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- [发明专利]离子束直写二维半导体器件的方法-CN202010157534.0有效
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谭杨;刘燕然;陈峰
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山东大学
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2020-03-09
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2021-06-15
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H01L29/16
- 本发明公开了一种离子束直写二维半导体器件的方法,步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底;步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极;步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯,单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域;步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层过渡金属双卤代金属TMDCs;步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击,使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂,使得对应置处的单层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态,最终形成PN结。提出了一种利用离子辐照技术直接在TMDCs/石墨烯异质结构上绘制任意二极管的方法。
- 离子束二维半导体器件方法
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