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[发明专利]一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管-CN201210442085.X有效
发明人：祝靖;曹鲁;钱钦松;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：一种大电流密度的横向超薄绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，在P型衬底上设有埋氧层，在埋氧层上设有N型外延层，在N型外延层内设有N型阱区及P型基区，在P型基区内设有第一P型接触区和N型源区，在N型阱区内设有N型缓冲区，在N型阱区上设有场氧化层，在N型缓冲区内设有P型漏区，在N型外延层内设有由P型环形基区构成的P型基区阵列，所述P型基区阵列位于N型阱区与P型基区之间，在所述P型环形基区内设有第二P型接触区和N型环形源区，第二P型接触区位于N型环形源区内，本发明大大的增加了横向超薄绝缘栅双极型晶体管的电流密度，可以极大的提高智能功率模块的性能。
一种电流密度横向超薄绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]边缘型构造柱水泥模板组-CN201921443999.1有效
发明人：郑振尧;张渤琪;宋文;王青涛;王文超 -专利权人：威海建设集团股份有限公司;威海利东建筑科技有限公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： E04G13/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种边缘型构造柱水泥模板组，属于建筑领域。包括一端敞口的边缘型构造柱A1型水泥模板、边缘型构造柱A2型水泥模板和边缘型构造柱B型水泥模板，边缘型构造柱A2型水泥模板沿长边方向居中靠下位置设有清扫口，边缘型构造柱A1型水泥模板、边缘型构造柱A2型水泥模板和边缘型构造柱B型水泥模板的某一外侧面设有对中线，并在其端部设置加强腋；在构造柱位置处砌筑第一皮边缘型构造柱A2型水泥模板，在第一皮边缘型构造柱A2型水泥模板上砌筑第二皮边缘型构造柱B型水泥模板，使得其敞口方向也对准墙体方向，在第二皮边缘型构造柱B型水泥模板上砌筑第三皮边缘型构造柱A1型水泥模板，边缘型构造柱A1型水泥模板的敞口方向对准墙体的方向。
边缘构造水泥模板

[实用新型]铁路敞车通用下侧门-CN201020121900.9无效
发明人：陈跃;李春彦;王大勇;赵春阳;白云社 -专利权人：北京中铁长龙新型复合材料有限公司
申请日： 2010-03-02 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： B61D19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁路敞车通用下侧门，包括门板，门板由至少一个帽型梁组成。门板中间设有帽型梁a，门板上方依次设有帽型梁b、帽型梁c、帽型梁d，所述门板下方对称帽型梁a设有帽型梁b′、帽型梁c′、帽型梁d′。门板一侧依次设有帽型梁e、帽型梁f、帽型梁g，门板另一侧对称帽型梁a设有帽型梁e′、帽型梁f′、帽型梁g′。所述帽型梁a、帽型梁c与帽型梁f方向一致，所述帽型梁b、帽型梁d，帽型梁e与帽型梁g的方向一致，并与帽型梁a、帽型梁c、帽型梁f的方向相反。本实用新型采用帽型梁的设计，提升了门板的整体刚度，改善了门体的抗弯性能，具有重量轻、耐腐蚀、耐冲击、坚固耐用的优点。
铁路敞车通用侧门

[发明专利]新晶型的加替沙星-CN03815878.7无效
发明人： V·尼达姆希尔德谢姆;S·维策尔;G·施特林鲍姆;E·阿米尔 -专利权人：特瓦制药工业有限公司
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2005-09-07 - 主分类号： A61K31/496 文献下载
摘要：提供命名为A晶型、B晶型、C晶型、D晶型、E1晶型、F晶型、G晶型、H晶型、I晶型和J晶型的新晶型的加替沙星以及它们的制备方法。还提供制备已知晶型的加替沙星、特别是Ω晶型和T2RP晶型的加替沙星的方法。
新晶型加替沙星

[发明专利]具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及其制备方法-CN202210966492.4在审
发明人：刘琦;杨建;曹珂 -专利权人：南京芯惠半导体有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件，包括：P型衬底；N型埋层，位于所述P型衬底上；P型埋层，位于所述N型埋层上；P型外延层，位于所述P型衬底、所述N型埋层、所述P型埋层上；高压N型阱区、N型体区、P型阱区、P型缓冲层，分别位于所述P型外延层上；第一阴极P型重掺杂区，位于所述P型阱区上并与漏极连接；第二阴极P型重掺杂区，位于所述P型缓冲层上并与所述P型衬底连接；位于所述N型体区上的阳极P型重掺杂区和阳极N型重掺杂区短接并与源极连接；场效应氧化层，位于所述第一阴极P型重掺杂区和所述阳极P型重掺杂区之间；多晶硅栅极，位于所述阳极P型重掺杂区与所述场效应氧化层之间区域上方，并与栅极连接。
具有漂移高压 pldmos 器件及其制备方法

[实用新型]一种塑料制品成型模具装置-CN201721784334.8有效
发明人：陈继革;陈睿君 -专利权人：天津德得药品包装有限公司
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B29C43/36 文献下载
摘要：一种塑料制品成型模具装置，包括上模座板、型腔、上模板、模套、型芯、带肩导套、型芯套、塑料制品、型芯槽、支撑板，所述上模座板下部连接上模板，上模板具有型腔上槽，型腔上部与型腔上槽相适应，型腔上部连接型腔上槽，型芯套具有型腔下槽，型腔下部与型腔下槽相适应，型腔下部连接型腔下槽，连接螺栓依次穿过上模座板、上模板连接型腔，连接螺栓在上模座板上均匀分布，型腔下部连接塑料制品，塑料制品下部连接型芯，型芯套具有型芯槽，型芯侧面与型芯槽相适应，型芯侧面连接型芯槽，型芯套侧面连接模套内槽，模套底面连接支撑板，支撑板底部连接垫块，垫块在支撑板底部对称分布，垫块下部连接下模座板。
塑料制品上模座板上模板芯套连接型腔下部支撑板垫块模套上槽下槽芯槽成型模具装置连接螺栓连接型芯芯侧面连接支撑板侧面连接底部连接对称分布下模座板导套底面内槽穿过

[实用新型]具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及功率芯片-CN202222123173.5有效
发明人：刘琦;杨建;曹珂 -专利权人：南京芯惠半导体有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种具有埋层漂移区的高压PLDMOS器件及功率芯片，所述器件包括：P型衬底；N型埋层，位于所述P型衬底上；P型埋层，位于所述N型埋层上；P型外延层，位于所述P型衬底、所述N型埋层、所述P型埋层上；高压N型阱区、N型体区、P型阱区、P型缓冲层，分别位于所述P型外延层上；第一阴极P型重掺杂区，位于所述P型阱区上并与漏极连接；第二阴极P型重掺杂区，位于所述P型缓冲层上并与所述P型衬底连接；位于所述N型体区上的阳极P型重掺杂区和阳极N型重掺杂区短接并与源极连接；场效应氧化层，位于所述第一阴极P型重掺杂区和所述阳极P型重掺杂区之间；多晶硅栅极，位于所述阳极P型重掺杂区与所述场效应氧化层之间区域上方，并与栅极连接。
具有漂移高压 pldmos 器件功率芯片

[发明专利]壳体模具的铸造模具及其开模与合模方法-CN202010845361.1在审
发明人：安英子 -专利权人：苏州善鑫国际贸易有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本发明是一种壳体模具的铸造模具，包括具有组合型腔的主体模板及固持卡合于组合型腔内的组合型芯，组合型腔包括位于所述主体模板一侧的向内延伸形成的主型芯型腔、位于主型芯型腔一侧并与主型芯型腔连通的进水口型腔及位于主型芯型腔另一侧的与进水口型腔相对设置的与主型芯型腔连通的出水口型腔，组合型芯包括固持于主型芯型腔内的主型芯、固持插设于进水口型腔内的与主型芯一侧接触的进水口型芯及固持插设于出水口型腔内的与主型芯另一侧接触的出水口型芯，组合型腔呈环形结构封闭于所述主体模板，组合型腔还包括于主型芯型腔与所述出水口型腔之间设有连接过渡主型芯型腔与出水口型腔的型芯凹槽，组合型芯还包括设置于型芯凹槽内的独立型芯。
壳体模具铸造及其方法

[实用新型]壳体模具的铸造模具-CN202021753289.1有效
发明人：安英子 -专利权人：苏州善鑫国际贸易有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本实用新型是一种壳体模具的铸造模具，包括具有组合型腔的主体模板及固持卡合于组合型腔内的组合型芯，组合型腔包括位于主体模板一侧的向内延伸形成的主型芯型腔、位于主型芯型腔一侧并与主型芯型腔连通的进水口型腔及位于主型芯型腔另一侧的与进水口型腔相对设置的与主型芯型腔连通的出水口型腔，组合型芯包括固持于主型芯型腔内的主型芯、固持插设于进水口型腔内的与主型芯一侧接触的进水口型芯及固持插设于出水口型腔内的与主型芯另一侧接触的出水口型芯，组合型腔呈环形结构封闭于所述主体模板，组合型腔还包括于主型芯型腔与所述出水口型腔之间设有连接过渡主型芯型腔与出水口型腔的型芯凹槽，组合型芯还包括设置于型芯凹槽内的独立型芯。
壳体模具铸造

[实用新型]铁型覆砂垂直分型铸造轴承盖铸件的工艺装置-CN201820493685.1有效
发明人：潘东杰;夏小江;应浩;胡鸿斌;汤瑶;朱丹;朱国;费巍峻;马益诚 -专利权人：浙江省机电设计研究院有限公司
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： B22C9/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种铁型覆砂垂直分型铸造轴承盖铸件的工艺装置，它属于机械类领域。本实用新型的铁型覆砂垂直分型铸造轴承盖铸件的工艺装置包括铁型、浇注系统、左模型、右模型、冒口、出气道、型板和多个轴承盖铸件，铁型的左右两侧分别形成铸件的左型腔和右型腔，铁型采用垂直分型方式，左型腔和右型腔间隔分布，左模型型板的分型面与铁型的左垂直分型面的左型腔相合模，右模型型板的分型面与铁型的右垂直分型面的右型腔相合型。本实用新型结构简单合理，安全可靠，实现垂直分型铁型的射砂覆砂造型，缩短浇注时间，降低成本，生产效率高。
铁型铸件轴承盖垂直分型铸造本实用新型垂直分型工艺装置铁型覆砂右型腔左型腔分型面覆砂造型间隔分布浇注系统生产效率左右两侧出气道左垂直分型浇注冒口射砂

[发明专利]一种新型的槽栅型MOS器件及其制备方法-CN202110346031.2在审
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的槽栅型MOS器件及其制备方法，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型重掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，高K绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型重掺杂区，N型重掺杂区在P型阱区之间，N型重掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型重掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。
一种新型槽栅型 mos 器件及其制备方法

[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管-CN202310430492.7有效
发明人：林青;张杰 -专利权人：上海陆芯电子科技有限公司
申请日： 2023-04-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管。该逆导型绝缘栅双极型晶体管包括至少一个元胞，每一个元胞包括：集电区，集电区包括P型集电区和N型集电区；N型缓冲区覆盖P型集电区和N型集电区；导电接触孔位于P型集电区和N型集电区之间，从集电区延伸至N型缓冲区的部分区域；N型漂移区位于N型缓冲区远离集电区的一侧；P型体区位于N型漂移区远离N型缓冲区的一侧；发射区包括P型发射区和N型发射区，P型发射区包围N型发射区设置；沟槽栅结构位于N型发射区内，贯穿N型发射区且从N型发射区、经由P型体区延伸至N型漂移区的部分区域。本发明实施例提供的技术方案避免了逆导型绝缘栅双极型晶体管在正向导通时出现电压回转现象。
一种逆导型绝缘栅双极型晶体管

[实用新型]一种窑用无缝链条蜡模压型模具-CN202022510018.X有效
发明人：荆政委;荆政军 -专利权人：吉林亚太合金钢制造有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种窑用无缝链条蜡模压型模具，包括上型、下型、上活块和下活块，上型上设有上环型腔，下型上设有下环型腔，上环型腔与下环型腔对称设置，上活块卡接于上型周向上的缺口处，上活块上设有与上环型腔截面形状相同且连通的型腔，下活块卡接于下型周向上的缺口处，下活块上设有与下环型腔截面形状相同且连通的型腔。上型和下型相扣，上环型腔与下环型腔扣合，上活块卡接于上型周向缺口，下活块卡接于下型周向缺口，向上环型腔与下环型腔之间空隙压注蜡料，蜡料冷却拆卸上活块和下活块，取下上型和下型，将第一环蜡模链条通过上型和下型缺口处套进上型和下型中间通孔
一种无缝链条模压模具

[实用新型]一种新型的槽栅型MOS器件-CN202120653161.6有效
发明人：陈利 -专利权人：厦门芯一代集成电路有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的槽栅型MOS器件，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区在P型阱区之间，N型轻掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型轻掺杂区，P型阱区上有P型重掺杂源极区，在源极区做源极电极，栅极多晶硅区做栅极电极。
一种新型槽栅型 mos 器件

[发明专利]半导体装置-CN201410376872.8有效
发明人：张家伟;陈柏安 -专利权人：新唐科技股份有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体装置，该半导体装置包括P型基板；N型区，接触该P型基板；N+型掺杂区，位于该N型区中；第一P+型掺杂区，位于该N型区中；第二P+型掺杂区，位于该N型区中；P型埋层，位于该N型区下方的该P型基板中并与该N型区接触；以及N型掺杂区，位于该P型埋层与该N型区接触的接触面下方的该P型基板中。
半导体装置