑铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子型染料的方法，首先制备纳米金‑铌酸锂复合材料；所述复合材料包括铌酸锂基底，该铌酸锂基底为平行于c轴晶轴的单畴结构，在该铌酸锂基底的+Z面上附着有纳米金；然后将纳米金‑铌酸锂复合材料附着有纳米金的面朝上置于阴离子型染料溶液中，并对纳米金‑铌酸锂复合材料施以近红外光照射，吸附在纳米金表面的阴离子型染料被氧化降解。采用本发明的显著效果是，通过对纳米金‑铌酸锂复合材料进行近红外光照射，使纳米金产生表面等离子体共振效应，电子从纳米金迁移至铌酸锂基底使纳米金表面聚集正电荷，能够充分吸附甲基橙等阴离子型染料并实现直接氧化降解
纳米铌酸锂复合材料光诱导降解阴离子染料方法

[发明专利]基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件-CN202211167513.2在审
发明人：蔡鑫伦;张仙 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：本发明涉及光学器件技术领域，提出一种基于异质集成薄膜铌酸锂片上耦合结构、制备方法及光器件。其中，包括薄膜铌酸锂光子芯片，薄膜铌酸锂光子芯片上通过异质集成晶圆键合技术集成有III‑V有源波导层；薄膜铌酸锂光子芯片上设置有铌酸锂波导层，铌酸锂波导层的输出端与III‑V有源波导层的输入端垂直倏逝波耦合；III‑V有源波导层上覆盖有N型金属电极和P型金属电极。本发明通过异质集成晶圆键合技术将III‑V有源波导层集成到铌酸锂光子芯片上，实现了薄膜铌酸锂平台片上光探测的功能。III‑V有源波导层与薄膜铌酸锂光子芯片通过优化设计的III‑V/LN模斑转换器以垂直倏逝波耦合的方式光学互连，实现III‑V有源波导层与铌酸锂波导之间的高效率耦合。
基于集成薄膜铌酸锂片上耦合结构制备方法器件

[实用新型]基于周期极化铌酸锂薄膜波导结构的上转换单光子探测器-CN202021619978.3有效
发明人：梁龙跃;郑名扬;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2020-08-06 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及基于周期极化铌酸锂薄膜波导结构的上转换单光子探测器，其可以包括泵浦光源、波分复用器、周期极化铌酸锂波导和光电二极管。其中，波分复用器通过保偏光纤连接周期极化铌酸锂波导。周期极化铌酸锂波导为在经周期极化的铌酸锂薄膜材料中的铌酸锂薄膜上形成的脊型波导，并且泵浦光源采用分布式反馈激光器。
基于周期极化铌酸锂薄膜波导结构转换光子探测器

[发明专利]片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法-CN202110427472.5在审
发明人：张磊;杨林;付鑫;杨尚霖;戴进成 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种片上铌酸锂薄膜偏振分集器及其制备方法，片上铌酸锂薄膜偏振分集器包括铌酸锂薄膜，并包括：加载型波导与铌酸锂波导；其中，所述加载型波导包括：用作偏振光的传输端口的第一端口与第二端口；第一加载型波导段，通过第一波导连接段与第一端口连接；曲线加载型波导段，与第一加载型波导段连接；以及第二加载型波导段，通过第二波导连接段与曲线加载型波导段连接。本发明通过在偏振光入射方向并列设置加载型波导和铌酸锂波导，实现TM模式偏振光与TE模式偏振光不发生耦合；通过对纳米线尺寸参数的设计实现将TM模式偏振光转换为TE模式偏振光，最终消除偏振光的双折射现象，实现片上铌酸锂薄膜偏振分集器的偏振分集功能
片上铌酸锂薄膜偏振分集及其制备方法

[发明专利]基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器-CN202111088025.8有效
发明人：吴侃;陈建平 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01S3/063 文献下载
摘要：一种基于掺铒铌酸锂的光波导芯片及锁模激光器，该芯片自下向上依次是衬底、二氧化硅包层、掺铒铌酸锂薄膜和射频电极；利用光刻刻蚀所述的掺铒铌酸锂薄膜，形成脊型掺铒铌酸锂波导；在所述的掺铒铌酸锂波导的两侧、互相平行地设置所述的射频电极本发明采用掺铒铌酸锂薄膜作为波导，即保留了掺铒波导的低噪声增益特性，又引入了铌酸锂波导的电光特性，满足了主动锁模激光器所需的增益和调制需求，配合直流偏置，可以实现低噪声且重频连续可调的集成主动锁模激光器通过脊型掺铒铌酸锂波导将电极间距靠近，降低所需的调制电压和电功耗，对信号光和泵浦光模斑的强束缚还可以增加两者的交叠，提升泵浦效率。
基于掺铒铌酸锂波导芯片激光器

[发明专利]铌酸锂掺杂石英光纤-CN201810434976.8在审
发明人：王廷云;陈振宜;陈娜;庞拂飞;文建湘;刘书朋 -专利权人：上海大学
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸锂掺杂石英光纤。该光纤通过改进化学气相沉积工艺技术加入高温气化铌酸锂工艺制备而成。制备出的铌酸锂掺杂石英光纤结构为纤芯层掺铌酸锂匹配型结构或内包层掺杂铌酸锂结构或纤芯与内包层同掺铌酸锂结构。这三种结构的铌酸锂掺杂石英光纤均具有高的折射率差、低的损耗和较高的拉曼增益系数。同时制备工艺成熟，可实现铌酸锂掺杂石英光纤的批量化生产。
铌酸锂石英光纤掺杂拉曼增益内包层掺铌酸锂光纤拉曼光纤放大器传统单模光纤化学气相沉积掺杂铌酸锂拉曼放大器高温气化工艺技术工艺制备折射率差制备工艺批量化匹配型纤芯层纤芯制备成熟改进生产

[发明专利]一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法-CN202211338089.3在审
发明人：王乾圣;胡晓;张红广;陈代高;王磊;肖希 -专利权人：武汉光谷信息光电子创新中心有限公司;武汉邮电科学研究院有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请涉及一种可见光波段的铌酸锂波导光电探测器及制备方法，其包括铌酸锂双脊波导、硅晶体层、P型掺杂区和N型掺杂区，铌酸锂双脊波导包括两个间隔设置的脊部，硅晶体层设于两个所述脊部之间，P型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于其中一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述P型掺杂区与所述硅晶体层接触，N型掺杂区设于所述铌酸锂双脊波导上，并位于另外一个脊部远离所述硅晶体层一侧，所述N型掺杂区与所述硅晶体层接触。本申请为可见光通信提供了新的光电探测器类型，使得铌酸锂波导的光电探测器在可见光通信中成为可能。
一种可见光波段铌酸锂波导光电探测器制备方法

[发明专利]一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器-CN201611181127.3在审
发明人：李萍;范宝泉 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、调制电极、信号电极、地电极、直流偏压电极，所述基底晶片采用具有低介电常数的材料；所述铌酸锂薄膜为单晶结构、X切Y传晶向的光学级铌酸锂单晶薄膜；所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极为推挽型行波式电极结构，所述直流偏压电极为推挽型集总式电极结构。本发明的有益效果为，通过采用基于低介电常数材料基底晶片的铌酸锂薄膜结构，可去除二氧化硅缓冲层，实现铌酸锂强度调制器直流漂移现象的大幅抑制，显著提升铌酸锂强度调制器的长期工作性能和可靠性。
一种直流漂移铌酸锂薄膜强度调制器

[实用新型]一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器-CN201621399669.3有效
发明人：李萍;范宝泉 -专利权人：天津领芯科技发展有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、调制电极、信号电极、地电极、直流偏压电极，所述基底晶片采用具有低介电常数的材料；所述铌酸锂薄膜为单晶结构、X切Y传晶向的光学级铌酸锂单晶薄膜；所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极为推挽型行波式电极结构，所述直流偏压电极为推挽型集总式电极结构。本实用新型的有益效果为，通过采用基于低介电常数材料基底晶片的铌酸锂薄膜结构，可去除二氧化硅缓冲层，实现铌酸锂强度调制器直流漂移现象的大幅抑制，显著提升铌酸锂强度调制器的长期工作性能和可靠性。
一种直流漂移铌酸锂薄膜强度调制器

[发明专利]一种光栅端面耦合器及其设计方法-CN202210353554.4在审
发明人：谢臻达;张弛;田晓慧;祝世宁;许志城 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本申请提供一种光栅端面耦合器及其设计方法，所述光栅端面耦合器包括：埋氧层、铌酸锂层、光栅层和外包层，其中：所述埋氧层上键合设置所述铌酸锂层；所述铌酸锂层上沉积设置所述光栅层，所述铌酸锂层包括铌酸锂波导层和铌酸锂衬底层；所述光栅层包括光栅波导和输出波导；所述铌酸锂层和所述光栅层外侧镀有外包层。如此，仅需对光栅层的材料做大线宽长周期刻蚀，工艺成熟简单，可用于解决现有亚波长光栅倒锥型端面耦合器工艺复杂，导致生产成本过高的技术问题。
一种光栅端面耦合器及其设计方法

[发明专利]一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器-CN202310550300.6在审
发明人：马向;李少波;何剑涛;梁晓东;齐合飞;于文琦;丁跃迪;刘博缘;杨瑾 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所;中国电子科技集团公司第三十四研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地本发明的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本发明具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
一种基于型容性调谐电极薄膜铌酸锂调制器

[实用新型]一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器-CN202321177788.4有效
发明人：马向;李少波;何剑涛;梁晓东;齐合飞;于文琦;丁跃迪;刘博缘;杨瑾 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十四研究所;中国电子科技集团公司第三十四研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种基于L型容性调谐电极的薄膜铌酸锂调制器，属于薄膜铌酸锂电光调制器技术领域。该调制器包括衬底，所述衬底为石英或者熔融石英衬底，衬底之上为热氧化硅夹层；热氧化硅夹层上方为铌酸锂薄膜，铌酸锂薄膜上形成有脊波导结构，铌酸锂薄膜上方为氧化硅薄盖层；氧化硅薄盖层上方为L型容性调谐电极结构和地本实用新型的L型容性电极结构的薄膜铌酸锂调制器可以实现折射率匹配的同时，并实现更优的阻抗匹配，更低的射频损耗。本实用新型具有带宽高、调制器效率高以及容差大等诸多优点。
一种基于型容性调谐电极薄膜铌酸锂调制器

[发明专利]一种基于铌酸锂薄膜脊型波导的偏振分束器-CN202310312229.8有效
发明人：杨志远;王喜娜;焦旭峰;汪斌;郑名扬;刘洋;谢秀平;张强 -专利权人：济南量子技术研究院
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明适用于量子光学和量子信息技术领域，尤其涉及一种基于铌酸锂薄膜脊型波导的偏振分束器。偏振分束器包括：用于连接泵浦光源以及输出TM模偏振光的第一铌酸锂薄膜脊型波导；与第一铌酸锂薄膜脊型波导平行设置，且用于输出TE模偏振光的第二铌酸锂薄膜脊型波导；N条脊型波导，N≥1，N条脊型波导均设置在第一和第二铌酸锂薄膜脊型波导之间，且N条脊型波导的光传输方向处于第一铌酸锂薄膜脊型波导和第二铌酸锂薄膜脊型波导的光传输方向的平面内；其中，第i条脊型波导的距离差值为Δdi，第i条脊型波导的长度为d
一种基于铌酸锂薄膜波导偏振分束器

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条