专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种单晶拉制装置-CN202222092534.4有效
  • 邓浩;文永飞;马少林;周锐;李侨;丁彪 - 隆基绿能科技股份有限公司
  • 2022-08-09 - 2023-04-07 - C30B15/00
  • 本申请实施例提供了一种单晶拉制装置。单晶拉制装置包括:炉体;坩埚,坩埚设置于所述炉体内,用于容纳硅料;加热器,加热器设置于炉体内,用于将坩埚内的硅料加热成硅液,以从硅液中生长单晶;以及传热组件,传热组件设置于所述单晶拉制装置内,传热组件在单晶通过时至少部分与单晶接触,以传导单晶的热量。本申请实施例中,传热组件可以至少部分与单晶接触,以将单晶的热量通过接触式传导的方式快速传导至传热组件,以提高单晶的纵向温度梯度,提高单晶的晶体生长速度,从而,增大单晶的拉制效率并降低单晶的生产成本
  • 一种单晶硅拉制装置
  • [发明专利]一种从单晶炉中取出单晶的方法-CN201110134324.0无效
  • 牛小群 - 浙江星宇能源科技有限公司
  • 2011-05-20 - 2011-10-05 - C30B15/00
  • 本发明涉及一种从单晶炉中取出单晶的方法,该方法是通过提拉头将拉好的单晶升至副炉室、观察室及炉盖以上后,再将提拉头及单晶随副炉室、观察室、炉盖一起向侧边移至炉室外,并对准在侧边的炉室的地下开有的槽孔,然后降下单晶,把单晶放入槽孔至炉盖以下部位,即可取出单晶。采用本发明,可以通过增加直拉单晶的有效行程,将每炉的硅料加满,并一次性制成单晶,达到提高生产效率,降低生产成本的目的。
  • 一种单晶炉中取出单晶棒方法
  • [实用新型]用于加工单晶参考标记的加工装置-CN201220584829.7有效
  • 朱德富 - 上海合晶硅材料有限公司
  • 2012-11-07 - 2013-06-05 - B24B19/00
  • 本实用新型公开了一种用于加工单晶参考标记的加工装置,包括滚磨机,滚磨机设置有磨头,其特征在于,所述滚磨机还包括可同步旋转的涡轮和蜗杆;所述涡轮安装于所述蜗杆上;蜗杆贯穿涡轮;滚磨机还包括与蜗杆相配合夹持单晶的尾架本实用新型中的用于加工单晶参考标记的加工装置,参考标记的加工与测量可在同一套装置上进行,无需多次拆卸、安装单晶,避免了多次拆卸安装时造成的误差。采用编码器,可以精确测量单晶的旋转角度,进而可以精确测量参考标记的晶向偏移度。本实用新型中的加工装置,编码器采用每旋转一圈输出10000个脉冲,每个脉冲表示旋转2.16′。因此,检测单晶的旋转角度时可精确至2.16′。
  • 用于加工单晶棒主参考标记装置
  • [发明专利]单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法-CN201580044303.6有效
  • 星亮二;镰田洋之 - 信越半导体株式会社
  • 2015-06-19 - 2019-03-22 - C30B29/06
  • 本发明为用于通过切克劳斯基法生长单晶硅的单晶生长装置,其特征在于,该单晶生长装置具备:腔室,其配置容纳原料熔液的石英坩埚和对该石英坩埚进行加热和保温的加热器;以及提拉腔室,其与该腔室的上部连接,提拉并收纳生长的单晶硅,所述腔室具备硅细插入器,所述硅细插入器能够将含有掺杂剂的多个硅细分别独立地插入所述原料熔液而使其熔融。由此,提供能够生长高电阻率的单晶硅的单晶生长装置及使用了该装置的单晶生长方法。
  • 生长装置使用方法
  • [实用新型]基于切割头移动、静止的双单晶开方机-CN201921398560.1有效
  • 张天泽;郑家坤 - 大连昊霖智能装备有限公司
  • 2019-08-27 - 2020-10-20 - B28D5/04
  • 本实用新型公开了一种基于切割头移动、静止的双单晶开方机,包括切割头和夹持装置;切割头正面固定有两根上下水平排列的长切割辊以及三根左右竖向排列的短切割辊;长切割辊与短切割辊均分别通过一个伺服电机驱动转动;每个长切割辊上设置四个导轮,每个短切割辊上设置有两个导轮;金刚线从固定板背面穿出设于导轮后穿回背面,经过多次相同的操作最终在切割头正面形成两个井字形的切割线网,切割头在两个切割线网处别设置单晶通过口;夹持装置有两组分别用于夹持两根单晶;切割头与夹持装置存在相对运动。使用本实用新型开方机够对单晶进行双高效率加工。
  • 基于切割移动静止双棒式单晶硅开方
  • [发明专利]新型单晶-CN202011384456.4有效
  • 欧子杨;白枭龙;张昕宇 - 晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
  • 2020-11-30 - 2022-11-04 - C30B15/00
  • 本申请提供了一种新型单晶炉,其包括炉室和副炉室,副炉室与炉室连通,其中,该新型单晶炉还包括料室,料室上设置有加料口,料室通过加料口与炉室连通。料室中设置有加料机构,加料机构可伸缩地穿设在加料口中,用于穿过加料口并向炉室内的坩埚中加料。本申请提供的新型单晶炉,通过设置料室,实现了在旋出单晶的过程中进行加料操作,有效缩短了旋出单晶和加料操作共同消耗的时间,提升了生产效率。
  • 新型单晶炉
  • [发明专利]一种单晶炉二次加料方法-CN201210574829.3无效
  • 李留臣;冯金生 - 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司
  • 2012-12-26 - 2013-04-03 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种单晶炉二次加料方法,当完成第一根硅单晶生长后,在炉室中的坩埚内剩余一部分多晶硅熔液,将第一根硅单晶提拉至副炉室中后,关闭隔离阀,通过提升机构将副炉室提升后旋转开,取出第一根硅单晶,而后通过机械抓手将状多晶硅原料吊挂在钢丝软轴上,再将副炉室旋转安放至炉室顶部,打开隔离阀,通过籽晶升降机构下放钢丝软轴,钢丝软轴下端的机械抓手将状多晶硅原料缓慢地送入坩埚中,启动加热系统使状多晶硅原料熔化,顺利地将多晶硅原料加入坩埚中,实现二次加料,以满足第二根硅单晶的生长。
  • 一种单晶炉二次加料方法
  • [实用新型]开方机多线式复合导轮布线机构-CN201220060020.4有效
  • 吴正同;肖新民 - 常州天合光能有限公司
  • 2012-02-23 - 2012-10-17 - B28D7/00
  • 本实用新型涉及硅锭和单晶开方设备技术领域,特别是开方机多线式复合导轮布线机构,包括复合导轮、复合辊、单独导轮、单独辊、切割线和矩形构架,复合导轮和单独导轮安装在矩形构架的顶部,复合辊和单独辊安装在矩形构架的底部,复合导轮和复合辊相配对,连接切割线,形成多组与每个纵排晶对应的纵向的顶层连线和底层小间距的切割连线,单独导轮和单独辊相配对,连接切割线,形成多组与每个横排晶对应的横向的顶层连线和底层大间距的切割连线本实用新型的有益效果是:可对单晶锭开方,去除四个侧面的边皮的同时开方出超薄厚度约20mm即截面积125mm*20mm的单晶。由于是一次开方形成,大大提高了生产效率,效率提高达到300%。
  • 开方机多线式复合导轮布线机构

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