专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]单晶生长方法及单晶生长设备-CN202011212265.X在审
  • 赵言;张楠;沈伟民;黄瀚艺 - 上海新昇半导体科技有限公司
  • 2020-11-03 - 2021-02-05 - C30B15/00
  • 本发明提供一种单晶生长方法及单晶生长设备。单晶生长方法包括:提供单晶生长设备,包括坩埚、用于坩埚的坩埚装置、用于单晶单晶装置、导流筒和用于导流筒的导流筒装置;设定理论液口距,根据坩埚和单晶尺寸确定理论埚跟比后开始单晶生长;在单晶生长过程中调整坩埚、导流筒和单晶中的一个或多个的位置并实时测量得到实际液口距,计算实际液口距和理论液口距的偏差值并依偏差值得到埚跟比变化值,依埚跟比变化值对理论埚跟比进行调整;依埚跟比变化值对单晶装置的速进行调整,以使单晶生长过程中的晶体工艺速保持不变,其中,晶体工艺速为单晶相对于液面的提升速度。本发明有助于提高单晶生长品质。
  • 生长方法设备
  • [发明专利]单晶的制造方法及退火晶片的制造方法-CN200580043234.3无效
  • 星亮二;柳町隆弘 - 信越半导体股份有限公司
  • 2005-10-21 - 2007-11-28 - C30B15/20
  • 一种单晶的制造方法,是通过切克劳斯基法在处理室内从相同的坩埚中的原料熔液4,二根以上单晶3之多重牵引(multi-pulling)法,针对在从原料熔液4单晶3之后,没有关闭加热器7的电源而将多晶原料追加投入残留的原料熔液4中,将其熔解之后,拉下一根单晶3,重复这些步骤来进行二根以上单晶3的单晶的制造方法,其特征为:在将使单晶3的晶身部成长时的速度V和固液界面附近的轴方向的结晶温度梯度G的比,设为V/G的情况,为了要将各个单晶3的V/G控制成规定值,按照从开始操作算起的经过时间,在开始单晶之前,事前修正上述速度V等的条件,来生长具有所希望的缺陷区域之单晶3。
  • 制造方法退火晶片
  • [发明专利]单晶硅直径控制法及其设备-CN91102922.2无效
  • 川岛章洁;佐藤晨夫;大川登志男 - 日本钢管株式会社
  • 1991-04-27 - 1991-11-13 - C30B15/26
  • 单晶硅直径的一种控制方法,在单晶硅边相对于坩埚转动边受单晶硅制造过程中,将光学装置测出的单晶的直径测定值与要求直径值进行比较,以确定偏差,再对得出的偏差进行不完全微分PID处理或史密斯法处理,以计算速度,再将速度加到晶体设备的电动机控制器上,从而通过控制速度控制单晶的参数。为完成上述单晶硅直径的一种控制方法的设备,包括输入装置、不完全微分PID计算装置和输出装置。
  • 单晶硅直径控制及其设备
  • [发明专利]从坩埚中所含的熔体半导体材料单晶的方法-CN201780062661.9有效
  • T·施勒克;W·霍维泽尔 - 硅电子股份公司
  • 2017-09-28 - 2021-12-10 - C30B15/14
  • 本发明涉及用于从坩埚中所含的熔体由半导体材料组成的单晶的方法,该方法包括:在产生所述单晶的初始锥体的阶段中提所述单晶,直至开始所述单晶的圆柱形区段的阶段。所述方法包括:测量所述单晶的初始锥体的直径Dcr,并计算所述直径的变化dDcr/dt;从时间点t1直至时间点t2,以速度vp(t)从所述熔体所述单晶的初始锥体,从所述时间点t2起开始以目标直径Dcrs所述单晶的圆柱形区段,其中借助于迭代计算过程预先确定在所述初始锥体期间从所述时间点t1直至所述时间点t2所述速度vp(t)的分布曲线。
  • 坩埚熔体提拉半导体材料方法
  • [实用新型]一种单晶速换热器-CN202123219772.9有效
  • 林龙强;杜忠明;梁家宝;刘智嘉 - 中山市汇创精密科技有限公司
  • 2021-12-18 - 2022-06-28 - C30B15/00
  • 一种单晶速换热器,包括壳体,所述壳体内设有第一换热空间,所述壳体上端设有冷却介质输入管路以及冷却介质输出管路,所述壳体围合形成通道,所述壳体的外侧壁上设有观察部,所述观察部的上端设有观察开口,所述观察开口与通道相通,所述观察部内设有第二换热空间;本实用新型通过在单晶速换热器的外壳上且位于通道的另一侧设置观察部,并在其上端设置观察开口,使工作人员透过单晶炉观察视窗查看单晶硅的生长变化的同时,能通过观察开口查看到单晶速换热器下的硅熔体液面以及单晶速换热器内单晶硅晶棒的拉拔情况,从而做出相应的操作,保证单晶硅的品质和成晶率。
  • 一种单晶提拉速换热器
  • [发明专利]一种单晶头质心动平衡机构-CN202011226826.1在审
  • 龙连春;张昊;吴奇 - 北京工业大学
  • 2020-11-06 - 2021-05-14 - C30B15/30
  • 本发明公开了一种单晶头质心平衡机构,包括单晶头,所述头机构内设有缠绕钨丝绳用的移动滚轮,移动滚轮对面设有位置传感器;质心平衡机构安装在头薄板侧面;质心平衡机构通过电控系统控制;直线导轨模组上设有位置传感器本发明在单晶头上安装质心动平衡机构,对由移动滚轮运动造成的头质心位置偏移进行实时调整,保持单晶头质心位置不发生变化,从而提高单晶炉工作时钨丝绳的稳定性,提高生产的单晶的品质。
  • 一种单晶炉提拉头质心动平衡机构
  • [发明专利]一种检测设备和单晶-CN202110256410.2在审
  • 王富龙 - 西安奕斯伟设备技术有限公司;西安奕斯伟材料技术有限公司
  • 2021-03-09 - 2021-06-29 - G01D21/00
  • 本发明提供一种检测设备和单晶炉。检测设备应用于单晶炉,单晶炉包括炉体、密封炉体的密封件以及设置于炉体上的软轴,软轴的材料包括金属材料,软轴与炉体之间密封且绝缘设置,且软轴的一端延伸至炉体内部,另一端位于炉体的外侧;检测设备包括相互连接的执行模块、通信模块和电源模块,通信模块与软轴电连接,且软轴用于为通信模块传输信号。本发明实施例通过利用软轴传输信号,通过有线传输的方式,克服了单晶炉的炉体对于信号的屏蔽,不需要多次开启和关闭单晶炉,此外,也不需要单独设置传输的信号线,不会对单晶炉的密闭效果造成影响,有利于提高测试效率和测试准确程度
  • 一种检测设备单晶炉
  • [发明专利]单晶制造系统及单晶制造方法-CN202080087775.0在审
  • 西岗研一;高梨启一 - 胜高股份有限公司
  • 2020-10-30 - 2022-07-15 - C30B15/22
  • 本发明的课题在于提供一种能够防止校正量的计算错误及设定错误且能够在下一批次反映适当的校正量的单晶制造系统及单晶制造方法。单晶制造系统(1)具备:单晶装置(10),在利用CZ法进行的单晶工序中求出单晶的直径测量值,使用直径校正系数来校正直径测量值,由此,求出单晶的第1直径,根据第1直径控制单晶的直径;直径测量装置(50),在室温下测量单晶装置(10)单晶的直径,求出单晶的第2直径;及数据库服务器(60),从单晶装置(10)及直径测量装置(50)分别获取第1直径及第2直径并管理。
  • 制造系统方法
  • [实用新型]一种单晶装置-CN201420128431.1有效
  • 黄永恩;张学强;范全东;路鹏;王丁 - 宁晋赛美港龙电子材料有限公司
  • 2014-03-21 - 2014-09-10 - C30B15/20
  • 一种单晶装置,属于晶体生长技术领域,其技术方案是,它包括钢丝绳、固定在单晶炉的副室顶部的电机和控制电路,所述钢丝绳的上端固定在电机的减速机输出轴上的卷筒上,下端接硅单晶上部的重锤,所述控制电路包括光电传感器、单片机、输入按钮和电机接触器,所述光电传感器的激光发射管和光电管安装在单晶炉的副室内部上方并分别位于钢丝绳的两侧,光电管的输出端接单片机的输入端口,所述输入按钮接单片机的输入端口,所述电机接触器的常开触点控制电机本实用新型可在硅单晶到达极限位置时自动切断电机的电源,这样就有效防止了单晶超限事故的发生,保证了装置和硅单晶的安全。
  • 一种单晶提拉装置

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