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[实用新型]沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件-CN03266116.9无效
发明人：李志坚;田立林;何平;林羲 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-06-26 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了属于微电子器件范围的一种沟道有热、电通道的SOI MOSFET器件。在传统的SOIMOSFET器件中的掩埋绝缘层上设置了一个通道，将器件的沟道区和衬底相连在一起。该通道大大降低了器件的衬底热阻，克服了SOI器件的自热效应；完全消除了SOI器件的浮体效应。还使该器件保持了SOI器件漏区、源区寄生电容小的优点，并且保证了器件的隔离，保证SOI MOSFET器件的热稳定性和器件稳定工作的可靠性。
沟道通道 soi mosfet 器件

[发明专利]一种超导量子计算芯片版图生成方法及设备-CN202111574598.1在审
发明人：于晓艳;王浩东;齐在栋;刘强;罗清彩 -专利权人：山东浪潮科学研究院有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G06N10/20 文献下载
摘要：该方法通过基于用户操作产生的第一信号，确定若干预设量子芯片器件的器件属性。其中，预设量子芯片器件通过开发二维和三维几何建模应用程序opencascade生成，器件属性至少包括器件名称、器件功能、器件位置。根据各器件属性，确定待定芯片版图。其中，待定芯片版图为将各预设量子芯片器件添加至器件版图图层得到的，器件版图图层为预先创建的超导量子计算芯片的器件版图图层。基于待定芯片版图中的各预设量子芯片器件，生成超导量子计算芯片版图。
一种超导量子计算芯片版图生成方法设备

[发明专利]器件分析的实现方法和装置-CN201410152132.6有效
发明人：张亚民;黄慕真;冯明;陈鹏胜;孙立群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件分析的实现方法和装置，该方法包括：对于包含需要分析的器件的文件进行分析，得到文件中各个器件所包含的层的信息；根据文件中层的信息确定每个器件中层与层之间的关系；根据文件中层与层之间的关系，确定器件与器件之间的差异性；根据确定的差异性，区分并识别每个器件。本发明通过根据层与层之间的关系确定器件间的差异性，从而精确区别并识别各个器件，达到分析器件的目的，能够避免通过手动操作的方式来分析器件，减少器件分析所耗费的时间和人力成本，并且能够提高器件分析的精确性。
器件分析实现方法装置

[发明专利]电子设备-CN201511019333.X有效
发明人：孙伟;陈宇;孙长宇 -专利权人：北京小米移动软件有限公司;小米科技有限责任公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H04M1/725 文献下载
摘要：语音处理器件的输出端与第一开关器件连接，高保真音频处理器件的输出端与第二开关器件连接，第二开关器件与音频输出器件连接；在处理语音信号过程中，第一开关器件处于闭合状态，第二开关器件处于断开状态，从而使得音频输出器件与第二开关器件之间的电路处于断路状态由于第二开关器件直接与音频输出器件连接，避免了因在二者增加其他器件而导致音质损失的问题，因此该种电子设备输出的音频信号音质高。
电子设备

[发明专利]器件阵列基板及其制作方法-CN201710984323.2有效
发明人：陈黎暄 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种器件阵列基板及其制作方法。所述器件阵列基板包括：阵列基板；器件阵列，所述器件阵列包括至少两器件，至少两所述器件以一维阵列或二维阵列的形式排列，所述器件设置在所述阵列基板上，所述器件是通过器件转移装置设置在所述阵列基板上的；固定构件，所述固定构件是通过向设置有所述器件的所述阵列基板涂布光阻材料，使得所述光阻材料与所述器件和所述阵列基板均接触，并对所述光阻材料进行固化来制成的，所述固定构件用于将所述器件固定于所述阵列基板上。本发明能提高器件与阵列基板之间的连接的牢固程度。
器件阵列及其制作方法

[发明专利]III族氮化物双向器件-CN201610935458.5有效
发明人： G·普雷科托;O·黑伯伦;C·奥斯特梅尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本文公开了III族氮化物双向器件的各个实施方式。这种双向器件包括衬底、位于衬底之上的背部沟道层以及位于背部沟道层之上的器件沟道层和器件势垒层。器件沟道层和器件势垒层被配置为产生器件二维电子气(2DEG)。此外，III族氮化物双向器件包括形成在器件势垒层之上的相应第一耗尽部分和第二耗尽部分上的第一栅极和第二栅极。III族氮化物双向器件还包括位于背部沟道层和器件沟道层之间的背部势垒。III族氮化物双向器件的背部沟道层的极化基本等于器件沟道层的极化。
iii 氮化物双向器件

[发明专利]线性器件和开关器件的时序控制方法及电路-CN202110112652.4有效
发明人：张春;陈刚;杨昌明 -专利权人：广州朗国电子科技股份有限公司
申请日： 2021-01-27 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H02M3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种线性器件和开关器件的时序控制方法及电路，其中时序控制电路包括初级电路、线性器件和开关器件。使用同一个初级电路为线性器件和开关器件供电。控制初级电路的输出电压的斜率，延缓线性器件输出电压值达到指定电压的时间，使得开关器件的输出上电时间早于线性器件的输出上电时间。本发明的线性器件和开关器件的时序控制方法及电路，无需每个独立器件自带使能控制引脚，降低了器件成本。减少了控制板的IO资源的占用，使用简单的方法即可满足系统的时序要求，从而节省成本，提高系统稳定性。
线性器件开关时序控制方法电路

[发明专利]基于双系统的网络器件启动方法、设备及存储介质-CN202010934168.5有效
发明人：林超 -专利权人：成都鼎桥通信技术有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H04L61/3015 文献下载
摘要：本申请提供一种基于双系统的网络器件启动方法、设备及存储介质。该方法通过Rootns域获取加入指令，其中加入指令指示待加入的网络器件信息，并获取原有网络器件的信息。Rootns域为各原有网络器件和待加入的网络器件，分配序列号，并将待加入的网络器件与原有的网络器件执行配对，为待加入的网络器件配置配置文件，以开启待加入网络器件所对应的容器。利用本申请的方法去开启网络器件时，可以避免网络器件在配对过程中出现访问超出内存，网络器件配对失败从而导致网络器件所对应的容器无法正常开启的问题。
基于双系统网络器件启动方法设备存储介质

[实用新型]一种基于交流电致发光器件的光疗护肤仪-CN201921982652.4有效
发明人：孟鸿;薛网娟;杨标;吴李杰;张鑫康;吴雨亭;徐金浩;王胧佩;张泽伟 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： A61N5/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于交流电致发光器件的光疗护肤仪，其包括：电致发光器件、设置于所述电致发光器件上表面的装饰外壳、及设置于所述电致发光器件下表面的可拆卸的护肤膜；还包括：与所述电致发光器件连接的交流电源；所述电致发光器件为有机电致发光器件或无机电致发光器件；所述电致发光器件为三明治型结构的柔性电致发光器件。该光疗护肤仪中电致发光器件采用交流电源驱动，器件工作产生振动按摩效果。同时，护肤仪通过电致发光器件中不同的发光材料产生不同波长的光，能对皮肤起到不同的护理效果。
一种基于交流电致发光器件光疗护肤

[实用新型]线性光电隔离器件-CN202123055248.2有效
发明人：张体才 -专利权人：张体才
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G08C19/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种线性光电隔离器件，包括：封装壳体、发光器件和光伏器件；发光器件和光伏器件相对设置于封装壳体内；发光器件具有延伸至封装壳体外部的输入引脚；光伏器件具有延伸至封装壳体外部的输出引脚；发光器件作为光发射端，发光器件能够在输入电压或输入电流的驱动下发光；光伏器件作为光接收端，当发光器件的发光强度被控制在设定范围内时，光伏器件能够根据发光器件的发光强度输出与输入电压或输入电流成正比的输出电压。
线性光电隔离器件

[实用新型]光伏逆变器集ISO检测、PID修复、夜间供电的多功能电路-CN202222393360.5有效
发明人：刘振海 -专利权人：上海正泰电源系统有限公司;浙江正泰电源系统有限公司;深圳正泰电源系统有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光伏逆变器集ISO检测、PID修复、夜间供电的多功能电路，其特征在于，包括单向导通器件一、单向导通器件二、单向导通器件三、单向导通器件四；开关器件一、开关器件二、开关器件三、开关器件四、开关器件五、开关器件六；电阻器件R1、电阻器件R2。本实用新型提出一种集成光伏逆变器所需要ISO绝缘阻抗检测功能、PID修复功能、夜间母线供电于一体的多功能复合电路，采用本实用新型提供的电路后，基于本实用新型电路中不同的器件控制逻辑能够在逆变器运行的不同阶段实现相应的不同功能
逆变器 iso 检测 pid 修复夜间供电多功能电路

[发明专利]具有共存逻辑器件的背栅极控制静态随机存取存储器-CN200680047607.9有效
发明人：罗伯特·H·登纳德;威尔弗雷德·E－A·亨希;阿尔文德·库玛;罗伯特·米勒 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2006-10-03 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：提供一种半导体结构，其包括至少一逻辑器件区和至少一静态随机存取存储器(SRAM)器件区，其中每个器件区包括双栅极场效应晶体管(FET)，其中每个FET器件的背栅极被掺杂到特定水平以改善不同器件区内的FET器件的性能。具体而言，SRAM器件区内的背栅极比逻辑器件区内的背栅极掺杂更重。为了控制短沟道效应，逻辑器件区内的FET器件包括掺杂沟道，而SRAM器件区内的FET器件则没有。在源极/漏极区之下的具有低净掺杂的非均质横向掺杂分布以及沟道下面的高净掺杂可以提供对逻辑器件的附加的SCE控制。
具有共存逻辑器件栅极控制静态随机存取存储器

[发明专利]一种功率器件的安装方法-CN201410580136.4在审
发明人：唐怡 -专利权人：无锡蓝阳谐波科技有限公司
申请日： 2014-10-24 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： H05K13/04 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件领域，尤其涉及一种功率器件的安装方法，包括：在功率器件压块上开设功率器件卡槽、PCB卡扣和定位螺纹孔；将与所述定为螺纹孔对应的定位螺丝固定在功率器件压块上，所述定位螺丝上设置有活动挡块结构；通过PCB卡扣把功率器件压块装配至PCB板；把功率器件置于所述功率器件卡槽内，形成功率器件组件；通过所述活动挡块结构调节所述PCB板和功率器件的距离，以符合安规要求，并用定位螺母固定所述功率器件组件，本发明通过在功率器件和PCB板之间增加功率器件压块，且可通过活动挡块结构结构调节其间的距离，从而解决了功率器件安装时的管脚应力残留和安规距离不够的问题。
一种功率器件安装方法

[发明专利]真空环境中器件图形化制备方法-CN201410613579.9在审
发明人：王荣新;李智 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-11-04 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：真空环境中器件图形化制备方法，包括以下步骤：将衬底置于真空环境中；在衬底上设有用于制备器件图形的掩膜板；掩膜板连接用于操作掩膜板的移动平台；移动平台将掩膜板定位在衬底上；采用物理气相沉积方式在衬底上沉积器件材料本发明还提供复杂器件图形化制备方法，在衬底区域分别沉积形成第1类器件图形、第2类器件图形、…、第n类器件图形，以上第1类、第2类、…、第n类器件图形之间组合、叠加形成复杂器件图形。本发明提供的真空环境中器件图形化制备方法，具有工艺简单、提高器件制备的性能、避免器件表面污染和防止结构损伤的特点，而且，通过多次沉积，可制备复杂器件图形，提升器件功能。
真空环境器件图形制备方法

[发明专利]多用户智能插座的功率动态分配方法-CN201810349535.8在审
发明人：刘宇 -专利权人：刘宇
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G05B19/04 文献下载
摘要：本发明涉及多用户智能插座的功率动态分配方法，包括以下步骤：第一步，根据目标器件发送的请求信号接受目标器件的功率分配请求信号；第二步，获取目标器件的温度，检测目标器件当前温度值是否处于预设温度阈值范围之内；第三步，当目标器件当前温度值低于预设温度阈值时，获取目标器件的临近器件温度，检测临近器件温度是否处于预设温度阈值范围之内；第四步，对检测结果进行判断，如果目标器件与临近器件温度均低于温度阈值，即对目标器件进行功率分配，否则，对目标器件拒绝功率分配请求，停止对目标器件供电，关闭开关。本发明的有益效果是，在保护电路的同时，高效分配功率给需要的目标器件。
目标器件预设功率动态分配功率分配请求获取目标智能插座多用户高效分配功率分配关闭开关检测结果请求信号阈值时检测电路发送供电