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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]高可靠性功率器件-CN202121617145.8有效
  • 吴炆皜;何洪运;郝艳霞 - 苏州固锝电子股份有限公司
  • 2021-07-16 - 2022-01-18 - H01L23/31
  • 本实用新型公开一种高可靠性功率器件，包括位于环氧封装体内的芯片基板、连接片和由若干个芯片堆叠而成的芯片组，所述连接片的一端为与芯片组电连接的第一焊接部，另一端为与一引线条电连接的第二焊接部，所述第一焊接部与第二焊接部之间通过一具有折弯的连接部连接本实用新型既可以有效避免芯片边缘偏出金属片，又便于环氧的填充，保证绝缘性能的稳定，避免长期使用过程中发生短路等情况，进一步提高了产品的可靠性。
  • 可靠性功率器件
  • [实用新型]高可靠性MOSFET器件-CN202220605163.2有效
  • 陈远华;居长朝;徐烨钧 - 苏州泰晶微半导体有限公司
  • 2022-03-18 - 2022-09-27 - H01L29/78
  • 本实用新型公开一种高可靠性MOSFET器件，包括至少2个器件单胞所述器件单胞进一步包括：N+型衬底层和位于N+型衬底层上部的N‑漂移层，N‑漂移层中上部具有一P‑型基区，位于所述P‑型基区上部具有在水平方向依次连接的左N+体区、P+型源极区、右N+体区；P‑型基区内且位于左N+体区、P+型源极区、右N+体区下方设置有一条形P+电阻区，N‑漂移层位于相邻所述器件单胞之间区域内具有一P+保护柱，所述P+保护柱的下端延伸至本实用新型高可靠性MOSFET器件既有利于增大了电流，提高了器件整体的驱动能力，也增强了器件单胞之间隔离性能，进一步提高了器件整体的可靠性。
  • 可靠性mosfet器件
  • [实用新型]高可靠性晶闸管器件-CN202222490863.4有效
  • 唐兴军;王亚 - 苏州兴锝电子有限公司
  • 2022-09-21 - 2023-02-24 - H01L23/367
  • 本实用新型公开一种高可靠性晶闸管器件，包括：壳体、引脚，与壳体内部电路连接的引脚位于壳体一端，所述壳体顶部设置有一散热盖，该散热盖的一端设置有一第一定位孔，所述壳体对应第一定位孔设置有一第二定位孔，一定位螺丝可穿过第一定位孔与第二定位孔螺纹连接本实用新型高可靠性晶闸管器件可以实现散热盖连接的可靠、稳定，保证了器件在长期使用过程中散热的稳定，从而提高了器件工作的可靠性。
  • 可靠性晶闸管器件
  • [发明专利]高可靠性表面安装器件-CN201410155091.6在审
  • 罗伟忠;华国铭;张建平 - 苏州锝耀电子有限公司
  • 2014-04-18 - 2014-08-06 - H01L29/06
  • 本发明公开一种高可靠性表面安装器件，包括：二极管芯片；第一引线端头通过焊膏层与二极管芯片的正极面的连接，第二引线端头通过焊膏层与二极管芯片的负极面的连接，第一引线端头、第二引线端头与焊膏层接触的表面设有至少本发明大大降低整个器件的反向漏电流，避免了器件的局部温升，提高了器件耐高压性能性和可靠性；也防止发生移位、焊接封装后的二极管焊片偏心，提高了二极管的良品率和电性能，大大减低了环氧封装体与铜引线之间开裂。
  • 可靠性表面安装器件
  • [发明专利]改善器件可靠性的方法-CN202310615302.9在审
  • 王奇伟;詹曜宇;张志刚 - 上海华力集成电路制造有限公司
  • 2023-05-29 - 2023-08-29 - H01L21/336
  • 本发明提供一种改善器件可靠性的方法，提供衬底，在衬底上形成有STI以定义出至少一种器件的有源区，衬底上形成有覆盖有源区的硬掩膜层；在硬掩膜层上形成第一光刻胶层，光刻打开所需器件区域中横跨相邻两STI边缘区域的第一光刻胶层刻蚀裸露的硬掩膜层及其下方的STI、衬底形成呈倒凸形的沟槽，定义沟槽中两阶梯交界处为有源区边界，之后去除剩余的第一光刻胶层和硬掩膜层；形成覆盖沟槽的栅氧化层，在栅氧化层上形成第二光刻胶层，之后光刻打开第二光刻胶层，使得所需器件区域中有源区边界上方的栅氧化层上保留一圈第二光刻胶层本发明的栅氧化层转角比提高，且对高压器件其他电性参数影响极小。
  • 改善器件可靠性方法
  • [发明专利]高可靠性整流器件-CN201310293355.X有效
  • 张雄杰;何洪运;程琳 - 苏州固锝电子股份有限公司
  • 2013-07-12 - 2013-11-06 - H01L23/488
  • 本发明一种高可靠性整流器件，其第一引线条一端的支撑区连接到整流芯片下表面，该整流芯片下表面通过焊锡膏与该第一引线条的支撑区电连接；位于第二引线条一端的焊接区与连接片的第一焊接面连接；连接片的第一焊接面和第二焊接面之间具有一中间区本发明高可靠性整流器件可以自适应吸收多余的焊料，既保证了焊接区域铺展有足够面积的焊料，又避免了因为焊料量多而溢出可焊接区造成产品失效，提高了产品电性、可靠性和良率。
  • 可靠性整流器件
  • [发明专利]SLD器件可靠性评估方法-CN201510330182.3有效
  • 史典阳;李海军;聂国建;任艳;周军连;于迪 - 工业和信息化部电子第五研究所
  • 2015-06-15 - 2017-10-20 - G01R31/26
  • 本发明涉及一种SLD器件可靠性评估方法，包括获取SLD器件内管芯的基本失效率和温度系数，并将管芯的基本失效率和温度系数的乘积转换为管芯的失效参数；获取SLD器件内光纤焊点的耦合失效率，生成光纤焊点的失效参数；获取SLD器件内制冷器的基本失效率，生成制冷器的失效参数；获取SLD器件内热敏电阻的基本失效率和温度系数，并将热敏电阻的基本失效率和温度系数的乘积的2倍转换为热敏电阻的失效参数；将管芯的失效参数、光纤焊点的失效参数、制冷器的失效参数和热敏电阻的失效参数转换为SLD器件的失效参数；根据SLD器件的失效参数进行可靠性评估。实施本发明，可对SLD器件的可靠性进行精确评估。
  • sld器件可靠性评估方法
  • [实用新型]高可靠性半导体器件-CN202020823440.8有效
  • 唐兴军;王亚 - 苏州兴锝电子有限公司
  • 2020-05-18 - 2020-11-17 - H01L23/49
  • 本实用新型公开一种高可靠性半导体器件，包括二极管芯片、第一引线条和第二引线条，所述第一引线条的上端和下端分别为支撑部和第一引脚部，所述第一引线条的支撑部和第一引脚部之间具有一第一折弯部；所述第一引线条的支撑部的边缘开有至少本实用新型高可靠性半导体器件有利于芯片热量的扩散，减少了热阻，改善了器件的散热性能。
  • 可靠性半导体器件
  • [发明专利]高可靠性整流半导体器件-CN201710687993.8在审
  • 李飞帆;张屹 - 苏州锝耀电子有限公司
  • 2017-08-12 - 2017-12-19 - H01L23/31
  • 本发明公开一种高可靠性整流半导体器件，其二极管芯片下端通过焊锡膏与该支撑区电连接，第一引线条另一端是引脚区；第二引线条一端是与所述连接片的第一焊接端连接的焊接区；第一引线条的支撑区与引脚区之间区域设有一第一折弯条本发明高可靠性整流半导体器件增强了器件与PCB板的结合力，且有利于红胶粘接时排气，避免了器件跑偏，大大降低了器件与PCB板的脱焊几率。
  • 可靠性整流半导体器件
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