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[发明专利]一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构-CN201110217704.0有效
发明人：张学玲 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2011-07-30 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及光伏电池制造技术领域，特别是一种一膜多用的掩膜后制绒太阳能电池的制备方法及其结构，以P型直拉单晶硅为基体，在P型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒的掩膜，在制绒完成后进行磷源扩散，在正面制备P-N结，SiO2薄膜和SiNx薄膜在磷源扩散后并不会完全去除，保留10-150nmSiO2薄膜作为背面钝化膜；或者以N型直拉单晶硅为基体，在N型背面场上制作SiO2薄膜，SiO2薄膜作为正面碱溶液制绒和硼源扩散的掩膜
多用掩膜后制绒太阳能电池制备方法及其结构

[发明专利]氢氧化镉单晶纳米线的合成方法-CN200310114418.7无效
发明人：唐波;禚林海;葛介超 -专利权人：山东师范大学
申请日： 2003-12-10 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： C01G11/00 文献下载
摘要：本发明提供氢氧化镉单晶纳米线的合成方法，该方法按如下步骤进行：a.先将可溶性镉盐溶解在去离子水中，再缓慢加入碱或者氨水溶液中至pH值为10～14，搅拌下生成白色Cd(OH)₂沉淀；>沉淀离心洗涤至pH值为中性；c.将洗涤后的白色Cd(OH)₂沉淀重新分散在去离子水中，加入适量无机盐；d.放入密闭容器中于200℃～250℃下水热反应10～15小时，得氢氧化镉单晶纳米线所述的可溶性镉盐优选氯化镉和硝酸镉；所述的碱优选氢氧化钾和氢氧化钠。所述的无机盐作为矿化剂可选用氯化钾、氯化钠、硝酸钾、硫酸钾、硝酸钠、硫酸钠中的任一种或者几种的混合物。
氢氧化镉单晶纳米合成方法

[发明专利]纤维状碱式氯化镁Mg₂(OH)₃Cl·4H₂O单晶体的制备方法-CN200810231672.8无效
发明人：任庆利;曾晓东;罗强;何彬 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种纤维状碱式氯化镁Mg₂(OH)₃Cl·4H₂O单晶体的制备方法，用结晶氯化镁、氯化钙和氢氧化钙进行制备，上述化合物的配比按重量百分比为结晶氯化镁用上述组合物配方制备纤维状碱式氯化镁Mg₂(OH)₃Cl·4H₂O单晶体的工艺步骤为：先将氯化镁和氯化钙配成水溶液，向其中加入氢氧化钙粉末停止加热并静置，待悬浊液沉淀完全后放入烘箱熟炼，熟炼温度为：50℃～90℃；熟炼时间为：2天～4天；将沉淀水洗、过滤，获得高纯度结晶形态均一性好，组成稳定，径：0.2微米～3微米，长：10～100微米的纤维状碱式氯化镁
纤维状氯化镁 mg sub oh cl 单晶体制备方法

[发明专利]获得整体单晶性含镓氮化物的方法及装置-CN02802023.5有效
发明人：罗伯特·托马什·德威林斯基;罗曼·马雷克·多拉辛斯基;莱哲克·彼得·西芝普陶斯基;哲兹·卡兹尼斯基;神原康雄 -专利权人：波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社
申请日： 2002-05-17 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C30B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备含镓氮化物结晶体的氨碱方法，其中是使含镓原料于含碱金属成分存在下，在超临界含氮溶剂中，于至少一个结晶化作用晶种上结晶。此方法可提供具有极高品质的单晶性含镓氮化物结晶体。
获得整体单晶性含镓氮化物方法装置

[实用新型]一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置-CN202320604188.5有效
发明人：姚剑龙;周涛;赵娜;宋亚峰 -专利权人：洛阳鸿泰半导体有限公司
申请日： 2023-03-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于单晶硅片碱腐蚀的装置，包括碱液槽、能够在碱液槽中上下移动的可活动筛网、设置在可活动筛网上的多个化腐盒、抛动架和驱动机构，所述抛动架包括第一连接部、第二连接部，第一连接部的底部与可活动筛网的一侧连接，第一连接部和第二连接部之间的腔室容纳碱液槽的一个侧壁且第二连接部与碱液槽的该侧壁构成沿竖直方向的滑动配合，第二连接部与驱动机构连接。本实用新型通过驱动装置带动可活动筛网在碱液槽中上下移动进一步带动化腐盒在碱液中上下浮动，实现化腐盒的机械抛动，来满足硅片碱腐蚀时与碱液充分接出反应，无需人工上下提拉化腐盒，避免了操作过程中高温碱液溅出烧伤操作人员
一种适用于单晶硅腐蚀装置

[发明专利]单晶槽式碱抛光清洗机-CN202210321489.7在审
发明人：冯海龙;李雅芝;孔维壮 -专利权人：徐州中辉光伏科技有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B08B3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶槽式碱抛光清洗机，涉及太阳能电池生产设备技术领域。
单晶槽式碱抛光清洗

[发明专利]一种高温高压下镍掺杂和高含水钴铬铁矿单晶的制备方法-CN202211644128.2在审
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： C30B29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下镍掺杂和高含水钴铬铁矿单晶的制备方法，所述方法包括：以固态的碱式碳酸钴粉末、固态的乙酸铬(III)氢氧化物结晶粉末、固态的硬脂酸镍、固态的草酸粉末、固态的氢氧化铬粉末、固态的氢氧化镍粉末和液态的稀硝酸作为起始原料制备出圆柱体钴铬铁矿样品；以重量比4:1的氢氧化铬粉末和氢氧化镍粉末制备水源片；将两片水源片分别放置在圆柱体钴铬铁矿样品两端后一起放入双囊结构样品仓；然后进行高温高压反应后得到钴铬铁矿单晶；解决了目前的高温高压条件下镍掺杂的和高含水的钴铬铁矿大颗粒单晶的制备技术空白，获得大颗粒的镍掺杂的和高含水的钴铬铁矿单晶的实验样品。
一种高温压下掺杂含水铬铁矿制备方法

[发明专利]一种高温高压下钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶的制备方法-CN202211624594.4在审
发明人：代立东;胡海英 -专利权人：中国科学院地球化学研究所
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B29/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温高压下钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶的制备方法，所述方法包括：以固态的碱式碳酸镁粉末、固态的碱性乙酸铬结晶粉末、液态的四异丙基钛酸酯、固态的草酸粉末、固态的水镁石粉末、固态的氢氧化铬粉末和液态的稀硝酸作为起始原料制备出圆柱体镁铬铁矿样品；采用重量比4:1的水镁石粉末和氢氧化铬粉末作为水源制备出水源片；将两片水源片放置在圆柱体镁铬铁矿样品两端并一起放入双囊结构样品仓进行高温高压反应得到钛掺杂和高含水镁铬铁矿单晶；解决了目前的高温高压条件下钛掺杂的和高含水的镁铬铁矿大颗粒单晶的制备技术空白，获取大颗粒的钛掺杂的和高含水的镁铬铁矿单晶的实验样品。
一种高温压下掺杂含水铬铁矿制备方法

[发明专利]一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法-CN201410572702.7有效
发明人：赵锋;陈健生;徐君 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2015-08-04 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备太阳能单晶背抛光电池片的方法。本发明通过改进扩散工艺，在单晶硅片表面生成一定厚度和密度的PSG；在湿法刻蚀槽中用HF和HNO₃溶液去除其背面PSG和PN结；在超声清洗鼓泡槽中用具有一定温度的加有无水乙醇的氢氧化钠溶液进行背抛光；然后对背抛光后的单晶硅片进行HF酸洗、水洗和干燥；最后运用PECVD在单晶硅片正面沉积氮化硅，并进行电极印刷与烧结。：通过改进扩散工艺，增加扩散硅片PSG厚度和致密度，提高硅片方阻均匀性，去除硅片死层，提高硅片少子寿命；不需要额外增加设备或对现有湿法刻蚀槽进行改造，简单易行，抛光液不采用有机溶液或添加有表面活性剂的碱溶液
一种制备太阳能单晶背抛光电池方法

[发明专利]一种双功能界面锂离子电池富镍单晶正极材料及制备方法-CN202110387936.4有效
发明人：郭玉国;杜亚豪;石吉磊;盛航;曹菲菲 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种双功能界面锂离子电池富镍单晶正极材料及制备方法，所述方法是在富镍单晶正极材料中加入一定量的铝源和磷酸盐，在消耗掉表面残碱(Li2CO3/LiOH)的同时形成AlPO4和Li3PO4的双功能包覆层本发明所述方法，得到一个双功能界面修饰层，利用二者的协同作用，富镍单晶正极材料的电化学性能得到了提升，且操作简便，原料廉价易得，适合富镍单晶正极材料大规模商业化。
一种功能界面锂离子电池富镍单晶正极材料制备方法

[发明专利]无模板低温制备纯金红石相二氧化钛单晶纳米棒的方法-CN200910071714.0无效
发明人：王靖宇;韩喜江;胡宜栋;苏丹;刘磊;杜耘辰 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-03 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：无模板低温制备纯金红石相二氧化钛单晶纳米棒的方法，它涉及制备金红石相二氧化钛单晶纳米棒的方法。它解决了现有制备金红石相二氧化钛纳米棒的方法存在需要高温热处理、外加模板剂或晶体生长抑制剂的问题。方法：一、将钛的前驱体加入醇中配制成溶液；二、溶液滴加到蒸馏水中，加入碱溶液后搅拌；三、搅拌后离心得沉淀，洗涤；四、将洗涤后的沉淀溶于酸溶液中后搅拌，得浆状液；五、浆状液离心后溶于蒸馏水中，即得纯金红石相二氧化钛单晶纳米棒本发明制备纯金红石相二氧化钛单晶纳米棒的方法在常压和低温下进行，不需添加任何模板剂或晶体生长抑制剂，产品结晶度高，分散性好，具有较大的比表面积和表面羟基化程度，且光催化性质稳定。
模板低温制备金红石氧化钛单晶纳米方法

[发明专利]含能荧光材料稀土-谷氨酸-咪唑单晶配合物及其制备方法-CN201510684993.3在审
发明人：吕雪川;高肖汉;曹慧;潘璐;王凯;罗冠华 -专利权人：辽宁石油化工大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： C07F5/00 文献下载
摘要：一种含能荧光材料稀土-谷氨酸-咪唑单晶配合物及其制备方法，配合物是由稀土金属，谷氨酸，咪唑和高氯酸组成，分子式为Ln(Gly)₄Im·(ClO₄)_{4其制备过程如下：将稀土氧化物与高氯酸反应配制成高氯酸稀土的溶液，加入谷氨酸进行反应，用碱溶液调剂pH值后再发生，再加入咪唑反应后，放置一段时间后得到晶体。本发明工艺简便，配体选择科学，合成的稀土氨基酸单晶配合物结构明确、新颖，其单晶结构也同时为晶体数据库提供了新的基础科学依据。该配合物在分解过程能够释放出大量的能量，是一种潜在的含能材料。}
荧光材料稀土谷氨酸咪唑配合及其制备方法

[发明专利]基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法-CN201711414427.6在审
发明人：张明亮;季安;王晓东;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种基于浓硼掺杂硅的可动微纳结构的制备方法，包括如下步骤：步骤1：在单晶硅衬底的上、下两面做掺杂，形成高浓度硼掺杂层、氧化硅层和硼硅相层；步骤2：用氢氟酸清洗，碱溶液清洗，RCA清洗；步骤3：采用低压化学气相沉积的方法双面生长富氮氮化硅层；步骤4：在富氮氮化硅层的一面光刻、刻蚀，制作出微纳结构凹槽；步骤5：在碱性溶液中溶解掉单晶硅衬底的部分本体硅，形成可动微纳结构；步骤6：在氢氟酸中除去富氮氮化硅层，RCA清洗，获得浓硼掺杂硅的可动微纳结构本发明的制备方法，可以准确、低成本制作出所设计的单晶硅微纳可动结构，有望在MEMS传感器制备加工中得到广泛应用。
微纳结构可动制备单晶硅氮化硅层掺杂硅富氮浓硼衬底低压化学气相沉积氢氟酸清洗碱性溶液可动结构硼掺杂层双面生长氧化硅层低成本碱溶液氢氟酸光刻刻蚀硼硅相层掺杂清洗溶解加工应用

[发明专利]一种用于异丁烯和苯液相烷基化的中空单晶Beta分子筛催化剂的制备方法-CN201910144152.1在审
发明人：徐龙伢;赵东璞;刘盛林;冯超;辛文杰;楚卫锋;朱向学;崔倩;王新怡 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2019-02-27 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： B01J29/70 文献下载
摘要：本发明提供一种用于异丁烯和苯液相烷基化的中空单晶Beta分子筛催化剂的制备方法。该方法由硅源、铝源、无机碱、微孔模板剂(TEA⁺水溶液)、有机添加剂内酰胺(R)充分混合所形成的凝胶经一步水热晶化一定时间直接制得中空单晶Beta分子筛，然后经过常规铵交换和焙烧得到氢型中空单晶
中空吡咯烷酮单晶苯液相烷基化异丁烯制备有机添加剂内酰胺焙烧微孔模板剂充分混合反应性能水热晶化传统的混合物无机碱异丙基铵交换硅源铝源凝胶氢型乙基

[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺-CN202011011919.2在审
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层本发明通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构及其制备工艺