专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种天线单元-CN201110296632.3有效
  • 吴进波;黄冠宇;梅连军 - 深圳市华一通信技术有限公司
  • 2011-09-27 - 2013-03-20 - H01Q1/36
  • 本发明提供了一种天线单元,包括反射板、装设在所述反射板上的辐射体以及为所述辐射体馈电的馈电电缆,所述辐射体包括呈封闭状的曲折金属导体、自所述曲折金属导体向内延伸的至少一组相对设置的波振子以及与所述波振子匹配的折合振子这样,天线单元的所述辐射体通过所述折合振子设置在所述曲折金属导体上与所述波振子相匹配,可使得所述天线单元的谐振频率在1700MHz-2200MHz,同时所述天线单元的增益可高达12dBi以上。
  • 一种天线单元
  • [发明专利]绝缘碳化硅单晶-CN201010617348.7有效
  • 陈小龙;刘春俊;彭同华;李龙远;王刚;刘宇 - 中国科学院物理研究所
  • 2010-12-31 - 2012-07-11 - C30B29/36
  • 公开了一种绝缘碳化硅单晶,包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质;其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值,且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度该绝缘碳化硅单晶室温电阻率大于1×105Ω·cm,电学性能及晶体质量满足相应微波器件制备要求。该单晶通过深能级掺杂剂和本征点缺陷共同作用来补偿浅能级杂质,以获得高质量的绝缘单晶;该单晶经过高温1800℃退火后,电阻率没有明显降低,保持大于1×105Ω·cm。
  • 绝缘碳化硅

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