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[发明专利]层叠的磁记录介质-CN01813420.3无效
发明人：霍亚·范多;埃里克·E·富勒顿;戴维·T·马古利斯;哈尔·J·罗森 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2001-07-06 - 公布日： 2003-09-24 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种用于数据存储的层叠磁记录介质采用了一种磁记录层，该层至少有两个被非铁磁间隔层分隔的反铁磁耦合(AFC)层。每个AFC层形成为通过一个反铁磁耦合膜反铁磁耦合在一起的两层铁磁膜，该反铁磁耦合膜具有引发第二膜与第一膜的反铁磁耦合的成分和厚度。每个AFC层中的两个反铁磁耦合膜的磁矩反平行取向，并且因而每个AFC层的净磁化强度－厚度乘积(Mrt)为两个铁磁膜的Mrt值之差。两个相邻的AFC层之间的非铁磁间隔层具有足以防止一个AFC层的铁磁膜与相邻AFC层的铁磁膜的任何反铁磁耦合的成分和厚度。
层叠记录介质

[发明专利]一种磁存储器及其制备方法-CN202111522263.5在审
发明人：卢世阳;殷加亮;商显涛;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 -专利权人：致真存储（北京）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁存储器及其制备方法，涉及磁存储器领域，该磁存储器包括：电流写入层以及设置在之上的反铁磁耦合自由层，反铁磁自由层包括：反铁磁耦合层、第一铁磁翻转层以及第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层厚度小于第二铁磁翻转层，第一铁磁翻转层设于反铁磁耦合层与电流写入层之间，第二铁磁翻转层设于反铁磁耦合层之上，第一铁磁翻转层通过所述电流写入层产生的自旋累积实现翻转，翻转过程带动第二铁磁翻转层翻转，由于反铁磁耦合自由层厚度较单自由层高，因此提升了存储器的使用寿命，并且由于反铁磁耦合自由层的第一铁磁翻转层的厚度小于第二铁磁翻转层，可以实现优先翻转，并且带动第二铁磁翻转层翻转，翻转速度大于现阶段的翻转速度。
一种磁存储器及其制备方法

[发明专利]磁阻磁头及其制造方法-CN200510082332.X无效
发明人：重松惠嗣;西冈浩一;田岛康成 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-06-30 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：使得旋转阀设备的反铁磁层和第一铁磁层之间的交换耦合能以及经由Ru反铁磁耦合层耦合的第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合能增加，从而增加磁阻比例并减小旋转阀膜的自由层矫顽磁力。在MnPt反铁磁基础型合成铁型旋转阀膜中，底层、包括MnPt的反铁磁层、包括CoFe的第一铁磁层、包括Ru的反铁磁耦合层、包括CoFe的第二铁磁层、包括Cu的中间非磁性层、包括CoFe和NiFe合成膜的自由层以及保护层被堆叠在基底上，并且第一铁磁层的CoFe_X中的Fe组分被设定为20＜X≤50at％。
磁阻磁头及其制造方法

[发明专利]具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构-CN201911233568.7有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构设置反铁磁耦合层结合双铁磁层的合成反铁磁层，配合反铁磁耦合层和晶格隔断层，实现合成反铁磁层到参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
具有晶格传输作用合成反铁层磁性隧道结构

[发明专利]用于磁电子器件的合成反铁磁结构-CN200380106461.7无效
发明人：加森·艾伦·加奈斯基;布莱德利·N·英格尔;尼古拉斯·D·里佐;约汉·M·斯劳格特 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2003-10-28 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：一种近似平衡的合成反铁磁(SAF)结构，其能够优良地使用于诸如磁电阻存储单元的磁电子器件(5)中，该结构包括两个铁磁层(45，55)和分隔这两个铁磁层的一个反铁磁耦合层(65)。该SAF自由层(15)具有在该反铁磁耦合层中形成的弱耦合区域，其通过诸如退火、层叠反铁磁耦合层或在铁磁层的一个粗造化表面上形成反铁磁耦合层等处理来形成。相对于未处理的SAF自由层，该弱耦合区域降低了SAF自由层的翻转磁场。SAF翻转被用于这种结构的写入操作期间，而它的减小导致了写入操作期间更低的功耗及相应提高的器件性能。
用于磁电器件合成反铁磁结构

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200810171074.6无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]具有多个铁磁耦合下层的反铁磁耦合层的磁记录盘-CN200410100047.1无效
发明人：霍亚·V·多;埃里克·E·富勒顿;戴维·马古利斯;安德烈亚斯·莫泽 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-07 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：一种磁记录盘，其具有一反铁磁耦合(AFC)结构，该结构有一上铁磁层(UL)，和一由两个铁磁耦合下层(LL1、LL2)形成的下铁磁层结构。UL与下层结构跨过一反铁磁耦合层而反铁磁耦合。LL1和LL2跨过一铁磁耦合层而铁磁耦合，因此LL1和LL2的磁化在每个剩磁状态保持平行，但与UL的磁化在每个剩磁状态反向平行。UL的Mrt大于LL1和LL2的Mrt值之和。
具有多个铁磁耦合下层反铁磁记录

[发明专利]磁性多层膜结构及磁性器件-CN202210785203.0在审
发明人：吴迪 -专利权人：苏州凌存科技有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性多层膜结构，包括：形成在缓冲层或种子层上的第一多层结构；所述第一多层结构包括顺序布置的：参考层、非磁性中间层、自由层和耦合层；其中，耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，耦合层和自由层的磁矩方向反平行或平行排列本发明利用耦合层和自由层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，或耦合层和参考层通过界面的反铁磁或铁磁耦合，界面的耦合作用提供了较强的垂直磁各向异性，可以在保证垂直磁各向异性的条件下进一步提高自由层或参考层厚度，从而提高当耦合层和自由层为反铁磁耦合时，使磁矩方向形成反平行排列，从而降低总体的饱和磁化强度，进而降低外磁场的干扰。
磁性多层膜结构器件

[发明专利]一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用-CN202210502344.7有效
发明人：张昆;陈磊;李博;张悦;赵巍胜 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁及其存储器应用，所述梯度合成反铁磁包括：衬底、第一梯度层、反铁磁耦合层、第二梯度层；所述反铁磁耦合层位于所述第一梯度层与所述第二梯度层之间；通过所述反铁磁耦合层对所述第一梯度层与所述第二梯度层反铁磁耦合自旋轨道矩驱动的梯度合成反铁磁的热稳定性有极大提高，且翻转电流密度相比传统磁隧道结显著降低，能够实现超高密度、超低功耗信息存储。
一种自旋轨道驱动梯度合成反铁磁及其存储器应用

[发明专利]磁性隧道结以及神经元非线性响应器件-CN202010262733.8在审
发明人：曾中明;李荣鑫;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： G06N3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性隧道结，其包括顶电极和底电极以及隧道结，所述底电极为两端口存在自旋霍尔角的重金属层，所述隧道结包括依次设置在底电极上的磁性自由层、绝缘势垒层、磁性钉扎层、反铁磁耦合间隔层、反铁磁耦合磁性层和反铁磁层；其中，所述磁性自由层、磁性钉扎层和反铁磁耦合磁性层均为面内磁矩且易轴沿着底电极的宽方向，所述磁性钉扎层与所述反铁磁耦合磁性层的磁矩方向相反，所述反铁磁层的反铁磁序的方向为所述反铁磁耦合磁性层的易轴方向
磁性隧道以及神经元非线性响应器件

[发明专利]磁性随机存储器的磁性隧道结结构-CN201911195918.5有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种磁性随机存储器的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构设置反铁磁耦合层结合单/双铁磁层的双/三亚层的强合成反铁磁层，配合反铁磁耦合层和晶格隔断层，实现强合成反铁磁层到参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
磁性随机存储器隧道结构

[发明专利]具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元-CN201910960364.7在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元的磁性随机存储单元，透过直接在磁性隧道结的参考层之下方，制备合成反铁磁层。合成反铁磁层为叠加的多层结构，从下至上分别为超薄铁磁超晶格层和反铁磁耦合层的双层结构；其中该反铁磁耦合层下至上分别为RKKY反铁磁耦合层，晶格转换层和硼碳吸收层的依次向上叠加而成。透过一种含有三亚层的反铁磁耦合层的合成反铁磁层的磁性隧道结单元结构，极大的减小了整个合成反铁磁层和参考层的总厚度，且能够承受在400℃条件下的长时间退火，具有更强的漏磁场(HStray
具有超薄合成反铁磁层磁性隧道单元

[发明专利]一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法-CN201711147716.4有效
发明人：徐泽东;陈朗 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁随机存储器及其写入方法、读取方法和制备方法，该磁随机存储器包括依次堆叠设置的衬底层、铁电层、复合反铁磁结构、第一隔离层和第一铁磁层，复合反铁磁结构为磁随机存储器的自由层，第一铁磁层为磁随机存储器的固定层；铁电层在外加电压作用下发生极化或晶格形变，用于改变复合反铁磁结构的耦合状态；第一铁磁层具备恒定的第一磁矩方向；第一隔离层用于控制第一磁矩方向不受复合反铁磁结构耦合状态的影响。此磁随机存储器，利用电场作用下复合反铁磁结构铁磁耦合和反铁磁耦合的相互转变，实现MRAM的写入，解决了用导线的感应磁场或极化电流实现MRAM写入时，线宽较宽导致的MRAM尺寸较大，MRAM存储密度较低的问题
一种随机存储器及其写入方法读取制备

[发明专利]一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法-CN201510428403.0有效
发明人：吴文彬;陈斌斌;徐浩然 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜及其制备方法，本发明提供的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜通过将CaRu0.5Ti0.5O3作为势垒材料，将钙钛矿型过渡金属氧化物作为铁磁材料，使得制备得到的具有反铁磁层间耦合的磁性多层膜不仅能够很好的外延生长，且在零场下能实现铁磁层之间反平行耦合，与目前自旋阀式结构相比，无需底层反铁磁层的钉扎，即可实现两铁磁层之间平行或反平行排列，这对简化隧道结的结构有着重要意义；并且该多层膜中铁磁层的翻转对外场的改变十分敏感，可以通过磁场来灵敏地控制铁磁层之间的磁化构型，有利于其在磁性隧道结中的应用。
一种具有反铁磁层间耦合磁性多层及其制备方法

[发明专利]人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器-CN202110381200.6在审
发明人：魏晋武;于国强;韩秀峰 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明涉及人工反铁磁多层膜结构及包括其的磁随机存储器。根据一实施例，一种人工反铁磁多层膜结构可包括：面内场耦合层，包括由铁磁导电材料形成的第一铁磁层和第二铁磁层，以及位于所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的第一间隔层，所述第一间隔层由非磁导电材料形成并且诱导所述第一铁磁层和第二铁磁层之间的反铁磁耦合；自由磁层，包括由铁磁导电材料形成的第三铁磁层和第四铁磁层，以及位于所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的自旋霍尔效应层，所述自旋霍尔效应层由具有自旋霍尔效应的材料形成并且诱导所述第三铁磁层和第四铁磁层之间的反铁磁耦合；以及中间层，位于所述面内场耦合层与所述自由磁层之间，所述中间层由非磁材料形成。
人工反铁磁多层膜结构包括随机存储器

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