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[发明专利]氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201610122812.2在审
发明人：庄家铭;徐宸科;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构，晶格系数介于利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
氮化半导体生长衬底及其制作方法

[发明专利]半导体红外探测器及其制备方法-CN202211314512.6在审
发明人：郑军;刘智;成步文 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体红外探测器，应用于半导体技术领域，包括：硅基衬底，硅基衬底上依次外延有p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层，该p型锗锡吸收层、锗硅势垒层和p型锗锡接触层在该硅基衬底上形成台面结构，该p型锗锡接触层和该硅基衬底上均设置有金属电极。本发明还提供了一种半导体红外探测器的制备方法，可有效降低半导体红外探测器的暗电流。
半导体红外探测器及其制备方法

[发明专利]复合式氮化镓基半导体生长衬底及其制作方法-CN201210067966.8有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
复合氮化半导体生长衬底及其制作方法

[实用新型]复合式氮化镓基半导体生长衬底-CN201220096939.9有效
发明人：庄家铭;王振祖;黄惠葵;范慧丽 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合式氮化镓基半导体生长衬底，其包括：基板；晶格缓冲层，形成于石英玻璃上，其由类钻石薄膜(Diamond-LikeCarbon，简称DLC)构成；晶格转换层，形成于晶格缓冲层，其为多晶结构利用DCL与氮化物的组合，克服了石英玻璃或金属基板等普通基板用于生长氮化镓基半导体材料存在的晶格不匹配及热失配等问题，从而降低了现有氮化镓基半导体生长衬底的成本，同时提高了其后续生长的氮化镓基半导体材料的质量
复合氮化半导体生长衬底

[发明专利]三维纳米结构氚伏电池-CN201910075577.1在审
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
三维纳米结构电池

[发明专利]半导体激光装置-CN202080105485.4在审
发明人：小川喜之 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：半导体激光装置(100)具备：次基台(30)，具备底板部(45)和从底板部(45)的表面突出的凸部(46)；和半导体激光器(1)，与次基台(30)接合。半导体激光器(1)具备：半导体基板(2)；半导体构造部(3)，形成于半导体基板(2)的表面，并包含活性层(5)；第一电极(8)；以及第二电极(9)。半导体激光器(1)的与凸部(46)相对的侧面以及第二电极(9)分别通过接合部件(40)而与凸部(46)的与半导体激光器(1)相对的侧面以及底板部(45)的表面接合。将凸部(46)的侧面与半导体激光器(1)的侧面接合的接合部件(40)的在凸部(46)所突出的方向亦即z方向上的端部，位于比半导体激光器(1)的半导体基板(2)的表面更靠z方向的远处的位置。
半导体激光装置

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN201410222766.4有效
发明人：金村雅仁 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：公开了半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括基板上的由氮化物半导体形成的第一半导体层；在第一半导体层上的由氮化物半导体形成的第二半导体层；形成在第二半导体层上的绝缘层；形成在第二半导体层上的源极电极和漏极电极绝缘层由包括氧化物的材料形成，并且通过从第二半导体层侧开始按照第一绝缘层随后是第二绝缘层的放置顺序层叠第一绝缘层和第二绝缘层来形成，并且包括在第一绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量小于包括在第二绝缘层的每单位体积中的‑OH基的量。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种三维纳米结构氚伏电池-CN201920132344.6有效
发明人：伞海生;陈长松 -专利权人：厦门大学;厦门大学深圳研究院
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：呈三明治结构，从上到下依次为：顶部电极、三维纳米结构半导体和底部电极；所述三维纳米结构半导体是由半导体材料构成的三维网格框架结构，网格框架之间设有孔道间隙，三维纳米结构半导体设于底部电极与顶部电极之间，三维纳米结构半导体为氚基同位素源集成的三维纳米结构半导体，所述氚基同位素源贮存于半导体网格框架之间孔道间隙中的氚化金属，或为氚与三维纳米结构半导体材料复合形成的氚化半导体，或为氚化金属与氚化半导体的共存结构；所述氚化金属与三维纳米结构半导体形成肖特基接触或欧姆接触，同时还与顶部电极或底部电极连接。
一种三维纳米结构电池

[发明专利]有机半导体器件和有机半导体薄膜-CN200780000602.5无效
发明人：胜原真央;鹈川彰人;宫本佳洋;国清敏幸 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体薄膜基有机半导体器件，该器件包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料可在低温如室温下溶解于有机溶剂并且适用于涂布工艺。该有机半导体器件包括沟道形成区，该沟道形成区包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料具有基于两个π－电子单位的氧化或还原机制并且具有二维或三维传导路径。
有机半导体器件有机半导体薄膜

[发明专利]一种半导体芯片自动化测试系统及方法-CN202310842069.8在审
发明人：杨刚;魏亮;赵勇 -专利权人：苏州晶睿半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片测试技术领域，具体地说，涉及一种半导体芯片自动化测试系统及方法。其包括基台和安装在基台上的测试控制机构，测试控制机构包括测试台，测试台的上方设置有光敏组件，测试台上还设置有热敏组件，光敏组件和热敏组件均用于给半导体芯片模拟应用环境，测试台和光敏组件之间设置有状态调控组件，状态调控组件的下方安装有定位机构，定位机构用于控制半导体芯片处于不同的温度环境，基台上安装有测试机构。本发明通过外调控盘和内调控盘控制照射孔照射光线的强度以及范围，使半导体芯片处于不同的光照状态、温度状态，以此模拟半导体芯片于不同应用环境下的具体状态。
一种半导体芯片自动化测试系统方法

[发明专利]基于氮化镓的发光二极管及其制造方法-CN02814526.7有效
发明人： B·哈恩;A·杭莱特;V·哈勒 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2002-07-19 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于氮化镓的化合物半导体基础上的发光装置的制造方法，包括具有第一和第二主面的发光层(2)，其由氮化镓基的化合物半导体构成；第一覆盖层(3)，其与发光层(2)的第一主面相连，并由一氮化镓基的n型化合物半导体构成，其组成区别于发光层的化合物半导体；第二覆盖层(4)，其与发光层(2)的第二主面相连，并由一个氮化镓基的p型化合物半导体构成，其组成区别于发光层的化合物半导体。
基于氮化发光二极管及其制造方法

[发明专利]氮化物半导体发光装置-CN201380027682.9无效
发明人：萩野裕幸;吉田真治;森本廉 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化物半导体发光装置。氮化物半导体发光装置具备氮化物半导体发光元件(3)、和容纳氮化物半导体发光元件(3)的封装件(10)。封装件(10)具有：具有开口部(11c)的基台(11)、与基台(11)一起构成容纳氮化物半导体发光元件(3)的容纳空间的盖罩(30)、通过开口部(11c)并与氮化物半导体发光元件(3)电连接的引线管脚(14a、14b)、以及被填埋入开口部(11c)并将基台(11)与引线管脚(14a、14b)绝缘的绝缘部件(17a、17b)。
氮化物半导体发光装置

[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法-CN200680032214.0有效
发明人：村木典孝;篠原裕直;大泽弘 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。
氮化化合物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法-CN200510129741.0无效
发明人：幡俊雄 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造氮化物基化合物半导体发光器件的方法，所述方法包括的步骤为：在衬底(10)上形成包括多层氮化物基化合物半导体层(5、6)的半导体层结构；通过激光辐射从所述半导体层结构去除所述衬底；清洁所述半导体层结构的暴露的表面
氮化物化合物半导体发光器件制造方法

[实用新型]一种硅基太阳能电池-CN201520406705.3有效
发明人：张建生 -专利权人：佛山市启正电气有限公司
申请日： 2015-06-12 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：一种硅基太阳能电池，包括P半导体、P半导体电极层、N半导体、N半导体电极层和P-N结合区层；所述N半导体电极层的顶部安装有光增益结构层。本实用新型通过使用光增益结构代替原有的太阳能电池N电极顶部的MgF2玻璃面板，使其更充分、更合理的吸收太阳光，从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率和降低太阳能电池的工作结点温度。
一种太阳能电池