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[发明专利]输入设备-CN201210353299.X无效
发明人：水谷道;柴田直树 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： G06F3/042 文献下载
摘要：本发明提供一种即使受光元件被定位在光射出用的主芯的终端附近也能够防止贯通光射出用的主芯的终端面而泄露的不需要的光到达受光元件的输入设备。具备：光波导，其形成为四边形框状，具有四边形形状的输入用中空部；发光元件，其与该光波导的光射出用的主芯的始端侧相连接；以及受光元件，其与上述光波导的光入射用的芯的终端侧相连接，上述受光元件位于上述光射出用的主芯的终端侧，在上述光射出用的主芯的终端与上述受光元件之间设置有空隙(空气层)。该空气层使从上述发光元件发出且贯通上述光射出用的主芯的终端面并向上述受光元件侧泄露的不需要的光扩散，来防止该不需要的光到达上述受光元件。
输入设备

[发明专利]光拾取装置-CN200910208035.3有效
发明人：村上晋三;盐本武弘;增井克荣;滨冈治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-10-16 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G11B7/12 文献下载
摘要：本发明提供一种可以小型化、可以生成稳定的推挽信号的光拾取装置。光拾取装置(10)包括：光源(12)；物镜(13)；衍射元件(17)；受光元件(16)；以及控制驱动部(14)。向衍射元件(17)入射光学记录介质(11)反射的光。向受光元件(16)入射经衍射元件(17)进行了衍射的光束，受光元件(16)中形成有多个受光区域(20)。受光区域(20)输出与入射光束的光通量对应的输出信号。控制驱动部(14)通过计算多个受光区域(20)输出的输出信号的差异，求出推挽信号，并基于推挽信号对物镜(13)进行控制驱动。
拾取装置

[发明专利]光模块-CN201880092252.8在审
发明人：白崎昭生;大谷龙辉;冈田规男 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01S5/0683 文献下载
摘要：特征在于，具有：半导体激光元件；透镜，其对该半导体激光元件的出射光进行聚光；盖，其保持该透镜，对该半导体激光元件进行气密封装；监视受光元件，其对该半导体激光元件的背面光进行受光；透过板，其配置于该半导体激光元件和该监视受光元件之间，该盖的周围的温度越低则越使该背面光衰减而使该背面光入射至该监视受光元件；以及控制部，其对该半导体激光元件的注入电流进行控制，以使得该监视受光元件的输出恒定。
模块

[发明专利]光波距离计-CN201080010324.3有效
发明人：青木康俊 -专利权人：株式会社索佳拓普康
申请日： 2010-03-17 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G01S17/36 文献下载
摘要：具备将以多个主调制频率(F1、F2)调制的光射出的第1发光元件(13)、将以分别接近于各主调制频率的邻近调制频率(F1-Δf1、F2-Δf2)调制的光射出的第2发光元件(14)、将从两发光元件射出的光受光的第1及第2受光元件(40、48)、连接在第1受光元件上的第1频率变换器组(42、44)、和连接在第2受光元件上的第2频率变换器组(50、52)。从第1发光元件射出的光被分为两部分，一方经过到目标反射物(22)往复的测距光路(23)入射到第1受光元件中，另一方经过第1参照光路(26)入射到第2受光元件中，从第2发光元件射出的光被分为两部分，一方经过第2参照光路(31)入射到第2受光元件，另一方经过第3参照光路(29)入射到第1受光元件。
光波距离

[实用新型]位移传感器-CN03203340.0无效
发明人：宇野徹也;滝政宏章;菅孝博 -专利权人：欧姆龙株式会社
申请日： 2003-02-17 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： G01B21/06 文献下载
摘要：可几乎不受反射强度不匀影响而进行高精度快速位移测量的位移传感器，具备：投光单元(1)、具有遮光掩模(901a)和受光元件(902a)的受光单元(9)、将投光单元(1)射出的光束聚焦于被测物体(8)的第1聚光元件(3、5、7)、将反射光束聚焦于受光单元的第2聚光元件(3、5、7)、在被测物体一侧使投光光轴和受光光轴同轴的第1光路控制元件(2)及使从投光单元到被测物体的光程及从被测物体到受光单元的光程连续变化的光程扫描机构遮光掩模配置于从第2聚光元件到受光元件的光路中，在反射光束被第2聚光元件聚焦的位置因光程扫描机构而变化时，使遮住反射光束部分的比例改变。受光元件接收通过遮光掩模的光束，根据因光程扫描机构而变化的受光元件的输出信号，取得到被测物体距离的信息。
位移传感器

[发明专利]显示装置、显示模块及电子设备-CN202180053917.6在审
发明人：山崎舜平;江口晋吾;久保田大介;楠纮慈;渡边一德 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G09F9/00 文献下载
摘要：显示装置包括第一发光元件、第二发光元件、受光元件及遮光层。第一发光元件和受光元件排列地配置在同一面上。遮光层设置在第一发光元件及受光元件的上部。第二发光元件设置在遮光层的上部。第一发光元件具有向上方发射可见光的功能。第二发光元件具有向上方发射不可见光的功能。受光元件为对可见光及不可见光具有灵敏度的光电转换元件。另外，从平面来看，遮光层包括位于第一发光元件和受光元件之间的部分，此外，从平面来看，第二发光元件与遮光层重叠且位于遮光层的轮廓的内侧。
显示装置显示模块电子设备

[发明专利]单芯光收发器-CN201210492427.9无效
发明人：稻垣优人;铃木贵幸;胡国祥;郝为民 -专利权人：浜松光子学株式会社;南京光露电子有限公司;中国电力科学研究院
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：在单芯光收发器(1)中，在受光元件(12)的受光面(12a)上将蓝宝石基板(13b)与受光面(12a)同轴配置，在该蓝宝石基板(13b)上形成氮化物半导体层(13a)而构成成为发光元件(13)的LED。通过将受光元件(12)与发光元件(13)同轴配置，可以与单一的光纤(2)结合。另外，通过将蓝宝石基板(13b)用作发光元件(13)的基板，能够使光纤(2)的传送损失小的波长带的光信号通过蓝宝石基板(13b)而到达受光元件(12)的受光面(12a)。因此，即使在受光元件(12)的受光面(12a)上配置发光元件(13)，也能够在整个受光面(12a)接收来自于光纤(2)的光信号，能够充分地提高受光灵敏度。
单芯光收发

[发明专利]半导体受光元件-CN202080027577.5在审
发明人：名田允洋;吉松俊英;中岛史人;山田友辉 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供一种增加制造工艺的裕度，能不牺牲受光灵敏度而实现高速工作的半导体受光元件。本发明的半导体受光元件(200)具备：掺杂有第一杂质的半导体层(202)；半导体光吸收层(203)，在掺杂有所述第一杂质的半导体层(202)上，以吸收入射光的方式对带隙能量进行调整；掺杂有第二杂质的半导体层(204)，在所述半导体光吸收层(203)上；以及金属电极(206)，与掺杂有所述第二杂质的半导体的侧面相接，所述半导体受光元件(200)的特征在于，所述金属电极(206)的侧面是与掺杂有所述第二杂质的半导体层
半导体元件

[发明专利]波导型受光元件-CN202080097215.3在审
发明人：竹村亮太 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：波导型受光元件(100)具备依次形成于半导体基板(1)的第一导电型的第一接触层(2)、波导层(31)、以及第二导电型的第二接触层(6)。芯层(30)具有光吸收层(4)和杂质掺杂光吸收层(8)，该杂质掺杂光吸收层(8)的p型杂质的浓度比光吸收层(4)高且配置于光入射面(21)侧。
波导型受光元件

[发明专利]半导体受光元件-CN202180081005.X在审
发明人：田口桂基;石原兆;大重美明;牧野健二 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的半导体受光元件(1)包括：基板(10)；半导体层叠部(20)，其形成在所述基板(10)的第1区域(RB)上；和第1电极(40)和第2电极(50)，它们与所述半导体层叠部(20)电连接，所述半导体层叠部
半导体元件

[发明专利]波导型受光元件-CN202080102592.1在审
发明人：竹村亮太 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：将半导体层(13)的折射率设为n3，将入射光(15)的波长设为λ，半导体层(13)的横向的厚度为λ/(4×n3)的‑30％到+20％的范围内。
波导型受光元件

[发明专利]半导体受光元件-CN200910128969.6有效
发明人：石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-03-20 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明提供一种能够降低量子效率的波长依赖性的半导体受光元件。在n型InP衬底(10)(半导体衬底)的下表面上，从n型InP衬底(10)侧起依次形成有n型第一多层反射层(12)、n型第一光谐振层(14)、n型第二多层反射层(16)、i型InGaAs光吸收层(18)第一光谐振层(14)比构成第一、第二的多层反射层(12、16)的各半导体层厚，在将在第二多层反射层(16)和阳极电极(22)之间具有的膜的光学膜厚作为第一光学膜厚Lopt1，将第一光谐振层(14)的光学膜厚作为第二光学膜厚
半导体元件

[发明专利]半导体受光元件-CN200810149949.2有效
发明人：石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-10-17 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体受光元件。得到制造容易、受光灵敏性较高且不从外部施加偏置电压就能够高速动作的半导体受光元件。金属电极(23)形成在受光区域的外侧。
半导体元件

[发明专利]半导体受光元件-CN200810160917.2有效
发明人：石村荣太郎;中路雅晴 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种能够提高波长稳定性的半导体受光元件。n型InP衬底(11)(半导体衬底)具有彼此对置的下表面(第一主面)和上表面(第二主面)。
半导体元件

[发明专利]半导体受光元件-CN201610617954.6有效
发明人：山口晴央 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：得到一种半导体受光元件，该半导体受光元件能够抑制漏电流、防止受光灵敏度的降低。具有使InP层(2a)和Al_xGa_yIn_1‑x‑yAs层(2b)交替地层叠的超晶格，缓冲层(2)不吸收由光吸收层(4)进行吸收的波段的光，
半导体元件