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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]柔性热电模块和包含柔性热电模块的热电装置-CN202110527535.4在审
发明人：李璟秀;卢真星 -专利权人：泰格韦有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L35/32 文献下载
摘要：根据本发明的以曲面形状被使用的柔性热电模块包括设置成可变形为曲面形状的板状的基板，被安排以在基板上形成二维阵列的包括N型半导体和P型半导体的多个热电元件，以及连接N型半导体和P型半导体的多个电极，其中多个热电元件形成热电线
柔性热电模块包含装置

[发明专利]半导体模块和AC/DC转换器组件-CN202080009197.9在审
发明人：泽田秀喜 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：半导体模块(A1)具备：半导体装置(B1)，其具有多个半导体元件(40)、多个输入输出端子(3A)、多个控制端子(3B)和覆盖多个半导体元件(40)的封固树脂(60)；第一基板(7)；以及第一连接器(8
半导体模块 ac dc 转换器组件

[发明专利]半导体装置和用于制造半导体装置的方法-CN202110193193.7在审
发明人：玉木顺也;三木崇史;吉田凌;鹿海敦;浅野功辅;丰田刚宏;栗原政树 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括在半导体层上的各自具有镶嵌结构的多条布线，其中该多条布线包括彼此相邻的第一布线和第二布线，其中第一布线沿着第一布线延伸的方向包括第一部分、第二部分以及位于第一部分和第二部分之间的第三部分
半导体装置用于制造方法

[发明专利]一种保障半导体厂高品质能源供应的管理方法-CN202110671499.9在审
发明人：武天娇;张丽婷;杨涌文;李琦芬 -专利权人：上海电力大学
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种保障半导体厂高品质能源供应的管理方法，本发明从重要负荷用户的角度入手，了解用户用能情况，找出供能缺失时半导体厂区内易受影响的工艺、设备等负荷。在此基础上可对半导体行业用能负荷进行更为精准的分级保障，整理出适用于半导体行业的能源保障方法。
一种保障半导体品质能源供应管理方法

[发明专利]薄膜晶体管基底和包括该薄膜晶体管基底的显示装置-CN202110265157.7在审
发明人：金根佑;姜泰旭;金斗娜;成范模;李度炅;朱在焕 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管基底包括：半导体层，设置在基底上；栅极绝缘层，设置在半导体层上；第一电极，所述第一电极与半导体层至少部分地叠置，其中，栅极绝缘层设置在第一电极与半导体层之间；多个薄膜层，设置在第一电极上；
薄膜晶体管基底包括显示装置

[发明专利]显示装置及晶体管-CN201980090991.8在审
发明人：尾关芳孝 -专利权人：株式会社日本显示器
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：在像素部或周边部设置有晶体管，晶体管具备半导体层、与半导体层重叠的第一及第二栅极电极、源极电极、漏极电极。源极电极至少在俯视观察时覆盖作为第一栅极电极和半导体层的重叠区域的第一沟道区域而形成。漏极电极在俯视观察时至少覆盖作为第二栅极电极和半导体层的重叠区域的第二沟道区域而形成。
显示装置晶体管

[发明专利]一种基于半导体量子点的光脉冲自相似放大装置-CN202110759023.0在审
发明人：何俊荣;王可畏;徐四六;段云秀 -专利权人：湖北科技学院
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于半导体量子点的光脉冲自相似放大装置，属于光纤通讯技术领域。包括光脉冲源、泵浦源、光耦合器、光展宽器、半导体量子点、光压缩器、输出光束；所述光脉冲源、所述泵浦源的输出连接至所述光耦合器的输入，所述光耦合器的输出与所述光展宽器的输入连接、所述光展宽器的输出连接所述半导体量子点的输入、所述半导体量子点的输出与所述光压缩器的输入连接，所述光压缩器的输出即为自相似放大光脉冲。
一种基于半导体量子脉冲相似放大装置

[发明专利]一种808nm半导体激光夜视光源发射装置-CN202110101586.0在审
发明人：李再金;赵志斌;陈浩;杨云帆;袁毅;杨隆杰;李林;乔忠良;曾丽娜;曲轶 -专利权人：海南师范大学
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种808nm半导体激光夜视光源发射装置，包括808nm快慢轴准直半导体激光阵列模块（1）、空心梯型圆台（2）、凹透镜（3）、凸透镜（4）。808nm快慢轴准直半导体激光阵列模块（1）垂直入射到圆台下底面（2‑3）上，在圆台外侧面（2‑2）和圆台内侧面（2‑4）发生全反射，经过圆台上底面（2‑1）入射到凹透镜（3）和凸透镜（4），输出808nm半导体激光夜视光源。
一种 808 nm 半导体激光光源发射装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202010987022.7在审
发明人：曾根田真也;上马场龙;新田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供一种能够改善恢复损耗以及恢复耐量这两者的技术。半导体装置具有：第2导电型的基极层，其配置于IGBT区域的半导体基板的表面侧；以及第2导电型的阳极层，其配置于二极管区域的半导体基板的表面侧。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]冰箱-CN201910934902.5在审
发明人：宋向鹏;姬立胜;戚斐斐;刘建如 -专利权人：青岛海尔电冰箱有限公司;海尔智家股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： F25D11/00 文献下载
摘要：其中该冰箱包括：箱体，其内部限定有至少第一储物空间和第二储物空间；半导体制冷系统，配置成向第一储物空间提供冷量；以及压缩制冷系统，配置成向第二储物空间提供冷量，并降低半导体制冷系统的热端的温度。本发明的冰箱，压缩制冷系统降低半导体制冷系统的热端的温度，可以促进半导体制冷系统向第一储物空间提供冷量，进而使得第一储物空间实现深度制冷，满足食材的存储要求，提升食材的存储效果。
冰箱

[发明专利]热电转换元件的制造方法-CN201980055534.5在审
发明人：森田亘;加藤邦久;武藤豪志;胜田祐马 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明提供一种具有形状控制性优异的热电元件层且可高集成化的热电转换元件的制造方法，该方法是在基板(1)上包含热电元件层(4a、4b)的热电转换元件的制造方法，所述热电元件层(4a、4b)由包含热电半导体材料的热电半导体组合物形成，该方法包括：在所述基板上设置具有开口部(3)的图案框(2)的工序；在所述开口部填充所述热电半导体组合物的工序；将填充于所述开口部的所述热电半导体组合物干燥而形成热电元件层的工序；以及将所述图案框从基板上剥离的工序
热电转换元件制造方法

[发明专利]光半导体密封用树脂成型物及其制造方法-CN202010936135.4在审
发明人：内藤龙介;山根实;松尾晓;萩原拓人;大田真也;姫野直子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C08G59/42 文献下载
摘要：本发明提供一种光半导体密封用树脂成型物及其制造方法，所述光半导体密封用树脂成型物的螺旋流动长度或凝胶化时间的变动小，并且能够稳定地进行传递成型。一种光半导体密封用树脂成型物，其中，所述光半导体密封用树脂成型物的根据EMMI(环氧树脂成型材料研究所)标准1‑66并且在模具温度为150℃、成型压力为970kgf/cm2
半导体密封树脂成型及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202010731772.8在审
发明人：胡振国;许庭昊 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：一种半导体装置被揭露，其包括半导体基板、设置在半导体基板的第一表面上的底电极、设置在半导体基板与第一表面相对的第二表面上的绝缘层、电流‑电压转换器以及第一电极和第二电极。
半导体装置

[发明专利]半导体存储装置-CN202010759915.6在审
发明人：泽部亮介;内山泰宏;糸川宽志 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：实施方式改善半导体存储装置中的存储单元晶体管的电特性。实施方式的半导体存储装置包含半导体、第1绝缘体、第2绝缘体、第1导电体、第4绝缘体、及第5绝缘体。第1绝缘体与半导体相邻，第2绝缘体与第1绝缘体相邻。第3绝缘体设置在第1导电体之上。第4绝缘体设置在第2绝缘体与第1导电体之间。
半导体存储装置

[发明专利]半导体封装件-CN202010780602.9在审
发明人：李洙焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：半导体封装件包括：安装基板；第一半导体芯片，位于所述安装基板上并电连接至所述安装基板；散热元件，位于所述第一半导体芯片的上表面上，其中，所述散热元件包括侧壁和上表面，所述侧壁包括倾斜表面，所述上表面直接地连接至所述倾斜表面所述封装件模制部使所述散热元件的上表面的至少一部分外露，所述散热元件的上表面平行于所述第一半导体芯片的上表面，并且由所述散热元件的上表面与所述散热元件的所述倾斜表面形成的角度为钝角。
半导体封装

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