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[发明专利]拉晶方法-CN202310790173.7在审
发明人：万雪健;尚伟泽;白枭龙;欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请实施例涉及晶体生长领域，提供一种拉晶方法，包括：依次由熔接步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤和收尾步骤组成的拉晶过程，在拉晶过程的每一步骤中炉压均小于等于500Pa，且抽气速率均大于等于1000m3/h。本申请实施例提供的拉晶方法至少有利于降低晶体中的氧含量。
方法

[发明专利]单晶硅制备设备及其冷却方法-CN202110625936.3有效
发明人： 欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种单晶硅制备设备及其冷却方法，其中，该设备包括单晶炉和冷却装置，单晶炉内设置有加热装置和第一保温结构，第一保温结构位于加热装置的上方；冷却装置包括顶升机构和出气管，出气管上设有出气孔，出气管可移动地进入或抽离单晶炉；当出气管进入单晶炉时，出气管与第一保温结构相连，出气管通过顶升机构抬升第一保温结构以使第一保温结构与加热装置之间的距离增大，并通过出气孔输出惰性气体以对单晶炉降温。本申请通过设置冷却装置，可以通过出气管带动第一保温结构同步上升，以增大第一保温结构与加热装置之间的距离，使惰性气体能够通过出气管的出气孔吹向至加热装置与第一保温结构之间的区域以及单晶炉的内壁，实现快速降温。
单晶硅制备设备及其冷却方法

[发明专利]一种智能化拉晶工艺方法-CN202210750448.X有效
发明人： 欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能化拉晶工艺方法，包括：收集历史热场引晶成活时的引晶拉速的大数据，获得大数据的第一集合，根据第一集合得到热场下引晶的第一最佳拉速；记录当前热场下引晶过程中每秒的瞬时拉速，根据瞬时拉速获得第二集合，当第一预设时间内瞬时拉速在第二集合中震荡，此时的瞬时拉速为第一瞬时拉速，第一瞬时拉速可准确反馈温度的变化情况，全部第一瞬时拉速得到瞬时拉速集合，根据瞬时拉速集合获得目标平均拉速。通过比较第一最佳拉速和平均拉速，跳转至适宜的放肩工艺。可提升自动化拉晶下的成功率，实现全自动低断线率拉晶。
一种智能化工艺方法

[发明专利]单晶炉冷却保护方法、电子设备及计算机可读存储介质-CN202310512043.7在审
发明人：陈占仓;欧子杨;姜军帮;赵玉智 -专利权人：晶科能源股份有限公司;青海晶科能源有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请实施例涉及单晶硅生产技术领域，公开了一种单晶炉冷却保护方法、电子设备及计算机可读存储介质。上述单晶炉冷却保护方法包括以多个单晶炉所在的基地为中心，获取在所述基地预设距离范围内的区域的地震信息；根据所述地震信息和各所述单晶炉的当前状态，确定各所述单晶炉是否需要冷却保护；向需要冷却保护的单晶炉发送控制指令，以供所述需要冷却保护的单晶炉在接收到所述控制指令后自动进入冷却保护状态。本申请实施例的单晶炉冷却保护方法，可以批量控制单晶炉，使其自动进入冷却保护状态，从而避免已生产出的晶棒遭受破坏，降低生产商的经济损失。
单晶炉冷却保护方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]单晶炉设备以及单晶硅棒的制造方法-CN202310587021.7在审
发明人： 欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本公开实施例涉及光伏领域，提供一种单晶炉设备以及单晶硅棒的制造方法，单晶炉设备包括：炉室；坩埚，坩埚位于炉室内，且坩埚位于炉室底部；第一进气管，第一进气管具有第一进气口，第一进气口位于炉室的顶部；第二进气管，第二进气管具有第二进气口，在进行熔化阶段以及拉晶阶段，第二进气口位于炉室内且位于坩埚上方，第二进气口与坩埚的距离小于第一进气口与坩埚的距离；流量控制器，用于控制第一进气口的气体流量以及第二进气口的气体流量；压强调节器，用于在熔化阶段将炉室内的压强控制为第一预设压强，在拉晶阶段将炉室内的压强控制为第二预设压强，第二预设压强大于第一预设压强。至少能够降低单晶硅棒中的氧含量。
单晶炉设备以及单晶硅制造方法

[发明专利]一种低氧单晶炉-CN202210751276.8有效
发明人： 欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种低氧单晶炉，包括由底部至顶部顺次设置在炉体内的排气管、炉底、主炉室和水冷屏，其中炉体侧壁中设有至少两根冷却管，任一冷却管的进水口和排水口均延伸至炉体外部，其中一根冷却管单独贯穿水冷屏。通过将水冷屏水路设置为独立水路，保证炉体水流冷却系统正常工作。在炉体中分别设置不同水流量的排气管水路、炉底水路、主炉室水路和水冷屏水路，使该单晶炉可以根据不同工步控制冷却水的水流量，调节炉内温场分布达到温度梯度的效果。通过设置炉体加高的结构，整体抬升热场，从空间上加大底部的体积从而降低单晶氧含量。
一种低氧单晶炉

[发明专利]液口距测量方法及液口距测试装置-CN202210463208.1有效
发明人： 欧子杨 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请提供了一种液口距测量方法及液口距测试装置，液口距测量方法包括：使导流筒位于坩埚的上方，水冷屏设置有用于限定测试组件位置的定位部，将水冷屏下降至与导流筒衔接的位置；将测试组件移动至定位部，并使得测试组件的定位端定位于定位部；升高坩埚直至坩埚内的液面与测试组件的接触端接触，标定液口距校准值；改变坩埚的高度并利用视觉检测系统得出坩埚的高度变化值，通过高度变化值和液口距校准值得到实际值。本申请提供的液口距测量方法及液口距测试装置利用测试组件与导流筒下沿之间的相对距离及测试组件本身的形状尺寸再加上视觉检测系统测量出坩埚的高度变化值，最终解算出液口距的实际值，提高了液口距的测试精度及测试效率。
液口距测量方法测试装置

[发明专利]硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片-CN202011062986.7有效
发明人： 欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种硅片标识的识别方法，包括：通过距离感应装置扫描硅片的标识区域，得到表征硅片标识的起伏结构特征的距离信息，其中，起伏结构为硅片表面的凹陷和/或凸起；将距离信息反馈给处理模块，以使处理模块根据距离信息识别硅片标识。本发明实施例还提供一种硅片打标方法以及硅片。本发明实施例提供的硅片标识的识别方法、硅片打标方法以及硅片，解决了流水线造价昂贵、成本较高的问题。
硅片标识识别方法以及

[发明专利]单晶炉的炉外辅助装置、单晶炉及炉外辅助装置使用方法-CN202111567150.7在审
发明人： 欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种单晶炉的炉外辅助装置、单晶炉及炉外辅助装置使用方法。该单晶炉的炉外辅助装置，包括：定位杆，所述定位杆用于在单晶炉加料口的高度范围内架设位于单晶炉内的保温筒；设置于所述定位杆的顶端的导向部，所述导向部与所述定位杆相交设置，所述导向部用于架设所述保温筒的开口方向与所述加料口的开口方向一致；设置于所述定位杆的底端的卡紧部，所述卡紧部与所述定位杆相交设置，所述卡紧部用于将定位杆与单晶炉连接。至少有利于解决减少保温筒的开口与加料口对中所用时间的问题。
单晶炉辅助装置使用方法

[发明专利]单晶硅制备方法及装置-CN202110396723.8有效
发明人： 欧子杨;白枭龙;张昕宇 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本申请提供单晶硅制备方法及装置，其中，单晶硅制备装置至少包括单晶炉、坩埚、加热器、导流筒、晶体提拉装置及热盖板；坩埚用于收容硅原料，在加热器的作用下所述硅原料熔化形成硅熔体；热盖板可拆卸连接在晶体提拉装置上，热盖板包括沿周向依次间隔设置的多个扇叶，多个扇叶沿水平方向倾斜设置；晶体提拉装置用于带动热盖板向靠近导流筒下端开口处移动，并带动热盖板旋转。本申请的单晶硅制备方法及装置，能够抑制热量散失，显著提高熔料效率；有效压制硅熔体中的挥发物从顶部挥发，改善单晶硅的拉晶环境，提升单晶硅品质。
单晶硅制备方法装置

[发明专利]一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉-CN202210770689.0有效
发明人：向鹏;欧子杨;李旭帆 -专利权人：晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B08B9/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于清除排气管道内氧化物的清理装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述清理装置设置在排气管道内，所述排气管道内设有导气装置，所述清理装置设置在所述导气装置下方；所述清理装置包括：承载结构，所述承载结构安装在所述排气管道的管壁上；清理结构，所述清理结构与所述承载结构连接，用于通过扰动气流的方式分散所述氧化物，所述清理结构的直径小于所述排气管道的直径。用于利用气流来清除排气管道内的氧化物，保证单晶炉的正常运行。
一种用于清除排气管道氧化物清理装置单晶炉

[发明专利]提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置-CN202110347711.6有效
发明人：郑来奇;欧子杨;白枭龙;尚伟泽;杨俊 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，提供一种提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，其中，方法包括以下步骤：在拉制成型的单晶硅取出单晶炉之后，且在复投硅料之前，通过晶体提拉装置将复投钡粉装置下降至坩埚内的硅液面上方，使得复投钡粉装置的出粉口与坩埚底部的圆角处相对；控制晶体提拉装置的转速达到预设值，在保护气体的作用下将放置于复投钡粉装置内的钡粉吹向坩埚底部圆角处。本申请提出提高复投单晶硅成晶率的方法及单晶硅制备装置，能够降低连续拉制单晶硅过程中坩埚的腐蚀程度，提高坩埚使用寿命，提升复投单晶硅品质。
提高单晶硅成晶率方法制备装置

[发明专利]清理装置及其控制方法-CN202310225063.6在审
发明人：陈占仓;欧子杨;刘怀玉 -专利权人：晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： B08B1/00 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种清理装置及其控制方法。清理装置包括：移动机构、伸缩杆以及清理机构，伸缩杆固定于移动机构且沿远离移动机构的第一方向延伸，伸缩杆相对于移动机构可沿第一方向伸缩，清理机构固定于伸缩杆远离移动机构的端部，且清理机构相对于伸缩杆可沿垂直于第一方向伸缩；控制模块，控制模块至少被配置为：基于移动指令控制移动机构移动以及判断移动机构的位置，控制伸缩杆沿第一方向伸缩以及判断伸缩杆的状态，控制清理机构沿垂直于第一方向伸缩以及判断清理机构的状态；无线通信模块，无线通信模块用于接收控制系统发出的移动指令，并将移动指令发送至控制模块。本申请实施例至少有利于降低单晶炉的清理难度。
清理装置及其控制方法

[发明专利]采购需求信息生成方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202011252522.2有效
发明人：房宇飞;吕鹏飞;胡俊;欧子杨;芦明奇 -专利权人：合创汽车科技有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G06Q10/0875 文献下载
摘要：本申请提供了一种采购需求信息生成方法、装置、计算机设备和存储介质。该方法包括：通过获取待采购零部件对应的安全库存系数、当前库存数量、装车需求数量，得到待采购零部件的采购判断参数，若采购判断参数小于预设阈值，则生成包含待采购零部件的新增采购数量的采购订单，其中，安全库存系数根据待采购零部件的返修消耗频率确定。本申请根据装车需求数量、当前库存数量和安全库存系数确定何时需生成采购订单以及采购数量，确保不同返修消耗频率的零部件能维持有效库存且满足生产运输需求，提高了库存管理的效率，进一步提高了获取采购数量的准确性。
采购需求信息生成方法装置计算机设备存储介质

[实用新型]一种防掉棒装置及单晶炉-CN202222928561.0有效
发明人：刘怀玉;欧子杨;尚伟泽;白枭龙 -专利权人：晶科能源股份有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种防掉棒装置及单晶炉，涉及光伏技术领域，所述防掉棒装置用于防止上提拉机构所夹持的晶棒掉落，上提拉机构用于夹持并提拉晶棒，防掉棒装置包括：重量监测装置，设于上提拉机构上，用于实时监测晶棒的重量；位置检测装置，用于检测晶棒在提拉过程中所处的位置；夹持机构，夹持机构与重量监测装置及位置检测装置均电连接，夹持机构位于晶棒周围，具有防护状态和夹持状态，当位置检测装置检测到晶棒处于预设位置时，夹持机构处于防护状态；当重量监测状态监测到的晶棒的重量减小时，夹持机构处于夹持状态。有效防止了晶棒在拉晶过程中掉落，避免了对单晶炉及整个热系统造成损坏，同时避免了安全事故的发生。
一种防掉棒装置单晶炉

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