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[实用新型]单晶炉双加热系统-CN201420055640.8有效
发明人：李长营;陆荣;张留军 -专利权人：包头市山晟新能源有限责任公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B15/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉双加热系统，所述单晶炉双加热系统包括沿所述单晶炉炉壁设置的环形的主加热器，所述单晶炉双加热系统还包括设置在所述单晶炉炉底的底部加热器。本实用新型可进一步降低单晶炉中单晶棒头部的含氧量。
单晶炉双加热系统

[发明专利]双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法-CN201110297917.9无效
发明人：杨永录;葛亮;赖章田;贺贤汉 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明双上炉体连续加料硅单晶炉，包括：主机架；下炉体，所述下炉体设置在所述主机架上；所述双上炉体连续加料硅单晶炉还包括双上炉体组件，所述双上炉体组件包括两个分立设置的左上炉体及右上炉体。本发明双上炉体连续加料硅单晶炉可以实现在不更换石英坩埚及不开炉的情况下进行二次连续加料及硅单晶棒的拉制，从而从节能、节约坩埚、及节约时间上降低硅单晶棒的生产成本。
双上炉体连续加料硅单晶炉及其使用方法

[实用新型]一种新型双副室单晶炉-CN202020037070.5有效
发明人：卢阳华;马向东 -专利权人：深圳晶鑫智造科技有限公司
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种新型双副室单晶炉，包括一机架、设置在机架上的一主炉室、一第一驱动机构与一第二驱动机构、以及与第一驱动机构、第二驱动机构输出端对应连接的第一副炉室与第二副炉室。本实用新型的是设计一种全新的双副室单晶炉，一个上部配置高精度提拉头的副室用于拉硅单晶棒，另一个上部配置低成本提升机的副室用于二次加料；从而节约停炉等待时间，大幅提高单炉的产出量和单晶炉主炉室的使用效率，减少电能和Ar气消耗，降低单晶硅生产成本。
一种新型双副室单晶炉

[发明专利]一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼-CN201010176628.9无效
发明人：赵波;徐芳华;王琤 -专利权人：绍兴县精功机电研究所有限公司;晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，属于晶体硅铸锭炉技术领域。它解决了现有的多晶硅铸锭炉在制备时存在硅液内部温度梯度过小，造成籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间很短，难以控制最终结果的问题。本次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，在隔热笼内壁设有将隔热笼分隔成上腔室和下腔室的环形挡块，环形挡块的中间连通上下两个腔室。本发明能够延长了籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间，并且降低工艺难度，使得次单晶硅铸锭炉能够生产出品质接近单晶的次单晶硅。
一种单晶硅铸锭双腔体隔热

[实用新型]一种双提拉腔单晶炉结构-CN201220728065.4有效
发明人：李留臣;冯金生;程绪高;蒋国庆;陈小兔;李伯军;胡章宏 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2012-12-26 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双提拉腔单晶炉结构，包括在基座内设置有坩埚驱动机构，在基座上方设置有单晶炉室，单晶炉室内壁设置有加热系统，加热系统轴心设置有坩埚，坩埚向下与坩埚驱动机构连接，坩埚中用于生长单晶棒，在基座上的单晶炉室旁边设置有立柱本实用新型装置，两个提拉腔与单晶炉主体进行交替配合使用，一个提拉腔进行单晶生长使用时，另一个提拉腔作为加料使用；提高了单晶炉的生产效率，降低了能源消耗。
一种双提拉腔单晶炉结构

[实用新型]一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼-CN201020195636.3有效
发明人：赵波;徐芳华;王琤 -专利权人：绍兴县精功机电研究所有限公司;晶海洋半导体材料（东海）有限公司
申请日： 2010-05-19 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，属于晶体硅铸锭炉技术领域。它解决了现有的多晶硅铸锭炉在制备时存在硅液内部温度梯度过小，造成籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间很短，难以控制最终结果的问题。本次单晶硅铸锭炉的双腔体隔热笼，在隔热笼内壁设有将隔热笼分隔成上腔室和下腔室的环形挡块，环形挡块的中间连通上下两个腔室。本实用新型能够延长了籽晶在尚未熔化和完全熔化之间的时间，并且降低工艺难度，使得次单晶硅铸锭炉能够生产出品质接近单晶的次单晶硅。
一种单晶硅铸锭双腔体隔热

[发明专利]一种制备CsPbBr3-CN202110890842.9有效
发明人：刘勇;董顺洪 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开一种制备CsPbBr3单晶的方法，属于新型纳米材料技术领域。一种制备CsPbBr3单晶的方法，包括以下步骤：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀得到混合物；S2、将混合物放入双温区管式炉的上游区，将SiO2/Si基片放入双温区管式炉的下游区，并向双温区管式炉中通入惰性气体；所述混合物在双温区管式炉中反应得到所述CsPbBr3单晶；其中，所述上游区的温度为580～670℃，所述下游区的温度为300～380℃。该方法制得的CsPbBr3单晶的分散度高，而且形状完整，晶格缺陷密度小。
一种制备 cspbbr base sub

[发明专利]一种大尺寸CrI3-CN202110519037.5有效
发明人：潘双;徐桂舟;徐锋 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸CrI3单晶的制备方法，采用化学气相输运法，将铬粉和无水碘珠按照一定摩尔比密封入真空石英管中；并置于双温区管式炉中保温3天，冷却至室温，制得大尺寸CrI3单晶。本发明通过改变双温区管式炉的温度梯度提出大尺寸CrI3单晶的制备方法，解决了单晶制备周期长、尺寸小的问题。
一种尺寸 cri base sub

[发明专利]一种超细单晶Si纳米线及其制备方法-CN201310223540.1有效
发明人：张析;李瑞;向钢 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： C30B29/62 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种超细单晶Si纳米线及其制备方法。所述超细单晶Si纳米线的直径为1.5~2.5nm，且不含催化剂。所述方法的工艺步骤为：（1）生长基底及载物盘的清洗；（2）超细单晶Si纳米线的生长：①将SiO粉末平铺在第一载物盘上并放入双温区管式炉的高温区中心部位，将所述长基底放在第二载物盘上并放入所述双温区管式炉的低温区中心部位；②在通载流气体条件下将双温区管式炉的低温区升温至950~960℃，高温区升温至1300~1350℃，并使炉内压强保持在0.02~0.04MPa，然后在上述温度和压强保温4~6h，保温时间届满后，所述生长基底上即生长出超细单晶
一种超细单晶 si 纳米及其制备方法

[实用新型]一种高效率的单晶炉-CN201521116870.1有效
发明人：张忠安 -专利权人：江西豪安能源科技有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效率的单晶炉，包括单晶炉主体，单晶炉主体内设有坩埚，坩埚设置在坩埚底座上，坩埚底座下端设有转轴，转轴连接坩埚上升旋转机构，坩埚设置在加热装置内，单晶炉主体上端设有上炉腔，上炉腔中设有提拉杆，提拉杆与上炉腔顶部的上升旋转机构连接，单晶炉主体上端一侧设有视觉传感器，本实用新型结构新颖，通过设置的视觉传感器能够准确的把握单晶硅的生长状态，实现实时监测，提高了产品质量，也进一步提高了生产效率，通过双抽气泵接口的设置
一种高效率单晶炉

[发明专利]一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉-CN202110701633.5在审
发明人：李小锋;逯占文;曹玉宝;李万朋 -专利权人：连城凯克斯科技有限公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有双提拉副室的单晶硅生长炉，包括支架上端设置的单晶炉主体，单晶炉主体旁侧设置有立柱，立柱上部侧面设置有第一旋转升降装置和第二旋转升降装置，第一旋转升降装置连接有长晶副室，第二旋转升降装置连接有加料副室本发明提供的具有双提拉副室的单晶硅生长炉，采用生长晶体时同步冷却及生长晶体收尾后预加热两种手段，缩短晶体冷却等待时间，采用双提拉副室分别完成生长和加料工作，加料准备不会额外增加时间，与传统方法相比，具有加料整体用时短
一种具有双提拉副室单晶硅生长

[发明专利]具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法-CN201110186275.5有效
发明人：朱亮;王魏;孙明;曹建伟;邱敏秀 -专利权人：浙江晶盛机电股份有限公司
申请日： 2011-07-04 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明涉及直拉硅单晶炉设备，旨在提供一种具备双副炉室结构的单晶炉及单晶硅生产方法。该单晶炉有一个主炉室，主炉室上部装配有一个副炉室；该单晶炉还额外配置一个副炉室，两个副炉室均具备炉筒、晶体提升机构、水平调整机构、副炉室旋转机构和控制副炉室升降的液压缸，副炉室旋转机构均通过连接件活动安装于支撑柱上；各副炉室的下端设置一个副炉室闸阀，副炉室闸阀内设置活动的阀板；所述主炉室的上端设有一个隔离阀座，隔离阀座内部设置活动的主炉室隔离阀板，隔离阀座上侧与两个副炉室闸阀相互匹配。通过两个炉筒的交替使用，可在晶棒冷却的同时进行下一根晶棒的拉制，缩短了生产周期，大幅度提高生产效率，有效降低成本。
具备双副炉室结构单晶炉单晶硅生产方法

[实用新型]一种单晶炉四抽气口管道系统-CN201820232977.X有效
发明人：张会现;洪东旭;楼刚刚;卲化水 -专利权人：杞县东磁新能源有限公司
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单晶炉四抽气口管道系统，包括单晶炉室、主管道、真空阀和真空泵；双抽气口的结构使单晶炉室室内的气流分布和温度场分布不均匀，在远离抽气口严重影响硅棒品质；右下第二抽气支管道和右下第一抽气支管道、右上第二抽气支管道和右上第一抽气支管道与左上第一抽气支管道和左上第二抽气支管道之间连接处均设置有密封圈，且单晶炉室的左右两端的上下两侧均设有抽气管道，采用这种对称结构均匀分布的抽气口设置，同时采用真空泵，真空阀用于真空泵的控制，可以有效的解决传统双抽气口结构使单晶炉室的气流分布和温度场分布不均匀的现象，改善了工艺环境，使用起来操作方便快捷，实用性很高，大大了提高硅棒生产的质量。
支管道抽气抽气口单晶炉室真空泵温度场分布管道系统气流分布不均匀单晶炉真空阀硅棒密封圈本实用新型抽气口结构抽气管道对称结构工艺环境上下两侧主管道室内生产

[发明专利]直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置-CN91107486.4无效
发明人：莫培根;谈惠祖;杜立新;范向群;吴巨 -专利权人：中国科学院上海冶金研究所
申请日： 1991-09-03 - 公布日： 2001-01-03 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本发明是双坩埚法直拉ＧａＳｂ单晶的改进，属于从熔体中直拉单晶的双坩埚法，其特征在于在外坩埚上沿有Ｌ形或反Ｌ形槽，内坩埚上装有挂钩，单晶炉机械手上有压板和拨棒，在下降籽晶拉晶前，使内坩埚的挂钩置于外坩埚槽的横槽内，从而使内外坩埚同步旋转，改进了双坩埚法生长单晶的热场分布。本发明的坩埚加工方便易行，生长方法简单、实用、效率高、成本低，能生长大直径、低位错、满足器件需要的单晶ＧａＳｂ衬底材料。
直拉法生长锑化镓单晶方法装置

[实用新型]一种双观察孔单晶炉炉盖结构-CN201220672228.1有效
发明人：李留臣;冯金生;蒋国庆;程绪高;李伯军 -专利权人：江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双观察孔单晶炉炉盖结构，在炉盖上设置有两个圆形观察孔；所述的两个圆形观察孔之间的最小距离小于单晶棒的最小直径；两个圆形观察孔之间的最小距离加上两个圆形观察孔的直径之和大于单晶棒的最大直径本实用新型的有益效果是，在炉盖上设置有两个圆形观察孔，由两个圆形观察孔代替原来的大尺寸田径跑道式的椭圆形观察孔；结构简单，加工制造容易、安装方便、可靠性高的特点，提高了单晶炉的稳定可靠性。
一种观察孔单晶炉炉盖结构

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