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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种单面抛光的异质结太阳能电池-CN201620789531.8有效
发明人：张杰;宋广华 -专利权人：福建钧石能源有限公司
申请日： 2016-07-26 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单面抛光的异质结太阳能电池，其包括N型单面抛光硅片；设在N型单面抛光硅片受光面和背光面的本征非晶硅层；设在N型单面抛光硅片受光面本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设在N型单面抛光硅片背光面本征非晶硅层上的P型掺杂非晶硅层；分别设在N型掺杂非晶硅层和P型掺杂非晶硅层上的透明导电膜层；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的金属栅线电极；设在N型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上、金属栅线电极之间的MgF2层；设在P型掺杂非晶硅层的透明导电膜层上的金属反光层；设在金属反光层上的金属栅线电极。本实用新型有利于控制非晶硅薄膜沉积的膜厚和均匀性，使PN结更加平整，提高了电池片的电学性能。
一种单面抛光异质结太阳能电池

[发明专利]罗哌卡因/美洛昔康盐的一水合物I晶型、药物组合物及其制备方法和应用-CN202211724956.7在审
发明人：唐田;陈柏州;蒋娟娟;梁东丽;管俊德;刘淑芬;严菁宸 -专利权人：加立（深圳）生物科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C07D417/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种罗哌卡因/美洛昔康盐的一水合物I晶型，所述罗哌卡因/美洛昔康盐的一水合物I晶型的X射线粉末衍射图谱在下列2θ(°)角处具有特征衍射峰：11.0°±0.2°、14.3°±0.2°、17.3°该一水合物I晶型具有稳定的形态和确定的熔点，化学稳定性好，耐高温和光照，且具备了制备固体制剂所需要的性能，给药浓度较高、溶出较好，可压性、崩解度均较好，贮存方便，使制剂的生产操作更为简便，质量更易控制。
罗哌卡美洛昔康盐水合物晶型药物组合及其制备方法应用

[发明专利]一种提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法-CN201210294462.X无效
发明人：崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了提高N型衬底HIT太阳能电池开路电压的方法。根据本发明的一种N型衬底HIT太阳能电池，包括：N型晶硅衬底层；N型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。
一种提高衬底 hit 太阳能电池开路电压方法

[发明专利]一种降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法-CN201210294465.3无效
发明人：崔艳峰;袁声召;石建华;陆中丹;孟凡英;刘正新 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了降低P型衬底HIT太阳能电池串阻的方法。根据本发明的一种P型衬底HIT太阳能电池，包括：P型晶硅衬底层；P型晶硅衬底层两侧的第一和第二本征非晶硅层；第一本征非晶硅层外侧的N型非晶硅层；第二本征非晶硅层外侧的P型非晶硅层；N型非晶硅层外侧的第一TCO层和电极；以及P型非晶硅层外侧的第二TCO层和电极，其中，所述第二TCO层是由高功函数TCO层和低功函数TCO层组成的叠层，高功函数TCO层和P型非晶硅层接触。
一种降低衬底 hit 太阳能电池方法

[发明专利]光电转换装置-CN201680028567.7有效
发明人：原田真臣;东贤一;神川刚;酒井敏彦;国吉督章;辻埜和也;邹柳民 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。
光电转换装置

[发明专利]一种MWT异质结太阳能电池及其制备方法-CN202111170112.8在审
发明人：钱洪强;张树德;符欣 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供一种MWT异质结太阳能电池，包括N型晶硅硅片，所述N型晶硅硅片的正面和反面分别设有本征非晶硅钝化层；在所述本征非晶硅钝化层远离所述N型晶硅硅片的表面设有在N型非晶硅层或P型非晶硅层；在所述N型非晶硅层或P型非晶硅层上沉积有TCO透明导电膜层；背面有孔洞和背面金属电极；每个孔洞对应的金属电极点附近通过掩膜形成有连续闭合的隔离沟道，所述隔离沟道贯穿于TCO透明导电膜层和P型非晶硅层。
一种 mwt 异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]光生伏打装置-CN200510105632.5有效
发明人：寺川朗 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-09-28 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是一种在n型单晶硅基板和含有氢的p型非晶硅层之间，设置了含有氢的实质本征非晶硅层的光生伏打装置，在该装置中，在所述p型非晶硅层和所述本征非晶硅层之间，设有氢浓度比所述本征非晶硅层的氢浓度低的捕获层利用该捕获层抑制氢从本征非晶硅层向p型非晶硅层扩散。
光生伏打装置

[实用新型]非晶硅层叠太阳能电池-CN201620100125.6有效
发明人：杨华;戚运东;张群芳 -专利权人：山东新华联新能源科技有限公司
申请日： 2016-01-29 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L31/043 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种非晶硅层叠太阳能电池，包括顶电池层，包括顺序层叠的第一P型非晶硅层、第一本征非晶硅层和第一N型非晶硅层；中间电池层，包括在第一N型非晶硅层的远离第一本征非晶硅层的一侧顺序层叠的第二P型非晶硅层、第二本征非晶硅锗层和第二N型非晶硅层；第一反射层，设置于中间电池层的远离顶电池层的一侧表面；底电池层，设置于第一反射层的远离中间电池层的一侧表面，且底电池层包括顺序层叠的第三P型非晶硅层、第三本征非晶硅锗层和第三N型非晶硅层。上述非晶硅层叠太阳能电池进一步优化了顶电池层、中间电池层和底电池层之间的电流匹配，进而提高了非晶硅层叠太阳能电池的转化效率。
非晶硅层叠太阳能电池

[实用新型]P型硅衬底异质结电池-CN201320194906.2有效
发明人：包健;郭万武;余冬冬;杨同春 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种P型硅衬底异质结电池，它包括一P型晶体硅衬底层、一本征非晶硅层、一N型非晶硅层、一P型非晶硅掺杂层、一第一透明导电层、一上电极层、一本征非晶硅锗钝化层、一第二透明导电层和一背电极层，P型晶体硅衬底层具有一正面和一背面；本征非晶硅层沉积在P型晶体硅衬底层的正面上；N型非晶硅层沉积在本征非晶硅层的上表面上；第一透明导电层位于N型非晶硅层的上表面上；本征非晶硅锗钝化层沉积在P型晶体硅衬底层的背面上；P型非晶硅掺杂层沉积在本征非晶硅锗钝化层的下表面上；第二透明导电层位于P型非晶硅掺杂层的下表面上；背电极层位于第二透明导电层的下表面上并通过第二透明导电层与P型非晶硅掺杂层电性连接。
衬底异质结电池

[发明专利]罗沙司他晶型及其制备方法-CN202011298865.2有效
发明人：连小刚;李响;周炳城;魏娜 -专利权人：江苏豪森药业集团有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C07D217/26 文献下载
摘要：本发明公开了罗沙司他的晶型及其制备方法、以及其药物组合物和在治疗慢性肾性贫血等疾病中的用途。罗沙司他的结构如下：
罗沙司及其制备方法

[发明专利]光电动势元件-CN200610057698.6有效
发明人：寺川朗;浅海利夫 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2006-02-24 - 公布日： 2006-08-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：在n型单晶硅基板主面的除去外周部的规定宽度之外的区域内形成有i型非晶硅膜和n型非晶硅膜。n型单晶硅基板的主面上形成有覆盖i型非晶硅膜和n型非晶硅膜的表面电极。在n型单晶硅基板的背面的整个区域内形成有i型非晶硅膜和p型非晶硅膜。在p型非晶硅膜上的除去外周部的规定宽度的区域内形成背面电极。表面电极侧成为主要的光入射面。
电动势元件

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN201510099839.X有效
发明人：陈芃 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L31/078 文献下载
摘要：一种异质结太阳能电池包含半导体基板、第一缓冲层、第二缓冲层、第二n型非晶半导体层、第二p型非晶半导体层、第一透明导电层以及第二透明导电层。其中，其制造方法主要是将第一缓冲层的第一n型非晶半导体层与第二缓冲层的第一p型非晶半导体层分别设置在半导体基板的第一表面与第二表面上，并对第一n型非晶半导体层与第一p型非晶半导体层以一掺杂气体等离子体处理制程进行处理然后在第一n型非晶半导体层上形成第一本征非晶半导体层，以及在第一p型非晶半导体层上形成第二本征非晶半导体层。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110035157.8在审
发明人：张津燕;吴科俊;王琳;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％‑Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％‑Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]异质结太阳能电池及其制造方法-CN202110916140.3在审
发明人：吴科俊;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：所述方法先对N型单晶硅片进行制绒及清洗；然后在其正反两面上分别形成第一、第二本征非晶硅层；接着在第一本征非晶硅层上形成N型非晶硅层；之后在第二本征非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第二本征非晶硅层的方向在X％-Y％的范围内以第一斜率线性增长的第一P型非晶硅层；接着在第一P型非晶硅层上形成其中的P型杂质浓度沿着远离第一P型非晶硅层的方向在Y％-Z％的范围内以第二斜率线性增长的第二P型非晶硅层；然后在所述N型非晶硅层以及第二P型非晶硅层上分别形成第一、第二透明导电膜；最后在第一、第二透明导电膜上形成第一、第二电极。
异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池-CN201210041796.6无效
发明人：包健 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜非晶硅-N型晶体硅异质结叠层太阳能电池，具有N型晶体硅基体，N型晶体硅基体背面沉积有厚度为2～10nm的背面非晶硅本征层，背面非晶硅本征层的背面钝化后沉积有厚度为5～15nm的N型微晶硅层，N型晶体硅基体正面沉积有厚度为2～10nm的正面第一非晶硅本征层，正面第一非晶硅本征层的正面钝化后沉积有厚度为10～20nm的P型微晶硅层，P型微晶硅层正面依次沉积有厚度为5～15nm的N型非晶硅层、厚度为50～200nm的正面第二非晶硅本征层、厚度为10～20nm的P型非晶硅层。本发明可以减少非晶硅本征薄膜的厚度，可以提高对太阳光的利用率，从而提升太阳能电池的效率。
薄膜非晶硅晶体硅异质结叠层太阳能电池

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