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[发明专利]多晶硅制造用反应炉及多晶硅的制造方法-CN201680043217.8有效
发明人：黑泽靖志;祢津茂义;星野成大 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明的反应炉(200)具备作为能够收容硅芯线的初始加热用的碳加热器的空间部的加热器收纳部。在该反应炉(200)中，仅在需要硅芯线(12)的初始加热时将碳加热器(13)向析出反应空间(20)载入，在硅芯线(12)的初始加热结束后将碳加热器(13)从析出反应空间向加热器收纳部(30)卸载。由此，碳加热器(13)在反应炉内不会受到必要以上的损害，能抑制劣化，而且能抑制与炉内的氢气的反应，因此抑制甲烷的产生，也抑制向多晶硅的碳污染。
多晶制造反应炉方法

[发明专利]切断mRNA的多聚（A）链和/或3’末端序列的一部分而抑制翻译反应的技术-CN201280036289.1无效
发明人：和田忠士;竹田圭;半田宏 -专利权人：公立大学法人横滨市立大学;株式会社阳进堂;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2012-07-17 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C12N15/09 文献下载
摘要：本发明提供相比以往方法（RNAi法－核酶法－反义法）设计更简便，并且效果的确认也容易的人为的基因表达抑制方法。包括切断目标mRNA的多聚（A）链和/或3’末端序列的一部分来抑制目标基因的翻译反应的方法。也提供含可切断目标mRNA的多聚（A）链和/或3’末端序列的一部分的试剂的、用于抑制翻译反应的试剂盒；导入了可切断目标mRNA的多聚（A）链和/或3’末端序列的一部分的试剂的、而使目标基因的翻译反应被抑制的细胞；及导入了可切断目标mRNA的多聚（A）链和/或3’末端序列的一部分的试剂的、目标基因的翻译反应进而被抑制的非人生物。
切断 mrna 末端序列一部分抑制翻译反应技术

[发明专利]形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法-CN201810223693.9有效
发明人：朴圭熙;金润洙;金铉埈;李珍宣;林载顺 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-19 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：形成薄膜的方法以及使用其制造集成电路器件的方法，所述形成薄膜的方法包括：通过在约300℃至约600℃的温度下将具有羰基的反应抑制化合物供应至下部膜的暴露表面而形成化学吸附在所述下部膜的第一部分上的第一反应抑制层；在约300℃至约600℃的温度下形成化学吸附在所述下部膜的第二部分上的第一材料的第一前体层，所述第二部分通过所述第一反应抑制层暴露；以及通过将反应性气体供应至所述第一反应抑制层和所述第一前体层而在所述下部膜上形成包含所述第一材料的第一单层，并从所述下部膜的表面除去所述第一反应抑制层，从而暴露所述第一部分。
形成薄膜方法以及使用制造集成电路器件

[发明专利]基片处理装置-CN202011576637.7在审
发明人：樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
处理装置

[实用新型]基片处理装置-CN202023211384.1有效
发明人：樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本实用新型的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。
处理装置

[发明专利]反应装置、燃料电池系统和电子设备-CN200610151720.3无效
发明人：山本忠夫;宫本直知;盐谷雅治 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： C01B3/38 文献下载
摘要：本发明的目的在于抑制热泄漏到外部。本发明的反应装置具备：引起反应物反应的低温反应部、在高于所述低温反应部的温度下引起反应物反应的高温反应部、加热所述高温反应部的高温反应部用发热体和连接于所述高温反应部用发热体并引回至所述低温反应部的配线
反应装置燃料电池系统电子设备

[发明专利]链烷烃的制造方法和链烷烃制造装置-CN201310520469.3有效
发明人：桑名晃裕;畑启之 -专利权人：住友精化株式会社
申请日： 2013-10-29 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C07C5/03 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供链烷烃的制造方法和链烷烃制造装置，其能够在由烯烃生成链烷烃的氢化反应中抑制反应温度升高，其结果是，能够在氢化反应时抑制烯烃或者链烷烃发生分解，从而生成高纯度的链烷烃。链烷烃制造装置（100）具备导出部（2）和氢化反应部（3）。导出部（2）分别将原料烯烃、原料氢以及链烷烃导出，供给至氢化反应部（3）的反应器（31）中。在氢化反应部（3）的反应器（31）内，在存在链烷烃的状态下并在催化剂的存在下使原料烯烃与原料氢接触而发生氢化反应，由此生成链烷烃。
烷烃制造方法装置

[发明专利]高温反应部的隔热结构-CN202080100508.2在审
发明人：加藤芳树;末森重德;宫本晃志;荒木研太;原启城 -专利权人：三菱重工业株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01M8/04 文献下载
摘要：提供一种高温反应部的隔热结构，在高温环境下电池堆与隔热体长时间发生接触时，能够防止绝缘膜的变性或绝缘性下降。高温反应部的隔热结构具备包围反应部的隔热体(124a、124b)。来自金属元素的金属离子从隔热体向绝缘膜的移动被金属离子移动抑制机构(150)抑制。金属离子移动抑制机构(150)是连接线(152)、温度控制部(160)、冷却介质供给部(170)、绝缘构件(180)等。
高温反应隔热结构

[发明专利]一种抑制肾移植后排斥反应的药物组合物-CN202011550753.1在审
发明人：郁晨燕;张峰;朱丽;黄红红;丁健;李标有 -专利权人：卓和药业集团有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： A61K31/365 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制肾移植后排斥反应的药物组合物，其包括：含麦考酚钠的缓释包衣部20‑50％，含阿魏酸钠的速释包衣部30‑70％，药学上可接受的辅料0.5‑10％。本发明提供的抑制肾移植后排斥反应的药物组合物，通过降低麦考酚钠的使用量来降低不良反应的发生概率。
一种抑制移植排斥反应药物组合

[发明专利]一种水合物抑制剂评价系统及方法-CN202111396717.9有效
发明人：王金堂;廖波;吕开河;孙金声;王韧;黄贤斌;金家锋;白英睿;刘敬平;黎剑 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： B01J19/18 文献下载
摘要：本发明涉及水合物抑制剂评价技术领域，具体涉及一种水合物抑制剂评价系统及方法。该水合物抑制剂评价系统包括：反应釜、温度控制装置、搅拌注气装置。其中，反应釜包括釜体和釜盖，反应釜用于容纳水和反应气体作为反应容器；温度控制装置用于控制反应釜内的温度；搅拌注气装置包括：搅拌机构，其包括搅拌桨和主轴，搅拌桨包括多个搅拌部，搅拌部内设有第一通道，并设有注入孔，主轴内设有第二通道，与搅拌桨连接，伸出反应釜，可上下移动；还包括注气机构，其与主轴内的第二通道连通；还包括注剂机构，其与主轴内的第二通道可拆卸连通。能够解决现有技术中的抑制剂评价系统及方法不能对储存中的水合物使用的抑制剂进行有效评价的问题。
一种水合物抑制剂评价系统方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质-CN202210055071.6在审
发明人：桥本良知;原田胜吉 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理方法、基板处理装置和记录介质，能够在设置于基板表面的凹部内以高成膜速率形成高质量的膜。通过将包含以下的(a)、(b)和(c)的循环进行预定次数从而在凹部内形成膜，(a)对于在表面设置了上述凹部的基板供给抑制原料吸附的吸附抑制剂，使上述吸附抑制剂吸附于上述凹部内的上部的吸附位点，形成吸附抑制层的工序；(b)对于上述基板供给上述原料，使上述原料吸附于存在于形成了上述吸附抑制层的上述凹部内的吸附位点，形成第一层的工序；(c)对于上述基板，供给与上述吸附抑制层和上述第一层这二者进行化学反应的第一反应体，将上述吸附抑制层和上述第一层改性为第二层的工序。
半导体装置制造方法处理记录介质

[发明专利]真空泵-CN201810510671.0有效
发明人：森山伸彦 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： F04D19/04 文献下载
摘要：提供一种真空泵，其可减少用以抑制反应产物的堆积的构成所花费的成本。且供给有来自马达的再生电力；制动电阻，在自马达供给有再生电力的再生控制时，流通基于再生电力的电流而发热，在并未供给再生电力而供给有来自电源电路的电力的额定控制时，基于来自电源电路的电力流通电流而发热，从而对需要抑制反应产物的堆积的排气部进行加热；以及控制部，在再生控制及额定控制中，以将排气部的温度保持为抑制反应产物的堆积的堆积抑制温度的方式控制对制动电阻的电流的供给。
真空泵

[发明专利]化学反应装置以及动力供给系统-CN03800319.8无效
发明人：山本忠夫;中村修;竹山启之;寺崎努 -专利权人：卡西欧计算机株式会社
申请日： 2003-03-19 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种化学反应装置，所述化学反应装置包括一个具有一外表面的实体，在其中至少形成有一个允许一化学介质流动的流动通道。所述实体具有一个加热元件，所述加热元件加热在所述流动通道中流动的化学介质，从而加速化学介质的化学反应，以及一个热辐射抑制薄膜，所述热辐射抑制薄膜覆盖所述实体外表面的至少一部分，并且抑制所述加热元件产生的热量从所述外表面的一部分辐射出去
化学反应装置以及动力供给系统

[发明专利]用于自加热罐的插入式热模块-CN200680028433.1无效
发明人：肯尼斯·W·科尔布 -专利权人：伊达维德特鲁斯蒂斯（NZ）有限公司
申请日： 2006-07-28 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： A47J36/28 文献下载
摘要：在热空腔的第一部分中放置液体反应剂，并且在热空腔的第二部分中放置固体反应剂。所述固体反应剂是与重量百分比为约1-20％的蜡基抑制剂组合的重量百分比为约80-99％的CaO。所述蜡基抑制剂的熔点为100℃以上至约120℃。
用于加热插入模块

[发明专利]衬底处理装置以及半导体器件的制造方法-CN201580008398.6有效
发明人：高木康祐;森田慎也;赤江尚德;山崎惠信 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-02-16 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能够抑制副生成物的附着且能够抑制产生微粒的技术。具有：反应管，其处理衬底；炉口部，其设置在反应管的下端，在炉口部的上表面的内周面侧，遍及一周地形成有凹陷部和鼓出部，该鼓出部形成有将凹陷部与内周面连通的至少一个缺口；罩，其从炉口部的内周面隔开规定间隔地设置，并覆盖炉口部的至少所述内周面；和至少一个气体供给部，其向炉口部的凹陷部供给气体。
衬底处理装置半导体器件制造方法以及炉口部罩

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