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[发明专利]一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法-CN202310281276.0有效
发明人：刘知琪;周晓荣 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法，该室温反铁磁记忆器件包括：基底和位于基底一侧的反铁磁氧化物功能层。本发明提供的这种室温反铁磁记忆器件中的反铁磁氧化物功能层利用了反铁磁氧化物材料自旋动力学特征频率为THz和对外界磁场不敏感等特点，使得该室温反铁磁记忆器件具有响应速度快、抗强磁场干扰的优点；其次本发明利用外加电场代替磁场或电流施加在基底上产生压电应力，反铁磁氧化物功能层基于压电应力改变反铁磁自旋轴的取向，进而影响反铁磁氧化物材料的各向异性磁电阻效应，从而使得反铁磁氧化物功能层中的电阻产生不同的非易失电阻态，基于不同的非易失电阻态可以有效避免焦耳热，
一种室温反铁磁记忆器件及其制备方法

[发明专利]具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构-CN201911233568.7有效
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本申请提供一种具有晶格传输作用的合成反铁层的磁性隧道结结构，所述磁性隧道结结构设置反铁磁耦合层结合双铁磁层的合成反铁磁层，配合反铁磁耦合层和晶格隔断层，实现合成反铁磁层到参考层之间的晶格转换和强铁磁耦合
具有晶格传输作用合成反铁层磁性隧道结构

[发明专利]一种抗强磁场干扰的AMR传感器及其制备方法-CN201910684534.3在审
发明人：刘明;王志广;胡忠强;苏玮 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G01R33/09 文献下载
摘要：相邻的两个磁阻条之间的端部通过第二导电材料连接，使若干磁阻条形成S型串联结构；相邻的第一导电材料之间均设置有S型串联结构，形成惠斯通电桥，S型串联结构端部的磁阻条与第一导电材料连接；每个S型串联结构均与四宫格的中线成通过铁磁/反铁磁耦合的方式解决磁阻条在强磁场干扰后磁化状态不稳定的问题。相较传统的AMR传感器设计，铁磁/反铁磁耦合的方法可以有效提升铁磁材料磁化状态的稳定性，增加AMR传感器的应用范围。
导电材料磁阻串联结构反铁磁耦合磁化状态铁磁等间距设置惠斯通电桥强磁场干扰导电金属抗强磁场铁磁材料传统的格状制备平行应用

[发明专利]基于磁性斯格明子的具有环形磁性赛道结构的JK触发器-CN201910418592.1有效
发明人：晋芳;饶恒畅;赵植;董凯锋;宋俊磊;莫文琴 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁性斯格明子的具有环形磁性赛道结构的JK触发器，本发明将磁性斯格明子置于环形磁性赛道中，采用电压驱动的方式使斯格明子在磁性赛道中循环运动，并通过磁隧道结来读取斯格明子在磁性赛道中的状态，进而实现JK触发器的逻辑功能，保障了基于斯格明子的JK触发器使用时的稳定性。
基于磁性明子具有环形赛道结构 jk 触发器

[发明专利]一种基于磁性斯格明子的与逻辑门和与非逻辑门-CN201910419000.8有效
发明人：晋芳;饶恒畅;赵植;董凯锋;宋俊磊;莫文琴 -专利权人：中国地质大学（武汉）
申请日： 2019-05-20 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于磁性斯格明子的与逻辑门和与非逻辑门，本发明将磁性斯格明子置于环形磁性赛道中，采用电压驱动的方式使斯格明子在磁性赛道中循环运动，并通过磁隧道结来读取斯格明子在磁性赛道中的状态，进而实现与门以及与非门的逻辑功能，保障了基于斯格明子的与非门以及与门使用时的稳定性。
一种基于磁性明子逻辑

[发明专利]磁阻效应器件,磁阻头及制造磁阻效应器件的方法-CN98125636.8无效
发明人：川分康博;里见三男;杉田康成;榊间博 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1998-09-29 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G11B5/39 文献下载
摘要：该多层膜包括反铁磁膜、第一铁磁膜、非磁膜、及第二铁磁膜，它们以此顺序直接地或通过一下层设在非磁衬底上。反铁磁膜包括α-Fe2O3膜。反铁磁膜和第一铁磁膜之间的表面粗糙度约为0.5nm或以下，以促进在反铁磁膜和第一铁磁膜之间界面上的导通电子的镜面反射。
磁阻效应器件制造方法

[发明专利]一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法-CN201010177285.8无效
发明人：代波;蒋庆林;邢永燕 -专利权人：西南科技大学
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01F10/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁磁/反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该多层膜钉扎材料包括基片和在基片上设置的缓冲层、铁磁层I、反铁磁层、铁磁层II和设于其上的保护层；其制备方法是在基片上采用磁控溅射依次沉积各层得到该多层膜材料采用本发明方法制备的多层膜钉扎材料，不仅成功地实现了铁磁/反铁磁交换偏置，而且利用交换耦合作用，增强了反铁磁材料的钉扎性能，使得铁磁/反铁磁交换偏置体系更加稳定，更适合于磁电子学器件的应用；制备工艺简单
一种反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法

[发明专利]一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备-CN201610070644.7在审
发明人：叶钊赫;叶建国;苗君 -专利权人：唐山市众基钢结构有限公司;苗君
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种铁磁-反铁磁薄膜异质结构、制备方法及磁存储设备，涉及磁存储技术领域。本发明提供的铁磁-反铁磁薄膜异质结构的铁磁层采用全哈斯勒合金，具有很高的有效自旋极化率，良好的半金属性，使得铁磁-反铁磁薄膜异质结构具有很好的交换偏置效应，而反铁磁层采用多铁性材料，不但具备各种单一的铁性，还具备在铁磁序和铁电序之间存在的耦合效应，表现出磁电耦合效应，因此，通过改变反铁磁层的厚度变化，来影响铁磁-反铁磁界面处的交换耦合作用，就可以获得整个异质结构的磁性变化，获得一个具有振荡形式的交换偏置效应，基于交换偏置效应的磁电子器件可应用于磁电阻读出磁头、磁传感器、磁随机存储器等磁存储领域。
一种反铁磁薄膜结构制备方法存储设备

[发明专利]一种磁随机存储单元及其制备方法、使用方法-CN202110759599.7在审
发明人：王开友;刘雄华;邓永城 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本公开提供了一种磁随机存储单元，包括：衬底，缓冲层，形成于所述衬底上，第一拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述缓冲层上，用于通过施加电流，从而驱动所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层中拓扑反铁磁态产生180°翻转，隧穿绝缘层，形成于所述第一拓扑反铁磁Weyl半金属层上，第二拓扑反铁磁Weyl半金属层，形成于所述隧穿绝缘层上，保护层，形成于所述第二所述拓扑反铁磁Weyl半金属层上。基于拓扑反铁磁Weyl半金属为材料制成磁随机存储单元，不需要依赖外加磁场，稳定性高。
一种随机存储单元及其制备方法使用方法

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN201711415711.5有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结-CN202010108087.X有效
发明人：韩秀峰;唐萍;郭晨阳;万蔡华 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本发明涉及巨磁致电阻器件、磁子场效应晶体管和磁子隧道结。一种巨磁致电阻器件可包括：第一铁磁绝缘层；设置在所述第一铁磁绝缘层上的非磁导电层；以及设置在所述非磁导电层上的第二铁磁绝缘层。一种磁子场效应晶体管可包括：第一铁磁区域、第二铁磁区域和第三铁磁区域，其每个由铁磁材料形成，其中所述第二铁磁区域由铁磁绝缘材料形成；第一反铁磁区域，位于所述第一铁磁区域和所述第二铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；第二反铁磁区域，位于所述第二铁磁区域和所述第三铁磁区域之间，由反铁磁材料形成；以及栅极，覆盖所述第二铁磁区域。铁磁和反铁磁材料都可以由金属、合金、半导体和绝缘体构成。
致电器件场效应晶体管隧道

[发明专利]具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元-CN201910960364.7在审
发明人：张云森;郭一民;陈峻;肖荣福 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明提供一种具有超薄合成反铁磁层的磁性隧道结单元的磁性随机存储单元，透过直接在磁性隧道结的参考层之下方，制备合成反铁磁层。合成反铁磁层为叠加的多层结构，从下至上分别为超薄铁磁超晶格层和反铁磁耦合层的双层结构；其中该反铁磁耦合层下至上分别为RKKY反铁磁耦合层，晶格转换层和硼碳吸收层的依次向上叠加而成。透过一种含有三亚层的反铁磁耦合层的合成反铁磁层的磁性隧道结单元结构，极大的减小了整个合成反铁磁层和参考层的总厚度，且能够承受在400℃条件下的长时间退火，具有更强的漏磁场(HStray
具有超薄合成反铁磁层磁性隧道单元

[发明专利]一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法-CN201610173054.7有效
发明人：唐晓莉;杨鸿洁;苏桦;钟智勇;张怀武 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下，依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜，第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa，溅射功率为30‑50W，第三铁磁层的厚度为8‑12nm，第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层，在不减薄铁磁层厚度的条件下，使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场，进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整
一种调节磁电薄膜线性区域方法

[发明专利]一种磁性随机存取器及磁隧道结存储单元-CN201910356071.8在审
发明人：张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 -专利权人：上海磁宇信息科技有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于解决现有磁性随机存取器中磁隧道结存储单元所存在的磁稳定性问题。本发明磁隧道结存储单元，包括磁性自由层、绝缘隧道势垒层、磁性参考层和复合反铁磁层，其中复合反铁磁层设置在磁性参考层远离绝缘隧道势垒层的一侧，复合反铁磁层包括：合成反铁磁耦合增强层、第一铁磁超晶格层、第二铁磁超晶格层、第一反铁磁耦合层以及第二反铁磁耦合层；本发明磁性随机存取器包括磁隧道结存储单元。相对于现有技术，本发明不仅有更优的体心立方结构的磁性参考层和铁磁隧道效应及其稳定性，并且具有更强的漏磁场和写电流调控能力。
一种磁性随机存取隧道结存单元

[发明专利]一种自旋太赫兹发射器件及其制备方法和应用-CN202211469862.X在审
发明人：张婕;聂天晓;赵巍胜;杨晴;熊丹荣 -专利权人：北京航空航天大学杭州创新研究院
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明提供的自旋太赫兹发射器件，包括依次叠层设置的铁磁材料层、反铁磁层和非铁磁层。在本发明中，铁磁材料层与反铁磁层相邻，利用反铁磁固定住下层的铁磁层磁化方向，使得在去掉外磁场的条件下依然可实现自旋太赫兹发射。本发明利用反铁磁层/非铁磁层异质结可实现高效的自旋太赫兹辐射。在本发明中，反铁磁层在激光照射条件下产生自旋流，且对自旋流具有“传递作用”，在本发明的结构中，自旋流来源于铁磁层和反铁磁层，可极大地提高自旋极化流的产生效率，本发明能够实现太赫兹辐射效率的极大提升。
一种自旋赫兹发射器件及其制备方法应用