专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果528653个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]一种合金中提取的方法-CN201210325715.5有效
  • 刘大春;杨斌;李一夫;徐宝强;徐光耀;蒋文龙;戴卫平;速斌;戴永年;邓勇;熊恒;王飞 - 昆明理工大学
  • 2012-09-06 - 2012-12-19 - C22B11/02
  • 本发明提供一种合金中提取的方法,通过将合金升温至430~500℃进行熔化;将锌锭加入到已熔化的合金中,并加以搅拌溶解;将溶解后的混合物降温至390~400℃,再在200~700转/分的转速下进行离心分离,至上层液体表面无浮渣为止,即得到上层为液,下层为锌渣;所得液经自然降温凝固为除后的合金;将所得锌渣经真空蒸馏后即得到和粗锌。经提取后的合金中银含量<10g/t。整个过程安全可控,操作方便,无三废排放,对原料普适性高,成分不同的合金均能得到有效处理,能够实现连续化工业生产,回收率高,可实现合金中银的高效提取,不仅可以提高的品质,而且可为企业回收大量的
  • 一种含银粗锡合金提取方法
  • [发明专利]凸块量控制方法-CN201510790246.8有效
  • 王自台 - 南通富士通微电子股份有限公司
  • 2015-11-17 - 2016-01-20 - C25D3/60
  • 本发明提供一种凸块量控制方法,其特征在于,所述方法包括:S30:监测用于生产凸块的电镀液的Sn4+浓度;S50:所述电镀液的Sn4+浓度达到预设的极限浓度时,将所述电镀液更换为新配置的电镀液,返回步骤S30;其中,所述新配置的电镀液含有Sn2+,不包含Sn4+。本发明通过监测电镀液的Sn4+浓度,并在Sn4+浓度达到预设的极限浓度时更换电镀液,一方面保障了充分利用电镀液,实现了精确的成本管控,另一方面同时保障了凸块的量不会过高
  • 锡银凸块含银量控制方法
  • [实用新型]一种耐高温-CN202020044411.1有效
  • 梁明亮 - 深圳市正锡金属有限公司
  • 2020-01-10 - 2020-10-30 - B32B15/20
  • 本实用新型公开了一种耐高温,包括本体,所述本体包括防水层、金属层、第一耐高温层、第二耐高温层、耐腐蚀层、防尘层、防火层和隔氧层,所述防水层的顶部与金属层固定连接,所述金属层的顶部与第一耐高温层固定连接本实用新型通过本体、防水层、金属层、第一耐高温层、第二耐高温层、耐腐蚀层、防尘层、防火层和隔氧层的配合使用,能够使具有良好的耐高温性能的同时,亦具有防水、高强度、耐腐蚀、防尘、防火和不易氧化的性能,从而提高了的使用性和实用性,有利于人们的使用。
  • 一种耐高温含银锡
  • [发明专利]一种氧化触头材料及其制备方法-CN201210051248.1有效
  • 杨跃新;王强;许军;曹政;倪泽胜 - 郴州市金贵银业股份有限公司
  • 2012-03-01 - 2012-07-11 - H01B1/02
  • 本发明涉及一种氧化触头材料及其制备方法,属于电工材料技术领域。氧化触头材料由稀土氧化组成。其中稀土氧化含量为1-20wt%。稀土氧化可以是和稀土的混合物,也可以是和稀土加第三组元的混合物;稀土可以为单一稀土或混合稀土;第三组元为铜、铋、锑、铟中的一种或一种以上;第三组元的含量不得高于稀土的含量。氧化中的稀土含量不高于10%。本发明采用复合粉法工艺,即以预先制备的氧化为核心,通过还原硝酸中的银离子,使沉积在氧化颗粒表面,形成均匀的氧化复合粉;经后续的成型、烧结、挤压加工等,制备符合客户要求的线材或片件触头产品。
  • 一种氧化锡触头材料及其制备方法
  • [发明专利]一种半导体发光元件和发光装置-CN202110643648.0有效
  • 刘鹏;卢超;曾江斌;何安和;洪灵愿;林素慧;黄敏;张中英 - 厦门三安光电有限公司
  • 2021-06-09 - 2023-08-01 - H01L33/62
  • ;半导体层包括:第一导电型半导体层、第二导电型半导体层和两者之间的发光层;焊盘,包括第一焊盘、第二焊盘,位于半导体层上,第一焊盘、第二焊盘分别与第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层连接;焊盘包括层,层具有相对的第一表面和第二表面,第一表面相对第二表面更靠近半导体层,自第一表面开始计算或者自第二表面开始计算,D1厚度内原子数相对于的总原子数的原子百分比具有一个峰值,所述的D1厚度为大于通过在层第一表面或者第二表面附近设置一层高含量的层,减少与其它金属扩散形成的空洞,增强结合力。
  • 一种半导体发光元件装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top