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[发明专利]半导体装置封装以及形成半导体装置封装的方法-CN201810344148.5有效
发明人：林柏尧;洪成佾;许峯诚;陈硕懋;郑心圃;叶书伸;李光君 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L23/24 文献下载
摘要：一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
半导体装置封装以及形成方法

[发明专利]光学子组件结构-CN202010546226.7在审
发明人：后藤正宪;白军明;林福明;王志仁;骆豪健 -专利权人：云晖科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：一种用于通过光纤与半导体光学波导的主动对准进行模转换的光学子组件结构，包括：用于保持光学子组件结构的子基座；安装在所述子基座上的半导体芯片；生长在所述半导体芯片上的半导体光学波导；以及相对于所述半导体光学波导主动对准的玻璃毛细管子组件
学子组件结构

[发明专利]半导体基板结构及其制造方法-CN201811181955.6有效
发明人：卢智宏;蔡明洁;张杰雄 -专利权人：奕力科技股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板结构，包括半导体元件基板以及黏着组件。半导体元件基板具有主动面以及位于主动面上的多个凹陷。黏着组件包括黏着层以及底膜，且黏着层填入多个凹陷中，以使半导体元件基板与黏着组件彼此接合。本发明还提供一种半导体基板结构的制造方法。
半导体板结及其制造方法

[实用新型]半导体组件-CN201620778055.X有效
发明人： P·文卡特拉曼;B·帕德玛纳伯翰;A·萨利赫 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及半导体组件。要解决的一个技术问题是提供改进的半导体组件。所述种半导体组件包括支撑件，所述支撑件具有第一器件接纳结构、第二器件接纳结构、第一引线、第二引线和第三引线；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片接合至所述第一器件接纳结构；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片电耦接至所述第一半导体芯片以及电耦接至所述第二器件接纳结构；第一电互连，所述第一电互连耦接在所述第一半导体器件的所述栅极接合焊盘与所述第一引线之间；以及第二电互连，所述第二电互连耦接在所述第一半导体芯片的所述源极接合焊盘与所述第三引线之间。通过本实用新型，可以获得改进的半导体组件。
半导体组件

[发明专利]光电组件及其制造方法-CN200810109900.4有效
发明人：蔡宗良 -专利权人：广镓光电股份有限公司
申请日： 2008-06-05 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种光电组件的外延堆栈结构，包含：一基底；一缓冲层形成在基底上；一光电组件的具有多重结构层的外延堆栈结构形成在基底之上，其中外延堆栈结构包含第一半导体导电层、发光层、多重半导体结构层在第一半导体导电层及发光层之间及第二半导体导电层在发光层之上，其中，多重半导体结构层至少包含：复数个第一半导体结构层、复数个第二半导体结构层及复数个第三半导体结构层所构成，且每一第二半导体结构层堆栈在每一第一半导体结构层与每一第三半导体结构层之间，使得多重半导体结构层是以第一/第二/第三交错堆栈的方式形成在第一半导体导电层及发光层之间。
光电组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置结构-CN202210785274.0在审
发明人：廖航;何清源;周春华 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：半导体装置结构包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第一栅极结构、第二栅极结构、第一电极、场板以及温度敏感组件。第二氮化物半导体层安置在第一氮化物半导体层上。第一栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第二栅极结构安置在第二氮化物半导体层上。第一电极安置在第二氮化物半导体层上，并且位在第一栅极结构与第二栅极结构之间。场板自第一电极延伸至第一栅极结构以及第二栅极结构的上方。温度敏感组件位在第一电极的正上方。温度敏感组件的高度大于第一栅极结构以及第二栅极结构的高度，且温度敏感组件低于场板的上表面的高度。
半导体装置结构

[发明专利]半导体封装件及其制造方法-CN201010286340.7有效
发明人：翁肇甫;王昱祺 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-03-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括第一线路结构、第一半导体组件、第一介电层、贯孔导电结构、第二线路结构、第二半导体组件、第二介电层及强化结构。第一介电层包覆第一半导体组件，第一介电层定义贯穿部并具有对应贯穿部的贯穿部壁面。贯孔导电结构形成于贯穿部壁面上并电性连接于第一线路结构。第二线路结构电性连接于贯孔导电结构。第二半导体组件设于第二线路结构上并电性连接于贯孔导电结构。第二介电层包覆第二半导体组件。强化结构用以强化半导体封装件的强度，其中第二介电层位于第一线路结构与强化结构之间。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]散热装置-CN201310445001.2有效
发明人：黄建屏 -专利权人：晶致半导体股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：一种散热装置，包括内设定子组与半导体组件的半导体封装结构、轴接至该半导体封装结构的扇轮组、以及具有导流道并收纳该半导体封装结构与扇轮组的导流结构，该扇轮组具有位于该半导体封装结构表面上方的多个叶片，且该定子组与该半导体组件用于控制该第一叶片的作动，藉由该叶片延伸凸出该半导体封装结构的侧面，以加大叶片尺寸，所以在不改变该半导体封装结构的尺寸的情况下，可增加所产生的风量。
散热装置

[发明专利]半导体激光设备组件-CN201410183449.6有效
发明人：河野俊介;仓本大;幸田伦太郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明公开了半导体激光设备组件。该半导体激光设备组件包括：锁模半导体激光元件组件，包括锁模半导体激光元件和色散补偿光学系统，从该锁模半导体激光元件发射的激光入射到该色散补偿光学系统上并且从该色散补偿光学系统发射该激光；以及半导体光学放大器，具有包括III‑V族氮化物基半导体层的分层结构体，该半导体光学放大器被配置为放大从该锁模半导体激光元件组件发射的该激光。
半导体激光设备组件

[发明专利]光电转换组件及其制造方法-CN200810210429.8无效
发明人：陈永芳;许国强;戴煜暐;吴孟修 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2008-08-15 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种光电转换组件，包括半导体基板以及位于半导体基板的表面上的多个微结构。半导体基板的表面具有至少一个凹结构和/或至少一个凸结构。其中，微结构为将多个半导体纳米粒子形成在半导体基板的表面以作为屏蔽并由蚀刻半导体基板的表面而形成。一种光电转换组件的制造方法也一并公开。
光电转换组件及其制造方法

[发明专利]发光半导体组件封装结构及其制造方法-CN200610008813.0无效
发明人：吴易座;庄世任;张嘉显;周大为 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2006-02-15 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光半导体组件封装结构，包括一基底、一发光半导体组件、一萤光粉胶体固定结构及一萤光粉胶体包覆层，其中，发光半导体组件设置于基底之上，萤光粉胶体固定结构设置于基底之上并环绕发光半导体组件，并在上端具有一开口，萤光粉胶体固定结构为高透光性材质，通过萤光粉胶体固定结构的开口将萤光粉胶体充填于萤光粉胶体固定结构内，并包覆发光半导体组件而形成萤光粉胶体包覆层。
发光半导体组件封装结构及其制造方法

[发明专利]具有多出风口的半导体换热器装置-CN202111313660.1在审
发明人：丁科;王国金;宋君强;吴汀;贺贤汉 -专利权人：浙江汉恒热电科技有限公司
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： F24F5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多出风口的半导体换热器装置。它解决了现有技术中半导体空调使用灵活性不佳的问题。它包括半导体换热单元，半导体换热单元一侧设有用于传递半导体换热单元热量的制热器组件，另一侧设有用传递半导体换热器冷量的制冷器组件，制冷器组件周向设有若干制冷器导风结构，制热器组件周向设有若干制热器导风结构，且制热器组件远离半导体换热单元的一侧设有散热组件。本发明的优点在于：结构简单、设计合理，避免了冷风和热风共用同一出口位置，使用灵活。
具有风口半导体换热器装置

[实用新型]半导体空调及汽车-CN201921040130.2有效
发明人：张晨星;潘地洪 -专利权人：北京长城华冠汽车技术开发有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B60H1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体空调及汽车，涉及空调的技术领域，包括固定组件和半导体制冷组件，由于半导体制冷组件与固定组件连接，且在半导体制冷组件内设有第一腔体，此外，在固定组件和半导体制冷组件之间围设有第二腔体，半导体制冷组件吸收第一腔体内的热量，使得第一腔体内的温度降低，以形成制冷效果，半导体制冷组件在第二腔体内放热，使得第二腔体内温度升高，以形成制热效果；将第一腔体和第二腔体与汽车内的相关输送管道连通，便可达到相应的制冷和制热要求，缓解了现有技术中的汽车空调结构复杂、耗能较大的技术问题，整体结构简单，汽车蓄电池可为半导体制冷组件提供电能，耗能小。
半导体空调汽车

[实用新型]智能止血装置-CN201620218257.9有效
发明人：焦丽华;赵宇波;王婧 -专利权人：深圳创新设计研究院有限公司
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： A61B17/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能止血装置，包括半导体制冷组件(1)、用于给半导体制冷组件(1)提供工作电源的电源组件(2)，以及连接在半导体制冷组件(1)与电源组件(2)之间的温控组件(3)；半导体制冷组件(1实施本实用新型的有益效果是：所述智能止血装置采用半导体制冷组件的结构，半导体制冷组件工作时其冷端能够对出血部位进行冷敷，使得出血部位的血管收缩，进而达到给伤口止血的目的，而且还能够起到止疼的目的；再者，所述智能止血装置采用温控组件的结构，能够监控半导体制冷组件工作时的温度，以有效地避免所述智能止血装置温度过低或过高而对人体造成不必要的损伤。
智能止血装置

[发明专利]多重堆叠层叠式封装结构的形成方法-CN201610621524.1在审
发明人：李其融;苏安治;陈宪伟;黄立贤;陈威宇;杨天中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-01 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种多重堆叠层叠式封装结构的形成方法。在方法中，形成第一堆叠半导体组件于第一承载晶片上。单体化第一堆叠半导体组件。胶合第一堆叠半导体组件于第二承载晶片。贴合第二半导体组件于第一堆叠半导体组件上。密封第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。将电性连接形成于并电性耦接于第一堆叠半导体组件及第二半导体组件。
多重堆叠层叠封装结构形成方法