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[实用新型]改进的压力蒸汽形成装置-CN200820101665.1无效
发明人：游图明 -专利权人：游图明
申请日： 2008-03-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： F22B27/04 文献下载
摘要：改进的压力蒸汽形成装置，包括加热体、水泵、水箱及埋设于该加热体内的蒸汽形成管和电加热管，该蒸汽形成管具有一入口和一出口，水泵连接于水箱和蒸汽形成管的入口之间，该蒸汽形成管的出口连接有过滤装置，该过滤装置的出口连接有一管径缩小部，该管径缩小部的内径小于蒸汽形成管的内径。在蒸汽形成装置的出口处采用管径缩小的结构，从而使蒸汽形成装置产生的蒸汽的压力与以往产品相比增大数倍；并且，在蒸汽通道中的管径较大部位设置过滤装置，且该过滤网的面积大大超过蒸汽通道的截面积，可持久地过滤水蒸汽中混有的杂质
改进压力蒸汽形成装置

[发明专利]压力解除装置及图像形成装置-CN200510084221.2有效
发明人：池田涉 -专利权人：株式会社东芝;东芝泰格有限公司
申请日： 2005-07-15 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G03G15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种压力解除件(70)，其使压力辊推压件(60)沿压力解除的方向旋转，该压力辊推压件沿朝向热辊(31)的方向压压力辊(33)，并且该压力解除件设置成与排纸单元盖(52)一起旋转。当压力解除件(70)旋转时，使该压力辊(33)解除来自压力辊推压件(60)的压力。
压力解除装置图像形成

[发明专利]压力性溃疡形成的风险建模-CN201180007313.4无效
发明人： I·梅恩;R·米勒;T·卢梭;M·奥斯戴尔 -专利权人： X感应器技术公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：一种用于建模压力暴露和/或压力性溃疡形成风险的方法，包括：使用压力传感器导出压力暴露或风险值并以图形方式向用户显示所述压力暴露或风险值的步骤。计算机实现的系统包括压力感测接口垫和用于执行所述方法的各步骤的部件。
压力性溃疡形成风险建模

[发明专利]压力装置，图像形成设备以及控制压力装置的方法-CN201680006344.0有效
发明人：及川研;高桥实 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G03G15/16 文献下载
摘要：压力装置施加压力到片材介质上，在该片材介质的表面的一部分上形成有图像载体。压力装置包括：驱动单元，其改变第一按压单元和第二按压单元之间的距离；控制单元，其控制所述驱动单元，使得所述第一按压单元和所述第二按压单元之间的距离变为设定的目标值；以及目标设定单元，当所述第一按压单元和所述第二按压单元之间不存在所述片材介质时，将所述目标值设定为大于所述片材介质的厚度的第一距离，以及当在第一按压单元和第二按压单元之间存在片材介质和图像载体时，将所述目标值设定为第二距离，用于施加目标压力到所述片材介质。
压力装置图像形成设备以及控制方法

[发明专利]压力传感器形成方法-CN201410545227.4有效
发明人：郭亮良;郑超;刘国安;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-15 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种压力传感器形成方法，包括：提供第一半导体衬底；形成覆盖所述第一半导体衬底表面的绝缘层和覆盖所述绝缘层表面的衬底层；形成覆盖所述衬底层表面的器件层，所述器件层内形成有压阻结构；形成覆盖所述器件层的介质层；形成覆盖所述介质层表面的保护层，所述保护层内形成有连接区；形成贯穿所述保护层和介质层的第一沟槽，所述第一沟槽暴露出压阻结构部分表面；提供具有连接表面的第二半导体衬底，所述连接表面形成有第二沟槽；键合连接所述连接区和连接表面，形成空腔；去除第一半导体衬底，暴露出绝缘层。所述方法能够降低压力传感器的生产成本。
压力传感器形成方法

[发明专利]压力缓冲装置和流路形成构件-CN201710058372.3有效
发明人：瀬能直树 -专利权人：株式会社昭和
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： F16F9/32 文献下载
摘要：一种液压缓冲装置(1)包括：第一气缸(11)，其存储油；活塞体(30)，其形成压缩侧油路(311)，油根据活塞杆(21)在第一气缸(11)的轴向方向上的相对移动而流经该压缩侧油路(311)；以及压缩侧阻尼阀这里，活塞体(30)包括：第一外圆形部(33)，其环状地形成为在轴向方向上突起，压缩侧阻尼阀(41)与其接触；以及环形突起部(38)，其在轴向方向上朝与第一外圆形部(31)相对的一侧突起，其在轴向方向上的一端位于第一外圆形部(33)的径向外侧，且其包括形成在环形突起部(38)的径向内部的至少一部分处的朝轴向方向倾斜的第一内倾斜部(38T1)。
压力缓冲装置形成构件

[发明专利]压力容器组件及其形成方法-CN201480082570.8有效
发明人： T.J.加罗申;E.Y.孙;P.F.克罗特奥;A.E.库塞克;T.I.埃尔-瓦丹尼;W.赵;J.R.豪克斯;J.A.莎伦;J.P.韦森;D.V.韦恩斯 -专利权人：联合工艺公司
申请日： 2014-10-07 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： F17C1/14 文献下载
摘要：一种压力容器组件包括多个突出部，每个突出部具有至少一个垂直布置的内壁，所述突出部以并排布置的方式定位，以使得第一突出部的第一内壁被定位成与第二突出部的第二内壁相邻，所述第一内壁具有第一壁顶侧和第一壁底侧
压力容器组件及其形成方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201310542786.5在审
发明人：刘国安;徐伟;刘煊杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器包括：基底，在基底中形成有晶体管；位于基底上的层间介质层，所述层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，所述下极板的上表面暴露，所述下极板与晶体管电连接；位于所述层间介质层上的压力感应膜，所述压力感应膜覆盖层间介质层且与晶体管电连接，所述下极板与压力感应膜之间具有空腔；位于压力感应膜上的多个相互隔开的块状件，所述块状件位于空腔上方，所述压力感应膜上表面露出本技术方案中，多个块状件的重力使压力感应膜本身的应力得到释放，压力传感器的灵敏性增强，性能较佳。
压力传感器及其形成方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201811642151.1在审
发明人：罗应树;刘松润;钟茗 -专利权人：菲比蓝科技(深圳)有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中所述压力传感器包括：基底，所述基底中具有第一导压孔；位于基底上表面上的第一半导体层，第一半导体层中具有第二导压孔，第二导压孔与第一导压孔连通，第一半导体层的部分下表面与基底的部分上表面之间具有隔离缝隙本发明的压力传感器测量信号漂移较小，测量精度提升。
半导体层导压孔受压腔体隔离层压力传感器应变膜基底连通隔离缝隙应变电阻隔离槽上表面压力传感器测量基底上表面精度提升信号漂移下表面半导体测量

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201811642228.5在审
发明人：罗应树;刘松润;钟茗 -专利权人：菲比蓝科技(深圳)有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： G01L1/22 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中所述压力传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上表面和相对的下表面；位于半导体衬底中的受压腔体，所述受压腔体的开口位于半导体衬底的下表面，所述受压腔体底部对应的半导体衬底为应变膜本发明的压力传感器灵敏度提升，并且过载能力强，不易损坏。
衬底压力传感器半导体环形沟槽受压腔体应变电阻应变膜下表面灵敏度提升过载能力上表面开口

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201310277659.7有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：具有器件区的衬底，所述衬底表面具有第一介质层；位于器件区的第一介质层表面的第二介质层，所述第二介质层具有台阶状侧壁；位于第一介质层和第二介质层表面的第一电极层所述压力传感器的灵敏度得到提高。
压力传感器及其形成方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201310277644.0有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中，压力传感器包括：衬底，所述衬底具有器件区，所述衬底表面具有第一介质层，所述第一介质层表面具有第一电极层；位于第一电极层表面的第二介质层，所述器件区的第二介质层具有若干第一开口所述压力传感器的灵敏度得到提高。
压力传感器及其形成方法

[发明专利]压力传感器的形成方法-CN201410425363.X有效
发明人：许忠义 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：一种压力传感器的形成方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成底部电极层；在所述半导体基底上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述底部电极层；形成顶部电极层，所述顶部电极层覆盖所述牺牲层的顶面、侧面以及部分所述半导体基底；对所述顶部电极层进行激光退火处理；在所述激光处理后，在所述顶部电极层中形成贯穿所述顶部电极层厚度的开口，所述开口暴露出所述牺牲层；通过所述开口去除所述牺牲层。所述形成方法能够提高所形成的压力传感器的性能。
压力传感器形成方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201310543025.1有效
发明人：伏广才;汪新学;倪梁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种压力传感器及其形成方法，其中压力传感器的形成方法包括提供基底，在基底上形成有晶体管；形成层间介质层，层间介质层覆盖基底和晶体管，在层间介质层中形成有下极板，下极板的上表面暴露；在层间介质层上形成SiGe层，在SiGe层与下极板之间形成空腔；在SiGe层上形成刻蚀停止层，在刻蚀停止层上形成第一SiN层；刻蚀第一SiN层形成按压部和包围按压部的边缘部，至刻蚀停止层上表面露出，按压部与边缘部相互隔开，按压部对应空腔位置使用本技术方案形成的压力传感器，可靠性提高，性能较佳。
压力传感器及其形成方法

[发明专利]压力传感器及其形成方法-CN201410648299.1有效
发明人：伏广才;陈雷雨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： G01L9/02 文献下载
摘要：一种压力传感器及其的形成方法，其中压力传感器的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一层间介质层、下极板、第一互连层；在下极板上方形成牺牲层；在第一层间介质层、第一互连层和牺牲层上形成上极板；在形成牺牲层之后且在形成上极板之前，在第一互连层中形成连接槽，上极板填充满连接槽；或者，在形成上极板之后，在上极板和第一互连层中形成连接槽，之后在连接槽中形成连接上极板和第一互连层的导电层；去除牺牲层以形成空腔在下极板上方形成牺牲层过程中产生的有机聚合物就不会附着在连接槽侧壁、底部，压力传感器对施加在其上的较小压力也能准确感知并量测，提升了压力传感器的灵敏度，性能较佳。
上极板压力传感器互连层连接槽牺牲层第一层介质层衬底极板半导体有机聚合物导电层灵敏度下极板小压力侧壁附着空腔量测感知去除施加

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