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[发明专利]单罐储热系统及单罐储热方法-CN201210379993.9有效
发明人：荆汝林;邱河梅;石泓;李明;董军 -专利权人：中广核太阳能开发有限公司;中国广东核电集团有限公司
申请日： 2012-10-09 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： F28D20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单罐储热系统及单罐储热方法，该单罐储热系统包括储热罐(1)、换热器(2)、浮动隔热板(3)、热侧泵(5)和冷侧泵(6)；所述储热罐(1)包括筒状的罐本体、顶壁和底壁，所述顶壁密封在所述罐本体的顶端，所述底壁密封在所述罐本体的底端。通过浮动隔热板实现冷侧和热侧的热隔离，因此具有储热效果好的优点，同时冷侧泵和热侧泵均布置在液下较浅的位置，保证了系统的经济性和运行的安全性。
单罐储热系统方法

[发明专利]热缩焊锡环-CN201610393329.8在审
发明人：浦亚芹 -专利权人：上海涵普实业有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种热缩焊锡环，它涉及一种接线装置。它包括热缩单壁管、焊锡环、大胶环和小胶环，热缩单壁管内安装有焊锡环、大胶环、小胶环，大胶环、小胶环分别位于焊锡环的两侧，所述热缩焊锡环的生产工艺为将大胶环、焊锡环、小胶环按顺序套在热缩单壁管的模具上，并将其输送通过窑炉，加热使热缩单壁管收缩，包住大胶环、焊锡环和小胶环，焊锡环管制备完成。
焊锡

[实用新型]热缩焊锡环-CN201620541564.0有效
发明人：浦亚芹 -专利权人：上海涵普实业有限公司
申请日： 2016-06-06 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种热缩焊锡环，它涉及一种接线装置。它包括热缩单壁管、焊锡环、大胶环和小胶环，热缩单壁管内安装有焊锡环、大胶环、小胶环，大胶环、小胶环分别位于焊锡环的两侧，所述热缩焊锡环的生产工艺为：将大胶环、焊锡环、小胶环按顺序套在热缩单壁管的模具上，并将其输送通过窑炉，加热使热缩单壁管收缩，包住大胶环、焊锡环和小胶环，焊锡环管制备完成。
焊锡

[发明专利]单芯电缆导体热性参数的确定方法及系统-CN201410687073.2有效
发明人：苏瑞波;王鹏;曾嘉荣;罗海凹;刘刚 -专利权人：广州供电局有限公司;华南理工大学
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种单芯电缆导体热性参数的确定方法及系统，该方法包括如下步骤将单芯电缆的导体屏蔽层、绝缘层、绝缘屏蔽层归并处理为等效绝缘层，并将所述等效绝缘层进行分层处理；分别建立分层处理后每一层等效绝缘层的微元圆筒壁暂态热路模型以及单芯电缆其余各层的微元圆筒壁暂态热路模型；按照单芯电缆的实际结构串接所述每一层等效绝缘层以及单芯电缆其余各层的微元圆筒壁暂态热路模型，生成单芯电缆的优化暂态热路模型；根据所述优化暂态热路模型获得单芯电缆导体热性参数。本发明将优化了单芯电缆的暂态热路模型，利用优化暂态热路模型进行导体热性参数的求解，能够显著提高精度，降低电缆载流量的计算误差。
电缆导体参数确定方法系统

[发明专利]半导高压热单壁收缩管及其制备方法-CN200910185061.9有效
发明人：张志强;庄向阳 -专利权人：江苏达胜热缩材料有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： C08L23/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种热收缩管，具体涉及一种半导高压热单壁收缩管及其制备方法；一种半导高压热单壁收缩管，壁料组成，按照质量份数，所述的壁料由聚烯烃混合树脂90份、导电炭黑10份和助剂10份组成；制备方法包括，半导高压热单壁收缩管的壁料的制备
高压热单壁收缩及其制备方法

[发明专利]一种用于大功率电缆接线的热缩焊锡环接线-CN201711378650.X在审
发明人：浦亚芹;韩晓明;马腾 -专利权人：上海晗普新材料科技有限公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01R4/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于大功率电缆接线的热缩焊锡环接线，包括单壁管、胶环和热缩焊锡环；其中，制备单壁管的生产方法，如下：S1，挤出成型：将原料加入到单螺杆管材挤出机中，挤出温度100‑280℃，挤出成型管材半成品；S2，辐照：将S1中制备的双壁热缩管半成品放在放线架上，经过张力架引入辐照室，对制成的单壁管半成品进行循环照射和冷却，辐照剂量为9‑15Mrad；S3，扩张：将S2中辐照好的单壁管进行加热、扩张定型、冷却后，制得成品单壁管，从过程中加热温度为400‑500℃，扩张倍数为2‑4倍。本发明热缩焊锡环管生产工艺及设备比较简单，且操作方便，有利于流水线生产操作。
单壁管焊锡环热缩接线大功率电缆辐照挤出成型半成品加热冷却生产工艺及设备管材半成品管材挤出机流水线生产辐照剂量制备单壁单螺杆放线架辐照室热缩管张力架定型胶环双壁制备照射挤出引入生产

[实用新型]一种电磁双热熔组装管件-CN201720657507.3有效
发明人：陈厚忠 -专利权人：武汉金牛经济发展有限公司
申请日： 2017-06-06 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： F16L47/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电磁双热熔组装管件，包括至少两个电磁双热熔管件和一个PPR单热熔管件；每一所述电磁双热熔管件至少包含有一个第一连接端和一个第二连接端，所述第一连接端与管材连接，第二连接端与PPR单热熔管件连接；第一连接端的管壁上同轴设置有环状承接口，所述环状承接口的外侧管壁为外环壁、环状承接口的内侧管壁为内环壁；所述外环壁的内壁表面或外环壁内埋设有外环壁电磁感应产热部件，内环壁的外壁表面或内环壁内埋设有内环壁电磁感应产热部件；所述PPR单热熔管件的各端分别与电磁双热熔管件的第二连接端相连接。本实用新型提供的电磁双热熔组装管件适用于各种规格的钢塑复合管熔接，同时熔接后出现渗漏时易于补救。
一种电磁双热熔组装

[发明专利]温度传感器组件-CN202210905055.1在审
发明人：约尔格·格布哈特;帕特里克·阿克曼;苏巴希什·达斯古普塔;威廉·达克;卡斯滕·施罗德;古鲁帕萨德·佐萨雷 -专利权人： ABB瑞士股份有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： G01K1/16 文献下载
摘要：提供了一种温度传感器组件，该温度传感器组件被配置为热耦合到容器壁来确定容器壁的表面温度，组件包括：第一单分支热传导路径，其位于容器壁的表面与温度传感器组件的环境之间、包括温度测量传感器、且被配置为热耦合到容器壁的表面的第一部位，从而产生第一热阻；以及第二单分支热传导路径，其位于容器壁的表面的第二部位与温度传感器组件的环境之间、包括参考温度传感器、且被配置为热耦合到容器壁的表面，从而产生第二热阻。
温度传感器组件

[发明专利]量子点复合材料及其制备方法、量子点发光二极管-CN201911379609.3有效
发明人：叶炜浩 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种量子点复合材料，包括量子点、热致延迟荧光材料以及单壁碳纳米角，其中，所述单壁碳纳米角和所述量子点结合在所述热致延迟荧光材料表面。本发明提供的量子点复合材料提高了量子点的发光效率。
量子复合材料及其制备方法发光二极管

[发明专利]一种热解塑料制备单壁碳纳米管的方法、纳米电子器件-CN202110998896.7在审
发明人：何茂帅;赵楠;武倩汝;李栋;张雪婷;马辰 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-08-28 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： C01B32/159 文献下载
摘要：本发明公开一种热解塑料制备单壁碳纳米管的方法、纳米电子器件，涉及碳纳米管生长技术领域。热解塑料制备单壁碳纳米管的方法包括：通过热解PP或LDPE作为碳源，以惰性气体为载气，使用多孔MgO负载的钴催化剂，采用化学气相沉积(CVD)法制备单壁碳纳米管。本发明首次通过热解塑料聚合物作为碳源成功生长出单壁碳纳米管，为从塑料聚合物中生产单壁碳纳米管开辟了道路；降低了生产成本。本发明通过热解PP或LDPE作为碳氢化合物的来源，通过热解获得烃类气体，来用作化学气相沉积法制备碳纳米管的碳源，实现了单壁碳纳米管的生长。本发明合成方法简单，易于操作，有利于大规模生产。
一种塑料制备单壁碳纳米方法电子器件

[发明专利]一种分级预冷却单壁喷管延伸段-CN202211457301.8在审
发明人：马志瑜;田原;王晓丽;王朝晖;杨进慧;杜宁;王希杰;曾鼎;刘阳旻;王仙;杨继东;孙浩 -专利权人：北京航天动力研究所
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： F02K9/97 文献下载
摘要：本发明涉及一种分级预冷却单壁喷管延伸段，包括单壁喷管延伸段上段和单壁喷管延伸段下段，涡轮废气按照比例分成两股，不超过30％的涡轮废气形成一级超声速气膜，在靠近单壁上段基体内壁面的区域形成较低温度的保护层，以隔开较高温度的主流燃气与单壁上段基体，在一级气膜冷却效率降低至80％或者单壁喷管延伸段上段最高壁面温度接近材料许用温度的位置处设置二级超声速气膜，对单壁段剩余基体内壁进行热防护。本发明在具体的流量分配下显著降低结构壁面最高温度。
一种分级预冷却单壁喷管延伸

[发明专利]通过氟化作用切割单壁碳纳米管的方法-CN03803181.7无效
发明人： J·L·马格拉夫;Z·顾;R·H·霍格;R·E·斯马利 -专利权人：威廉马歇莱思大学
申请日： 2003-04-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：一种切割单壁碳纳米管的方法，包括部分氟化单壁碳纳米管和在高达约1000℃的惰性气氛或真空中热解该部分氟化纳米管。纳米管可选在切割前进行纯化。本发明还涉及氟化和切割的单壁碳纳米管的衍生物。根据氟化和热解条件，单壁碳纳米管可以被切割成任何长度。短纳米管适用于多种应用中，比如平板显示器的场发射极和作为纳米管进一步生长的“晶种”。
通过氟化作用切割单壁碳纳米方法

[发明专利]一种高炉维修铜冷却壁热面加厚喷涂层的方法-CN202211317301.8在审
发明人：张维巍;马海林;战奇;余盈昌;徐吉林;李世明;李壮;时泽群;孙颖;张业男 -专利权人：鞍钢集团工程技术有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B05D7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高炉维修铜冷却壁热面加厚喷涂层的方法，1)确定喷涂层厚度，喷涂层厚度≤80％铜冷却壁厚度；2)在铜冷却壁在燕尾槽的相邻热面上加工螺纹孔；3)制作加厚金属骨架；加厚金属骨架包括加厚板，加厚板上设有凸块，凸块上设有Y型螺钉；Y型螺钉的单柱螺纹端与加厚板螺纹连接；4)将加厚金属骨架的加厚板焊接在铜冷却壁在燕尾槽的相邻热面上，Y型螺钉的单柱螺纹端与铜冷却壁的螺纹孔连接；Y型螺钉的双柱端外露；5)在铜冷却壁表面及加厚金属骨架上进行喷涂料作业本方法保证铜冷却壁壁体结构不变的情况下，加厚喷涂层，实现保持高炉原炉型改造。
一种高炉维修冷却壁热面加厚喷涂方法

[发明专利]一种有机物催化热解法制备单壁纳米碳管的提纯方法-CN01127952.4无效
发明人：成会明;李峰;白朔 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明涉及纳米碳管技术，为了提高单壁纳米碳管的提纯收率，并且简化操作步骤，特别提供了一种有机物催化热解法制备单壁纳米碳管的提纯方法，包含下述步骤用芳香烃有机溶剂浸泡单壁纳米碳管直到溶剂颜色不变；用10％
一种有机物催化解法制备纳米提纯方法

[发明专利]一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法-CN201210377541.7有效
发明人：刘畅;李世胜;侯鹏翔;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明涉及单壁碳纳米管领域，具体为一种全单壁碳纳米管场效应晶体管及其制备方法，以半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道，以金属性/半导体性单壁碳纳米管混合物作为源、漏电极。在适当温度下，金属氧化物可与单壁碳纳米管发生碳热反应，并选择性刻蚀高化学活性的金属性单壁碳纳米管，获得半导体性单壁碳纳米管。利用光刻技术在Si/SiO2基体上沉积金属膜，并预氧化得到金属氧化物膜。单壁碳纳米管薄膜中与金属氧化物接触的反应区仅留下半导体性单壁碳纳米管作为场效应晶体管沟道，而沟道以外未受影响的单壁碳纳米管作为源、漏电极。
一种全单壁碳纳米场效应晶体管及其制备方法

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