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[发明专利]半导体装置结构-CN201710480724.4在审
发明人：萧锦涛;曾健庭;杨超源;许义明;郑存甫;王薏涵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-22 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本公开实施例提供半导体装置结构。半导体装置结构包含介电层。半导体装置结构亦包含栅极堆叠结构于介电层中。半导体装置结构更包含半导体线，且栅极堆叠结构围绕部分的半导体线。此外，半导体装置结构包含接点电极于介电层中，且接点电极电性连接至半导体线。接点电极与栅极堆叠结构自半导体线朝相反方向延伸。
半导体装置结构半导体线栅极堆叠结构接点电极介电层电性连接方向延伸

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202010331895.2在审
发明人：江国诚;朱熙甯;蔡庆威;程冠伦;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置结构及其形成方法，半导体装置结构包含基底和位于基底之上的介电鳍结构。半导体装置结构还包含相邻介电鳍结构的半导体鳍结构。半导体装置结构还包含横跨介电鳍结构和半导体鳍结构的金属栅极堆叠。半导体装置结构还包含位于半导体鳍结构之上的源极/漏极部件。半导体装置结构还包含插入源极/漏极部件与介电鳍结构之间的源极/漏极间隔物。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体封装结构及其制造方法-CN202010724266.6在审
发明人：马克·杰柏 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：公开一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包括第一半导体装置、重新分布结构、第二半导体装置及多个导电组件。所述第一半导体装置具有有源表面。所述重新分布结构与所述第一半导体装置电连接。所述第二半导体装置结合到所述第一半导体装置的所述有源表面及安置于所述第一半导体装置与所述重新分布结构之间。所述导电组件位于所述第一半导体装置的所述有源表面上及所述第二半导体装置之外，其中所述第一半导体装置通过所述导电组件电连接所述重新分布结构。
半导体封装结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN201611264421.0在审
发明人：林时彦;吴崇荣;刘继文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;林时彦
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供半导体装置结构，半导体装置结构包含基底。半导体装置结构包含半导体层位于基底上方，半导体层包含过渡金属硫属化物。半导体装置结构包含源极电极和漏极电极位于半导体层上方并连接半导体层，且通过间隙彼此间隔开，源极电极和漏极电极由石墨烯制成。
半导体装置结构

[发明专利]一种插口结构的半导体组件校准装置-CN201510630441.4在审
发明人：陈聪 -专利权人：陈聪
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01R13/35 文献下载
摘要：一种插口结构的半导体组件校准装置，其特征在于所述的插口结构的半导体组件校准装置，包括半导体组件壳体（1），上部插接装置（2），结构对应的插孔半导体组件组件（3）和半导体半导体插针组件（4）；其中一至六套插孔半导体组件组件（3）都能分别通过螺栓与半导体组件壳体（1）连接，半导体半导体插针组件（4）通过插针与插孔半导体组件组件（3）连接，上部插接装置（2）通过螺栓与半导体组件壳体（1）连接。本发明所述的插口结构的半导体组件校准装置，可以实现一套壳体内可分别安装多套不同插口结构的半导体组件，满足不同场合需要，降低设备的成本，应用范围广。
一种插口结构半导体组件校准装置

[发明专利]半导体装置结构-CN201611024334.8在审
发明人：李东颖;叶致锴;徐振峰 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-15 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本公开提供半导体装置结构。半导体装置结构包括第一半导体层及第二半导体层，纵向地堆叠于半导体基底上。第一半导体层及第二半导体层包括不同的材料。半导体装置结构也包括栅极堆叠，覆盖第一半导体层的第一部分。半导体装置结构还包括间隔元件，位于栅极堆叠的侧壁上。间隔元件覆盖第二半导体层以及第一半导体层的第二部分。第二半导体层的厚度不同于第二部分的厚度。
半导体装置结构

[发明专利]光电装置-CN201210319964.3无效
发明人：李斗烈;金永镇;金东燮;牟灿滨;金英水;朴映相 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2012-08-31 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种光电装置，所述光电装置包括位于基底上的第一半导体结构和第二半导体结构，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同的导电类型。所述光电装置还包括位于第一半导体结构上的第一电极和位于第二半导体结构上的第二电极以及与第二半导体结构相邻的层间绝缘结构。层间绝缘结构将第一半导体结构与第二半导体结构分开并将第一半导体结构与第二电极分开。
光电装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810441815.1有效
发明人：黄竞加;吕增富;廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-05-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括半导体基板、介电层、栅极结构、以及源极半导体特征和漏极半导体特征。半导体基板具有主动区域和围绕主动区域的浅沟槽隔离结构。半导体基板包括突起结构。突起结构位于主动区域中并具有位于主动区域的周边的底切。介电层覆盖半导体基板的突起结构，并填充突起结构的底切的至少一部分。栅极结构跨过突起结构。源极半导体特征和漏极半导体特征位于主动区域中，并位于栅极结构的相对两侧上。本发明的半导体装置的栅极结构具有良好的栅极控制能力，且有助于半导体装置表面的平坦化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202210937957.3在审
发明人：郑明达;林威宏;黄晖闵;薛长荣;蔡柏豪;林永胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括互连结构，在半导体基底的上方。半导体装置结构包括导体柱，在互连结构的上方。导体柱具有突出部，其向半导体基底延伸。半导体装置结构包括上导体导孔，在导体柱与互连结构之间。以第一距离横向分离上导体导孔的中心与突出部的中心。半导体装置结构包括下导体导孔，在上导体导孔与互连结构之间。下导体导孔经由上导体导孔而电性连接于导体柱。以第二距离横向分离下导体导孔的中心与突出部的中心，第二距离短于第一距离。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN201711220067.6有效
发明人：蔡宗翰;王柏仁;吴春立;高境鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：提供半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括基板。此基板包括第一半导体层、第二半导体层及位于第一半导体层及第二半导体层之间的一绝缘层。此半导体装置结构亦包括栅极堆叠，位于基板之上。此半导体装置结构更包括多个源极及漏极结构，位于基板的第二半导体层中。此些源极及漏极结构位于栅极堆叠的两侧。此外，此半导体装置结构包括第一隔离结构，位于基板中。此第一隔离结构包括绝缘材料且环绕源极及漏极结构。此半导体装置结构亦包括第二隔离结构，位于第一隔离结构中。此第二隔离结构包括金属材料且环绕源极及漏极结构。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法-CN202110240272.9在审
发明人：林俊成;谢宗桦 -专利权人：鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明为一种基板及半导体磊晶结构的雷射分离方法，主要提供至少一半导体装置，其中半导体装置包括一基板及至少一半导体磊晶结构的层迭。以一雷射照射半导体装置的一边缘区域，并分离位于边缘区域的基板与半导体磊晶结构。通过一压合装置压迫半导体装置的边缘区域，而后以雷射照射半导体装置的一内部区域，并分离位于内部区域的基板与半导体磊晶结构，其中分离内部区域的基板及半导体磊晶结构时所产生的气体会由边缘区域排出，以防止在分离过程中对半导体磊晶结构造成损伤
半导体结构雷射分离方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810035376.4有效
发明人：崔康植 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：半导体装置及其制造方法。可以提供半导体装置和制造半导体装置的方法。该半导体装置可以包括源极选择线。该半导体装置可以包括字线。该半导体装置可以包括沟道层。该半导体装置可以包括源极结构。所述源极结构可以被设置在所述源极选择线下方。所述源极结构可以与所述沟道层接触。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]用于电阻式晶种衬底电镀的导电总线条的结构及方法-CN201711213472.5有效
发明人： S·艾哈迈德;S·V·德斯潘德;荻野淳 -专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：本发明涉及用于电阻式晶种衬底电镀的导电总线条的结构及方法，其中，一种方法包括提供上有水平与垂直切割道的半导体衬底，该切割道就印刷电路及/或半导体装置界定半导体区，该方法还包括在该半导体衬底上形成就该印刷电路及/或半导体装置作用为总线条的金属性结构。一种半导体结构以该方法来实现，该半导体结构包括上有水平与垂直切割道的半导体衬底(该切割道就印刷电路及/或半导体装置界定半导体区)、位在该半导体衬底上就该印刷电路及/或半导体装置作用为总线条的金属性结构、以及位在该半导体区中的印刷电路及/或半导体装置。
用于电阻式晶种衬底电镀导电线条结构方法

[发明专利]半导体装置和包括该半导体装置的电子系统-CN202210150868.4在审
发明人：姜相敏;金成吉;林芝承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。该半导体装置包括：堆叠结构，其包括竖直地堆叠在半导体层上的电极；源极半导体图案，其位于半导体层与堆叠结构之间；支撑半导体图案，其位于堆叠结构与源极半导体图案之间；以及竖直结构，其穿透堆叠结构、支撑半导体图案和源极半导体图案竖直结构包括竖直沟道图案，在竖直沟道图案中，侧壁的一部分与源极半导体图案接触。竖直沟道图案包括与堆叠结构相邻的上部分、与源极半导体图案相邻的下部分和与支撑半导体图案相邻的中部。上部分具有第一直径。
半导体装置包括电子系统

[发明专利]半导体装置结构及其形成方法-CN202011162376.4在审
发明人：江国诚;朱熙甯;陈冠霖;王志豪 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置结构及其形成方法。此半导体装置结构包括位于基板上方的多个半导体纳米结构及两个外延结构。半导体纳米结构的每一个位于两个外延结构之间。此半导体装置结构还包括环绕半导体纳米结构的栅极堆叠结构。此半导体装置结构还包括位于栅极堆叠结构与基板之间的应力结构。外延结构延伸超出应力结构的顶表面。
半导体装置结构及其形成方法

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