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[发明专利]结构可调的电池系统-CN201410843713.4有效
发明人：王丽芳;李勇;王立业;廖承林;郭彦杰 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：电池组由n只单体电池和3n-3个可控开关器件组成，其中n为大于等于2的偶数。电池组中的单体电池通过可控开关器件与正母线和负母线相连；结构控制单元通过控制可控开关器件的开关状态，实现电池组串并联结构的主动调整。
结构可调电池系统

[发明专利]钢质管道防护工程用去耦器-CN200710169063.X有效
发明人：刘旭;解子燕;王富元;张祥贵 -专利权人：武汉爱劳高科技有限责任公司
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H02H9/00 文献下载
摘要：该去耦器包括可控硅(1)、耦合触发装置(3)、浪涌防护器件(4)和端口，可控硅(1)的控制极接至耦合触发装置(3)的电抗元件，可控硅(1)通过耦合触发装置(3)同浪涌防护器件(4)并连，浪涌防护器件(4
管道防护工程用去耦器

[实用新型]抗接地故障检测电路和检测设备-CN202022933279.2有效
发明人：吕凤鸣;郭帅;羡慧竹;李冀;赵成;宋玮琼;韩柳;李季巍;李蕊;陆翔宇 -专利权人：国网北京市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G01R35/04 文献下载
摘要：其中，该抗接地故障检测电路包括：电源、电能表和多个可控开关器件，电源和电能表之间连接生成三相火线和一个零线，多个可控开关器件分别与三相火线和一个零线连接，形成三相回路，其中，每一个可控开关器件独立控制一相回路
接地故障检测电路设备

[实用新型]LED线上调光控制电路-CN201520082611.5有效
发明人：彭德水 -专利权人：东莞金准电器有限公司
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LED线上调光控制电路，其包括：依次连接的输入端、整流单元、稳压单元、滤波单元、MCU控制器单元以及与MCU控制器单元连接的光电耦合器电路单元、可控硅器件、输出端，其中，所述可控硅器件中的阴极作为输出端的MCU控制器单元根据调节所述可调电阻器VR1的阻值对光电耦合器及光隔离三端双向可控硅驱动器芯片提供信号，而该光电耦合器配合光隔离三端双向可控硅驱动器芯片控制可控硅器件工作，以实现对与输出端连接的灯具进行调光目的，此方式可提高可控精度及稳定性，还可实现无段式调光，令本实用新型具有极高的市场竞争力。
led 线上调光控制电路

[发明专利]一种异质结半导体器件热阻测量电路及方法-CN202210315142.1在审
发明人：李胜;陆伟豪;张弛;刘斯扬;孙伟锋;时龙兴 -专利权人：东南大学;东南大学—无锡集成电路技术研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结半导体器件热阻测量电路及其方法，其中电路包括信号发生模块，驱动模块，待测器件，可控负载模块，恒温装置，数据采集模块以及电源模块。提取异质结半导体器件工作热稳定状态下漏电级电流随时间的变化率作为结温的参考，从而进行异质结半导体器件工作热稳定状态下热阻阻值的计算。其中，可以通过调控可控负载模块，使电路在正常工作模式和测量模式两种状态下切换。正常工作模式用于使待测器件处于热稳定的工作状态；测量模式用于提取待测器件漏电级电流变化率以进行热阻的计算。
一种异质结半导体器件测量电路方法

[实用新型]一种可控温度的半导体制冷器件-CN202221687457.0有效
发明人：朱安贫;韩学武;赵吕龙 -专利权人：湖北赛格瑞新能源科技有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： F25B21/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可控温度的半导体制冷器件，属于半导体制冷领域。本实用新型提供的可控温度的半导体制冷器件通过设置在基板上的热敏电阻，将制冷器件的温度信息传递到单片机中，单片机通过接收到的温度信息自动调整对半导体制冷器件的输入电流值，以改变工作端的温度，从而达到对半导体制冷器件的工作温度精准控制本实用新型能够使制冷器件整体更紧凑，减少生产的物料成本，而且本实用新型能够更加真实的反应冷面基板和热面基板的温度，提高检测精度。
一种可控温度半导体制冷器件

[实用新型]节电器-CN201020587011.1无效
发明人：许光辉 -专利权人：许光辉
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H02P23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种节电器，其包括金属外壳、安装于金属外壳上的电压表和电流表、设于金属外壳内部的功率器件及散热器，所述功率器件连接设有三相控制的输入、输出接线，所述节电器还设有双向可控硅及受所述双向可控硅控制的单向可控硅
节电

[发明专利]一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备-CN202010843626.4在审
发明人：赵秋森 -专利权人：无锡摩斯法特电子有限公司
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明实施例涉及一种用于沟槽栅VDMOS器件老化的方法和老化设备，所述方法包括：控制电路输出第一控制信号，控制可控电压源向待老化VDMOS器件的漏极施加正电压至达到待老化VDMOS器件的击穿电压；在设定老化时间内，控制电路获取待老化VDMOS器件的漏源电流的第一实时监测信号，并且获取待老化VDMOS器件的器件表面温度的第二实时监测信号，根据第一实时监测信号和第二实时监测信号输出第二控制信号；可控电压源根据第二控制信号调整输出电压，使得待老化VDMOS器件的漏源电流在第一预设范围内且器件表面温度在第二预设范围内；计时结束后，对待老化VDMOS器件进行降温处理后从老化设备中取出，得到老化处理后的沟槽栅VDMOS器件。
一种用于沟槽 vdmos 器件老化方法设备

[发明专利]检测金属散热器件散热性能的方法及其测试装置-CN201410286343.9有效
发明人：张捷宇;王继旭;吴广新;郭瑞华;殷天 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： G01N25/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测金属散热器件散热性能的方法及测试装置。其方法是将被检测散热器件置于一空腔内，使其受热端与一温度可控稳恒热源相贴合使散热器件温度升高，再给定散热器件散热部分一温度可控流量可调的气流冷却散热器件，同时记录流经散热器件并被散热器件加热的气流温度，当散热器件受热与冷却达到稳定时，通过稳定时受热气流温度的高低来表征散热器件的综合散热性能好坏，即在相同温度恒定热源和同等冷却条件下受热气流温度稳定时温度越高则散热器件的综合散热性能越好，由此实现表征和评估散热器件的综合散热性能，这一方法综合考虑了复杂的散热过程，散热金属的物性参数以及散热器件的结构特征等对散热器件散热性能的贡献。
检测金属散热器件性能方法及其测试装置

[发明专利]反激式变换器电路-CN201210380334.7无效
发明人：廖华;李晶 -专利权人：西门子公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：信号生成器，用于当被提供工作电压时，根据所述负载的电压和所述开关电路的电流来生成所述脉宽调制信号；自举启动电路，用于在所述反激式变换器电路启动期间，向所述信号生成器提供所述工作电压；其中，所述开关电路包括多个可控开关器件和多个二极管，其中，所述多个可控开关器件根据所述脉宽调制信号同时交替地导通和关断，并且在所述多个可控开关器件处于关断状态时，所述多个可控开关器件的每一个的关断电压被所述多个二极管的其中一个箝位为不大于所述直流母线电压的电压利用该反激式变换器电路，能够减少主开关器件在关断时所承受的关断电压。
反激式变换器电路

[发明专利]FPGA单粒子效应动态故障测试装置及方法-CN201410419050.3有效
发明人：朱翔;封国强;韩建伟;姜昱光;上官士鹏;马英起;陈睿;余永涛 -专利权人：中国科学院空间科学与应用研究中心
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种FPGA单粒子效应动态故障测试装置，包括控制电路模块(11)、上位机控制模块(12)、可控脉冲激光模块(15)以及三维移动模块(16)；其中，三维移动模块(16)在测试时用于安装待测试的被测FPGA器件(13)；上位机控制模块(12)与控制电路模块(11)连接，控制电路模块(11)连接到可控脉冲激光模块(15)，在测试时，控制电路模块(11)还分别连接到被测FPGA器件(13)以及与被测FPGA器件(13)所对应的对照FPGA器件(14)。
fpga 粒子效应动态故障测试装置方法

[实用新型]水泵电机转子并接双向可控硅模拟运算调速器-CN93211929.8无效
发明人：赖宣芹 -专利权人：赖宣芹
申请日： 1993-05-06 - 公布日： 1994-03-09 - 主分类号： H02P7/625 文献下载
摘要：水泵电机转子并接双向可控硅模拟运算调速器是工业，民用建筑的给水排水机电设备的配套器件。现有的水泵电机调速方法，其装置原理结线及结构复杂，可靠性差、造价高、效率低。本实用新型采用双向可控硅或反并联可控硅的各输入端与电机转子回路的各个对应输出端相连接；可控硅呈“Y”形或“△”形连接；可控硅的各控制极与控制回路的各输出端连接。是一顶技术含量高、实用性广，生命力强的给排水设备的配套器件。
水泵电机转子双向可控硅模拟运算调速器

[发明专利]基于可控变形压电扰流片阵列的冷却通道散热方法及装置-CN202310029503.0在审
发明人：高智刚;王志强;周军;乔克强;李朋;张佼龙 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种基于可控变形压电扰流片阵列的冷却通道散热方法及装置，通过安装在冷却通道内部的可控变形压电扰流片，利用逆压电效应使得扰流片产生机械形变，对冷却通道的内部流场产生扰动，进而改善其热性能。通过对可控变形压电扰流片施加电压、频率可控的交流电信号，实现对其工作状态的主动控制，进而调节冷却通道的热性能。通过对扰流片阵列进行分区域控制，改变冷却通道内的流场分布和传热结构，提升散热器的局部或全局传热性能，改善元器件的温度均匀性，减小温度波动。本发明区别于传统基于固定式扰流装置的冷却通道散热器，可以根据元器件、散热器基底温度特性和元器件功率损耗主动改变工作状态，实现对冷却通道散热器基底温度分布和散热性能的可控调节。
基于可控变形压电扰流片阵列冷却通道散热方法装置

[发明专利]一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件-CN201110195634.3无效
发明人：苗萌;董树荣;吴健;曾杰;韩雁;马飞;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌P型MOS管辅助触发的可控硅器件，在第二P+注入区与第二N+注入区之间的P型衬底上，加入一块不接任何电位的第二N阱，可以有效地增加寄生NPN型三极管的纵向基区宽度。本发明利用内嵌P型MOS管的可控硅特有的低电压开启特性做到了可控硅的低电压开启，适用于大部分电路的ESD防护要求；同时，利用增加电位浮空N阱的方式做到了提高可控硅钳位电压的目的；此外，相比传统的单纯依靠拉伸三极管横向基区宽度的方法，本发明提供的可控硅器件面积上更有效率，更节省硅片面积与生产成本，是一种经济有效的低工作电压域电路ESD防护方案。本发明结构简单，电流均匀，器件强壮性好，稳定可靠。
一种 mos 辅助触发可控硅器件

[发明专利]有改善的较小正向电压损耗和较高截断能力的半导体结构-CN02825190.3无效
发明人： C·B·科康 -专利权人：费查尔德半导体有限公司
申请日： 2002-10-16 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：揭示一种半导体器件。这半导体器件包括一个或多个电荷控制电极的多个电荷控制电极。这些一个或多个电荷控制电极可控制半导体器件漂移区内的电场。
改善较小正向电压损耗截断能力半导体结构