专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种浮地隔离高压电源-CN201910226554.6有效
  • 刘文杰;梁卫平;孟庆艳 - 北京超分科技有限公司
  • 2019-03-25 - 2021-03-09 - H02J50/12
  • 本发明属于电力线路领域,尤其是一种浮地隔离高压电源,针对现有的高压电源隔离电压达到上万伏时,使用隔离变压器的方法逐渐不可行,这主要是一方面隔离电压不能满足要求,另一方面隔离变压器的效率会降低,同时体积会急剧增大的问题,现提出如下方案,其包括发射电路、接收电路和DC‑DC转换电路,所述发射电路和接收电路电性连接,且发射电路和接收电路之间设有磁屏蔽,接收电路和DC‑DC转换电路电性连接,发射电路包括集成电路T5336和集成电路本发明利用非辐射性磁耦合共振进行高压的隔离和能量传输,隔离电压可至5万伏特以上,正极性和负极性可方便进行切换等优点,具有调节方便,安全可靠,取材方便,体积小,结构紧凑,效率高。
  • 一种隔离高压电源
  • [发明专利]一种双隔离器半导体光放大器及其耦合方法-CN202111220057.9在审
  • 顾文华;韩明玺;桂桑;李雄飞;王雷 - 南京理工大学
  • 2021-10-20 - 2022-01-25 - H01S5/50
  • 本发明公开了一种用于光通信的集成双隔离器的半导体光放大器的结构及光路耦合方法。本方法首先测量半导体放大器芯片两端的自发噪声功率并记录;然后对第二芯片透镜、发射隔离器、第二光纤透镜及发射端光纤进行耦合;接着配置耦合接收端的外围光路;最后对第一芯片透镜、接收端隔离器、第一光纤透镜及接收端光纤进行耦合本结构包括半导体光放大器、芯片透镜、光纤透镜、隔离器、光纤。信号光进入第一光纤透镜后准直射入接收端隔离器,随后出射到达第一芯片透镜进入半导体光放大器芯片,信号在芯片内部实现放大后通过第二芯片透镜将发出的光准直后的光射入发射隔离器,接着从第二光纤透镜进入发射端光纤
  • 一种隔离器半导体放大器及其耦合方法
  • [发明专利]光亮度和接近度多芯片集成传感器及其封装的方法-CN201210109614.4无效
  • 不公告发明人 - 昆山同心金属塑料有限公司
  • 2012-04-16 - 2012-08-01 - G01J1/42
  • 本发明提供了对光亮度和接近度多芯片集成传感器及其封装的方法,通过应用红外光隔离并带有嵌入式凹型槽的底板,将红外光发射模块,集成芯片模块直接嵌入并连接到底板上,红外光发射及感应模块被底板上的红外光隔离墙隔开,必要时,模块顶部可盖上红外光隔离的盖板,在红外光发射模块,红外光感应模块,环境光感应模块的正上方的盖板上开出大小适合的孔,以保证红外光及环境光通道畅通,底板可用预先注塑红外隔离聚合物的印刷线路板或铜金属框架,或陶瓷的底板结构,来隔离接近度传感器发射元件和接收元件之间的串扰;顶部可选择性地增加盖板,盖板可以金属,陶瓷或可隔离红外光的聚合物制成。
  • 光亮度接近芯片集成传感器及其封装方法
  • [实用新型]一种多通道并行传输的光组件-CN202121825802.8有效
  • 孙宇皓;胡定坤;李林科;吴天书;杨现文;张健 - 武汉联特科技股份有限公司
  • 2021-08-06 - 2022-01-18 - G02B6/42
  • 本实用新型公开了一种多通道并行传输的光组件,属于光纤通信技术领域,包括底板和光纤线缆组、光发射机构、隔离装置和光接收机构,所述光发射机构耦接至所述底板,所述光发射机构被配置成将M路入射光相交于同一点处,M路所述入射光位于同一平面;所述隔离装置耦接至所述底板,隔离装置位于所述同一点处,所述隔离装置被配置成接收来自所述光发射机构的M路入射光,且所述隔离装置将M路所述入射光分成M路发散光;所述光接收机构耦接至所述底板,所述光接收机构被配置成将来自所述隔离装置的M路所述发散光朝着所述光纤线缆组的方向进行折射,以使M路所述发散光相平行。
  • 一种通道并行传输组件
  • [发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法-CN201210130116.8无效
  • 黄勤 - 无锡维赛半导体有限公司
  • 2012-04-27 - 2013-10-30 - H01L21/331
  • 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法,该晶体管至少包括:集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、两个发射区、栅区域、隔离结构、绝缘埋层、发射极;其中,各该体区分别位于各该发射区与漂移区之间,栅区域位于各该体区及其之间的沟道之上并与各该发射区接触,隔离结构覆盖于栅区域表面以及各该发射区和各该体区的上表面,绝缘埋层位于隔离结构覆盖区域以外的漂移区上并与各该体区接触,发射极覆盖于所述隔离结构及绝缘埋层表面以使各该发射区和各该体区实现电连接。
  • 绝缘双极晶体管及其制作方法
  • [发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制备方法-CN201210130117.2无效
  • 黄勤 - 无锡维赛半导体有限公司
  • 2012-04-27 - 2013-10-30 - H01L21/331
  • 本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制备方法,该晶体管至少包括:集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、两个发射区、栅区域、隔离结构、绝缘埋层、发射极;其中,各该体区分别位于各该发射区与漂移区之间,栅区域位于各该体区及其之间的沟道之上并与各该发射区接触,隔离结构覆盖于栅区域表面以及部分各该发射区和各该体区的上表面,绝缘埋层位于体区与漂移区之间但并未贯穿整个漂移区,发射极覆盖于所述隔离结构及绝缘埋层表面以使各该发射区和各该体区实现电连接。本发明借助注氧隔离技术提供的绝缘栅双极晶体管,其正向压降大幅降低,具有更小的通态损耗,更好地改善了电导调制特性,使本发明成为电力电子系统应用中非常有吸引力的器件。
  • 绝缘双极晶体管及其制备方法
  • [发明专利]一种扫描式射束探测装置及其方法-CN201510738525.X在审
  • 王启华 - 王启华
  • 2015-11-03 - 2016-02-03 - G01V8/20
  • 本发明涉及一种扫描式射束探测装置,其包括射束发射器、射束接收器和两个扫描支架;所述两个扫描支架可滑动地分别平行设置在隔离区域的首、尾两端,两个所述扫描支架分为发射扫描架和接收扫描架;接收扫描架上设置有射束接收器;发射扫描架上设置有射束发射器或者射束折射器;发射扫描架和接收扫描架同步滑动,射束发射器发出的射束直接射入或经射束折射器折射后射入所述射束接收器,射束横扫过整个隔离区域进行检测。本发明实现了高铁和城铁站台安全限界内、外隔离区域的探测区域全覆盖,实现无缝式高密度检测,其结构更加合理优化和成本明显降低,具有更为安全、有效、可靠的防护功能。同时也可以在其它机场、港口、核电等类同的宽长隔离通道应用。
  • 一种扫描式射束探测装置及其方法
  • [实用新型]一种带隔离器的三发射BOSA组件-CN201721356713.7有效
  • 张才生;林承城;范李春 - 厦门市贝莱通信设备有限公司
  • 2017-10-20 - 2018-04-20 - G02B6/42
  • 一种带隔离器的三发射BOSA组件,包括四通壳体、三个光发射单元、尾纤和波片结构,所述的四通壳体包括一输入输出端口和三个发射端口,所述的尾纤耦合在输入输出端口,所述的光发射单元耦合在发射端口,所述的光发射段元内置入自由空间隔离器本实用新型通过在原有BOSA的壳体内直接置入自由空间隔离器,在不改变原有产品尺寸的基础上,有效提高了产品隔离度,不需要对原有模块做任何改进,大大降低了成本,实现产品结构上的稳定性和性能上得到改善的双重标准
  • 一种隔离器发射bosa组件

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