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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]电力线耦合装置及电能表-CN201320647030.2有效
发明人：何巍;潘宇 -专利权人：钜泉光电科技（上海）股份有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： G01R22/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电力线耦合装置及电能表。所述电力线耦合装置至少包括：设置在火线的开关器件；一端连接所述开关器件的一端的第一电容；一端连接所述第一电容的另一端、另一端连接所述开关器件的另一端的第二电容；连接在所述第一电容与第二电容的公共连接点及零线之间的耦合器件基于该电力线耦合装置的耦合器件与信号处理电路相连可形成能在电力线开路时进行电力载波通信的电能表。本实用新型结构简单，且在继电器断开后，也能与集中器及用户显示单元进行通信。
电力线耦合装置电能表

[实用新型]长度检测装置-CN202220742540.7有效
发明人：徐传辉;任明国;胡芮卿;李祥普 -专利权人：诺兰特新材料（北京）有限公司;诺兰特移动通信配件（北京）有限公司;络派模切（北京）有限公司
申请日： 2022-04-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：该长度检测装置的一具体实施方式包括承载组件、摄像组件和长度检测单元，其中，承载组件用于承载待检测件；摄像组件设置在承载组件的一侧，摄像组件包括电荷耦合器件摄像机和支撑组件，其中，电荷耦合器件摄像机的水平延长线与待检测件的水平延长线相互垂直，电荷耦合器件摄像机固定在支撑组件上；长度检测单元与电荷耦合器件摄像机电连接，长度检测单元用于接收电荷耦合器件摄像机拍摄的待检测件的图像，并对图像中的待检测件的长度进行检测。
长度检测装置

[发明专利]包括衬底和高密度互连件集成器件的封装件-CN202180072367.2在审
发明人：孙洋洋;L-S·翁;Z·宋 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-10-07 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种封装件，包括：衬底(202)；第一集成器件(204)，耦合到该衬底；第二集成器件(206)，耦合到该衬底；互连件集成器件(201)，耦合到该第一集成器件和该第二集成器件；以及底部填料。该互连件集成器件位于该衬底的该腔之上。该底部填料(208)位于(i)该第一集成器件和该衬底之间，(ii)该第二集成器件和该衬底之间，(iii)该互连件集成器件和该第一集成器件之间，以及(iv)该互连件集成器件和该第二集成器件之间。
包括衬底高密度互连集成器件封装

[发明专利]形成于光集成电路芯片上的光器件-CN202211481192.3在审
发明人：杉山昌树 -专利权人：富士通光器件株式会社
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：本申请涉及形成于光集成电路芯片上的光器件。在光集成电路IC芯片上形成光器件。该光器件包括：光电路、第一光栅耦合器、第二光栅耦合器、第一1×2耦合器和第二1×2耦合器。第一1×2耦合器配备有在单端口端处设置的第一光端口以及在双端口端处设置的第二光端口和第三光端口。第二1×2耦合器配备有在单端口端处设置的第四光端口和在双端口端处设置的第五光端口和第六光端口。第一光栅耦合器耦合到第一光端口。第二光端口耦合到光电路。第三光端口耦合到第四光端口。第五光端口耦合到第二光栅耦合器。
形成集成电路芯片器件

[发明专利]有机电致发光器件及有机电致发光装置-CN201910564083.X在审
发明人：丁可 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本揭示提供一种有机电致发光器件及有机电致发光装置，有机电致发光器件包括发光器件层、介电层、以及耦合层，介电层设置在发光器件层上，耦合层设置在介电层上，其中，发光器件层还包括第一电极层，与第一电极层相邻的上下两个膜层的折射率相同，并且耦合层的结构为周期性光栅微结构。通过两层相同折射率的膜层以及周期性光栅微结构设计，将金属两侧膜层内的等离子体共振模式光全部耦合出来，在不破坏膜层的情况下，避免器件的漏电，提高出光效率。
膜层有机电致发光器件发光器件介电层耦合层有机电致发光装置周期性光栅第一电极微结构折射率等离子体共振漏电出光效率耦合两层金属

[发明专利]一种电力电缆偏心检测系统-CN201410511954.9在审
发明人：甘刚;郑晓峰 -专利权人：成都英博联宇科技有限公司
申请日： 2014-09-29 - 公布日： 2015-01-21 - 主分类号： G01B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种电力电缆偏心检测系统，其包括DSP处理器、CPLD逻辑控制器、电荷耦合器件、电耦合器件驱动电路、放大电路模块、滤波电路模块、A/D转换模块、步进电机驱动、步进电机、X射线光源、高压电源、上位机、所述光电耦合器件驱动电路、电耦合器件、放大电路模块、滤波电路模块、A/D转换模块、DSP处理器顺序连接，所述DSP处理器与SRAM存储器、FLASH存储器、上位机连接，所述高压电源与X射线光源连接
一种电力电缆偏心检测系统

[发明专利]电荷耦合器件阵列的图像DSP处理测量系统-CN201310399752.5无效
发明人：冉骏 -专利权人：冉骏
申请日： 2013-09-06 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：电荷耦合器件阵列的图像DSP处理测量系统，包括电荷耦合器件阵列，其特征在于，还包括与电荷耦合器件阵列连接的放大支路和反馈支路；所述放大支路包括依次连接的放大器、滤波器和视频处理器；所述反馈支路包括依次连接的扫描控制单元采用本发明所述的电荷耦合器件阵列的图像DSP处理测量系统，不仅提高了采集单元的自动化程度，而且也提高了图像采集精度，使其能达到设计指标要求。
电荷耦合器件阵列图像 dsp 处理测量系统

[发明专利]驱动固态图象传感器的方法-CN99102873.2无效
发明人：冨留宫正之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-03-11 - 公布日： 2004-01-21 - 主分类号： H01L27/148 文献下载
摘要：驱动固态图象传感器的方法，包括步骤(a)将光变成电荷，(b)按预定的垂直象素线数(4)选择地读出变换的电荷至垂直电荷耦合器件(5)，(c)重复步骤(b)、(d)向水平电荷耦合器件(2)传递读出的电荷，(e)经水平电荷耦合器件水平传递相加的电荷，并读出电荷，还包括(f)，在水平消隐周期内在电荷耦合器件(2)中按预定垂直象素线的数(4)传递电荷，将在步骤(b)读出的一电荷加至在步骤(c)中读出的一相关电荷
驱动固态图象传感器方法

[发明专利]一种热电器件多场耦合参数计算与损伤表征方法-CN202210913173.7在审
发明人：王文智;张雨晨;赵月然;黄河源;王东 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明涉及热电器件多场耦合仿真计算领域，具体涉及热电器件多场耦合参数计算与损伤表征方法，该损伤表征方法根据热电器件结构特点，对结构进行简化处理；建立热电器件整体三维模型，进行网格划分、赋予材料属性、定义电压和失效表征UFIELD子程序、设置接触属性、定义边界条件、通过热‑力‑电多场耦合进行数值仿真计算并与试验结果进行对比，提高了对热电器件各个参数和损伤表征的准确性。本发明可以通过热‑力‑电多场耦合计算出热电器件的各项参数，改进了热电器件仿真计算中电阻、电压的测试方法，对热电器件损伤程度进行表征，减少了分析过程工作量，并提高仿真计算准确度。
一种热电器件耦合参数计算损伤表征方法

[发明专利]一种用于无源器件的互调抵消装置-CN201310048951.1有效
发明人：孟庆南;朱晖;王一凡 -专利权人：武汉凡谷电子技术股份有限公司
申请日： 2013-02-07 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于无源器件的互调抵消装置，包括功率耦合器，调节模块和非线性器件，所述互调抵消装置输入输出共用一个端口，所述功率耦合器经所述输入输出端口从无源器件中耦合出发射信号；所述调节模块和非线性器件分别对所述耦合后的发射信号进行第一次处理；所述第一次处理后信号在所述互调抵消装置末端反射后，再次进行第二次处理，使其产生含有第二互调抵消信号的功率信号，所述功率信号中的第二互调抵消信号与所述无源器件中发射信号的互调信号具有相同的频率、电平和相反的相位；所述功率信号与无源器件中的发射信号叠加并从输入输出端口输出至无源器件。本发明能在整个工作频段内抵消无源器件的互调信号。
一种用于无源器件抵消装置

[发明专利]一种直流-直流变换器副边有源吸收线路和控制方法-CN201110136389.9无效
发明人：蔡毅云;魏槐;秦卫锋;蒋毅敏 -专利权人：江苏兆能电子有限公司
申请日： 2011-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：本发明提出一种直流-直流变换器副边有源吸收线路和控制方法，其采用包含原边线路和副边线路的直流-直流变换器，原边线路包含输入电压源、与输入电压源耦合的开关器件、耦合原边线路和付边线路的变压器，副边线路包含耦合变压器副边绕组的整流器件、耦合整流器件的有源吸收线路、和输出滤波线路。有源吸收线路包含吸收电容和具有并联二极管的可控开关器件的串联支路、和控制该开关器件的线路。有源吸收线路中的开关器件的控制信号由整流器输出电压或与其相关的信号生成。本发明降低了整流线路中整流器件的电压应力，使器件的选择得以优化，进而提高变换器的性能，降低成本。
一种直流变换器有源吸收线路控制方法

[发明专利]波导光学器件和包括该波导光学器件的近眼显示装置-CN202211490730.5在审
发明人：文锡壹;李彰健;成基荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：提供了一种波导光学器件和包括该波导光学器件的近眼显示装置。波导光学器件包括传播光的波导、将光输入到波导中的输入耦合器、以及将在波导中传播的光输出到外部的输出耦合器，其中输出耦合器包括布置成彼此间隔开的多个光栅区域。
波导光学器件包括显示装置

[发明专利]用于磁共振成像(MRI)系统的前部射频(RF)线圈阵列-CN201780070709.0有效
发明人：纳比勒·马利克;迈克尔·克拉克;科尔曼·尤哈斯;爱德温·艾根布罗特;罗伯特·斯托蒙特;斯科特·琳赛 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2017-11-22 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： A61B5/055 文献下载
摘要：在一个示例中，用于MRI系统的RF线圈阵列包括多个RF线圈，每个RF线圈包括集成电容器线圈回路；多个耦合电子器件单元，每个耦合电子器件单元耦合到相应线圈回路；以及多个导线，该多个导线将每个耦合电子器件单元耦合到接口板，该接口板被配置为耦合到MRI系统的电缆。
用于磁共振成像 mri 系统前部射频 rf 线圈阵列

[发明专利]半导体器件-CN201410094909.8有效
发明人： M.克努德森;T.迈尔;S.马鲁塔姆图;A.沃尔特;G.赛德曼;P.赫雷罗;P.贾埃维南 -专利权人：英特尔IP公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括芯片；至少部分地围绕所述芯片并且具有配置成接收第一电容性耦合结构的接收区的芯片封装结构；布置在所述接收区中的第一电容性耦合结构；以及布置在所述第一电容性耦合结构之上并且电容性地耦合到所述第一电容性耦合结构的第二电容性耦合结构
半导体器件

[发明专利]包括位于包封层中的电感器和电容器的衬底-CN202180046921.X在审
发明人：金钟海;M·沙;P·奇达姆巴拉姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种封装，包括功率放大器和被耦合到功率放大器的衬底。衬底包括包封层、位于包封层中的电容器器件、位于包封层中的电感器、被耦合到包封层的第一表面的至少一个第一电介质层，以及被耦合到包封层的第一表面的多个第一互连。多个第一互连至少位于至少一个第一电介质层中。多个第一互连被耦合到电容器器件和电感器。电感器和电容器器件被配置为被电耦合在一起，以作为功率放大器的匹配网络的元件来操作。电容器器件被配置为被耦合到地。
包括位于包封层中的电感器电容器衬底

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