[发明专利]单晶硅的制造方法在审
| 申请号： | 201880034681.X | 申请日： | 2018-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN110945163A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 齐藤正夫;江头和幸 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种单晶硅(10)的制造方法，其利用提拉法从硅熔液中提拉单晶硅(10)而使其生长，在该方法中，当单晶硅(10)的提拉过程中发生位错时，直至位错化开始位置(101)通过氧析出核形成温度带(T |
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| 搜索关键词： | 单晶硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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