“可控器件”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果699533个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]多功能联合测试行动组链装置-CN200610089054.5有效
发明人：马卫国 -专利权人：大唐移动通信设备有限公司
申请日： 2006-07-31 - 公布日： 2008-02-06 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开一种多功能JTAG链装置，包括用于边界扫描的边界扫描连接器和至少2个JTAG器件，各JTAG器件连接成JTAG链，并与边界扫描连接器连接，所述装置还包括：可控开关、开关控制装置和分别用于下载调试各JTAG器件的调试连接器；在边界扫描连接器的测试数据输入TDI引脚和与其连接的JTAG器件的TDI引脚之间、在JTAG链上各串联的测试数据输出TDO引脚和TDI引脚之间、在边界扫描连接器的TDO引脚和与其连接的JTAG器件的TDO引脚之间、在边界扫描连接器的测试模式选择输入TMS/测试时钟输入TCK引脚与各JTAG器件的TMS/TCK引脚的各并联支路中，分别串联一个可控开关，所有可控开关都受开关控制装置的控制；各JTAG器件的TDI、TDO、TMS和TCK引脚还分别与相应的调试连接器的TDI、TDO、TMS和TCK引脚连接。
多功能联合测试行动装置

[发明专利]控制燃料电池器件中的运行状态的方法和装置-CN201180040951.6有效
发明人：金·阿斯特罗姆 -专利权人：康维恩公司
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：本发明的焦点是一种用于控制燃料电池器件的运行状态的控制装置，所述燃料电池器件利用燃料电池(103)产生电力，所述燃料电池器件中的各个燃料电池包括阳极侧(100)、阴极侧(102)、介于阳极侧和阴极侧之间的电解质104)，且所述燃料电池被设置为堆结构，所述燃料电池包括用于燃料电池用的负载(126)、用于所述用于燃料电池用的负载的控制器(130)、用于确定所述燃料电池的基本温度信息的装置(132)，且所述燃料电池器件已被设置为并联连接至电网所述控制装置包括：至少一个可控电加热器(134a、134b)，用于作为在正常规运行状态和在功率不平衡情况下均产生作为可控热量的热量的器件而运行；以及至少两个控制器(134、135、136、137、138)，用于至少将给至所述燃料电池(103)的空气流的量和施加至所述堆环境的热控制作为可控的燃料电池量来控制，以控制可控热量和可控的燃料电池量二者中的至少一个实质上地达到目标值；以及低阶高速控制器(134a)，用于在功率不平衡情形下控制所述至少一个可控电加热器(134b)，以使所述加热器作为用于燃料电池器件的过量能量的缓冲器来运行。
控制燃料电池器件中的运行状态方法装置

[发明专利]用于发射体育用品的发射装置、方法及训练系统-CN201480028943.3有效
发明人：多梅尼科·弗朗西斯科·古尔兹 -专利权人：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
申请日： 2014-05-19 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G16H20/30 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于发射体育用品的发射装置(100)，包括：驱动器件(101，201)，具有用于根据一可控驱动特性驱动所述体育用品的驱动体(103，111)；以及调节器件(107)，用于根据至少一个生理机能参数对所述可控驱动特性进行调节
发射装置驱动特性可控体育调节器件驱动器件生理机能训练系统发射驱动体驱动

[发明专利]光电倍增管信号可控积分电路-CN201310045627.4有效
发明人：黄维;张运海;张龙;陈瑞涛;高飞;薛晓君 -专利权人：中国科学院苏州生物医学工程技术研究所
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：一种光电倍增管信号可控积分电路，包括：光电倍增管，用于采集微弱荧光得到微弱信号，并以电信号的形式输出；可控积分模块，与所述光电倍增管电性连接；可编程逻辑器件，与所述可控积分模块电性连接，用于控制所述可控积分模块对所述电信号进行运算得到电压曲线；模数转换器，与所述可控积分模块以及所述可编程逻辑器件电性连接，用于将所述电压曲线转换为采样信号，并输出。
光电倍增管信号可控积分电路

[实用新型]用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件-CN202020388279.6有效
发明人：曾嵘;刘佳鹏;赵彪;陈政宇;余占清;周文鹏;张翔宇 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型属于电力半导体器件领域，公开了一种用于过压击穿功能的缓冲区变掺杂结构及半导体器件，缓冲区变掺杂结构设置于半导体器件内，当半导体器件承受击穿电压时，通过缓冲区变掺杂结构承受半导体器件产生的电场，本实用新型采用局部穿通原理实现过压可控击穿，具有温度稳定性好、工艺易实现、击穿电压一致性好、穿通点位置可控的优势。
用于击穿功能缓冲区掺杂结构半导体器件

[实用新型]一种励磁整流柜-CN201821109792.6有效
发明人：蔡金寿;阳勇华;关瑞中;傅铁军;赖淦源;郑美龙 -专利权人：福建晋江天然气发电有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种励磁整流柜，包括整流柜本体，整流柜本体内安装有整流组件，整流组件包括可控硅和散热装置，以及若干采用并联方式连接在一起的保险元器件，保险元器件固定安装在整流柜本体内且位于可控硅和散热装置的上方，可控硅经散热装置固定在整流柜本体内，保险元器件经整流桥与可控硅串联；整流桥包括左桥臂和右桥臂，左桥臂包括依次连接的第一左竖直段、第一左横向段、第二左竖直段和第二左横向段，第一左竖直段和第二左横向段上均设置有安装孔本实用新型的励磁整流柜能够及时有效地熔断保险元器件切断与故障可控硅的连接，避免与励磁整流柜控制连接机组发生跳机启动，避免事故范围扩大化。
可控硅励磁整流柜横向段整流柜元器件散热装置左竖直段本实用新型整流组件体内右桥臂整流桥左桥臂保险并联方式控制连接熔断保险依次连接安装孔竖向段有效地跳机串联机组

[实用新型]用于LED控制电源的可控硅器件-CN202021859256.5有效
发明人：唐兴军;王亚 -专利权人：苏州兴锝电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于LED控制电源的可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，陶瓷绝缘片开有通孔，此通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接；阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述栅极电极的栅极焊接部与可控硅芯片的栅极区通过第二导线连接；阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出本实用新型可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也提高了器件的可靠性。
用于 led 控制电源可控硅器件

[发明专利]一种低压感应限位装置及其安装方法与应用-CN202010122618.0在审
发明人：王荣伟 -专利权人：嘉善志达机电有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提供的一种低压感应限位装置，包括可控硅、内置芯片与整流电路，整流电路包括两个串联的整流二极管并与一个常开开关串联，整流电路直接电性连接电源，内置芯片并联在整流电路上，内置芯片电性连接可控硅，内置芯片与可控硅之间串联有电阻与电容，内置芯片可向可控硅发射G信号，可控硅串联有常开开关与动力元器件，内置芯片上设有发光二极管，发光二极管用于感应运动元器件；采用两个整流二极管与内置芯片提供稳定的电流与电压，并通过电阻与电容将内置芯片发射出的G信号进行降压，避免G信号电压过大进而击穿与内置芯片连接的可控硅，达到可直接将本低压感应限位装置连接在动力元器件的电源上使用。
一种低压感应限位装置及其安装方法应用

[实用新型]一种低压感应限位装置-CN202020218884.9有效
发明人：王荣伟 -专利权人：嘉善志达机电有限公司
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种低压感应限位装置，包括可控硅、内置芯片与整流电路，整流电路包括两个串联的整流二极管并与一个常开开关串联，整流电路直接电性连接电源，内置芯片并联在整流电路上，内置芯片电性连接可控硅，内置芯片与可控硅之间串联有电阻与电容，内置芯片可向可控硅发射G信号，可控硅串联有常开开关与动力元器件，内置芯片上设有发光二极管，发光二极管用于感应运动元器件；采用两个整流二极管与内置芯片提供稳定的电流与电压，并通过电阻与电容将内置芯片发射出的G信号进行降压，避免G信号电压过大进而击穿与内置芯片连接的可控硅，达到可直接将本低压感应限位装置连接在动力元器件的电源上使用。
一种低压感应限位装置

[实用新型]大功率可控硅器件-CN202021859280.9有效
发明人：唐兴军;王亚 -专利权人：苏州兴锝电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种大功率可控硅器件，包括：可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极、阴极电极和栅极电极，所述陶瓷绝缘片开有通孔；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内，所述阴极电极的阴极焊接部与可控硅芯片的阴极区通过第一导线连接，所述阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚从环氧封装体内延伸出；所述陶瓷绝缘片从环氧封装体远离阳极管脚的端面延伸出的一散热板本实用新型大功率可控硅器件有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，进一步增强了热量的水平和垂直方向的扩散，从而延长了器件的使用寿命。
大功率可控硅器件

[发明专利]一种开关管整流电路、驱动芯片及控制器-CN202310172233.9在审
发明人：林思聪 -专利权人：梵塔半导体技术（杭州）有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02M7/219 文献下载
摘要：该开关管整流电路包括第一整流器件、第二整流器件、第三整流器件、第四整流器件、第一电源线、第二电源线、第一输出端、第二输出端、检测单元和控制单元；第一整流器件、第二整流器件、第三整流器件、第四整流器件中至少有一个是整流可控开关管；检测单元与第一电源线和/或所述第二电源线电连接，用于检测第一电源线和/或所述第二电源线的电压状态；检测单元与控制单元电连接，控制单元至少一端与整流可控开关管的控制端电连接，控制单元接收所述电压状态并根据电压状态控制所述整流可控开关管的工作状态
一种开关整流电路驱动芯片控制器

[实用新型]风扇灯的一体化控制器结构-CN201720934357.6有效
发明人：唐贵 -专利权人：唐贵
申请日： 2017-07-30 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开风扇灯的一体化控制器结构，包括控制电路板、与控制电路板连接的无线控制电路板，控制电路板包括电路基板、设于电路基板上的可控制风扇灯的光源结构的驱动器件、设于电路基板上的可控制风扇灯的风扇结构的风控器件、设于电路基板背面上的可控制驱动器件与风控器件工作的处理器，无线控制电路板与处理器连接，无线控制电路板与风扇灯的遥控器适配，无线控制电路板接收遥控器发出的控制信息并传递给处理器，处理器对控制信息进行处理后控制驱动器件、风控器件的工作从而控制风扇灯的光源结构、风扇结构的工作。这样就形成了一种集成驱动器件、风控器件于一体的一体化的控制器结构。
风扇一体化控制器结构

[发明专利]一种具有双导通路径的可控硅器件-CN201010616002.5无效
发明人：苗萌;董树荣;李明亮;吴健;韩雁;马飞;宋波;郑剑锋 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L29/747 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有双导通路径的可控硅器件，包括P阱和N阱，在N阱与P阱之间跨设有一个N+注入区和一个Pbody区域。利用在N阱与P阱间跨接的N+注入区，实现可控硅触发电压的降低；通过N阱与P阱交界处的Pbody区域，实现可控硅表面电流路径与体内电流路径的分离。相比普通SCR结构电流更多的集中于器件表面，导通均匀性差的缺点，本发明的具有双导通路径的可控硅器件，结构简单、导通均匀性好、ESD效率高、鲁棒性好，适用于高压、功率电路的静电放电保护。
一种具有通路可控硅器件

[实用新型]单向可控硅器件-CN202021859249.5有效
发明人：唐兴军;王亚 -专利权人：苏州兴锝电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开一种单向可控硅器件，其通孔内设置有一导电柱，所述可控硅芯片位于陶瓷绝缘片的一表面并覆盖通孔，此可控硅芯片的阳极区通过一焊膏层与所述导电柱一端电连接；可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部本实用新型单向可控硅器件既有利于可控硅芯片的热量尽快扩散到陶瓷绝缘片上，便于热量扩散，也能更长时间承受电流冲击，进一步提高了器件的使用寿命。
单向可控硅器件

[实用新型]双向可控硅器件-CN202021859277.7有效
发明人：唐兴军;王亚 -专利权人：苏州兴锝电子有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开一种双向可控硅器件，其阳极电极位于陶瓷绝缘片与第一可控硅芯片相背的表面，此阳极电极的阳极焊接部与导电柱另一端电连接，第一可控硅芯片、陶瓷绝缘片、阳极电极的阳极焊接部、阴极电极的阴极焊接部和栅极电极的栅极焊接部位于环氧封装体内；此阳极电极的阳极管脚、阴极电极的阴极管脚和栅极电极的栅极管脚各自末端均为扁平片状管脚，此扁平片状管脚的宽度大于相应的阳极管脚、阴极管脚和栅极管脚的宽度；位于陶瓷绝缘片上表面的第二可控硅芯片的阴极区与第二导电柱的上端电连接本实用新型双向可控硅器件具有两个方向轮流导通、关断的特性，且便于热量扩散，也提高了器件的可靠性。
双向可控硅器件

首页
«上一页
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
下一页»
尾页
共 100000 条